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中微半導(dǎo)體成功中標(biāo)長江存儲 9 臺刻蝕設(shè)備訂單
據(jù)悉，紫光旗下的長江存儲在 2019 年 9 月份正式量產(chǎn)了國內(nèi)首個(gè) 64 層堆棧的 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，2020 年長江存儲還會進(jìn)一步提升產(chǎn)能，年底將達(dá)到每月 6 萬片
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國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)崛起已成必然：2023年長江存儲將趕“英”超“美”！
2019年11月27日，由集邦咨詢（TrendForce）主辦的MTS2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會在深圳召開。在當(dāng)天的活動上，多位分析師對全球DRMA及NAND Flash市場進(jìn)行了細(xì)致的分析。 對于國產(chǎn)
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中國存儲芯片實(shí)現(xiàn)歷史性突破 明年可占全球5%份額
在中國去年進(jìn)口的3000多億美元芯片產(chǎn)品中，存儲芯片大概占了1/3，價(jià)值千億美元的內(nèi)存、閃存芯片國產(chǎn)率基本為0。不過今年國內(nèi)在內(nèi)存及閃存領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了0的突破，預(yù)計(jì)2020年就能占到全球存儲芯片市場的
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新華三服務(wù)器將采用國產(chǎn)閃存：長江存儲自研架構(gòu) 64層閃存
今年9月初，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲宣布量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，采用了自研Xtacking架構(gòu)，核心容量256Gb。今天紫光集團(tuán)又宣布旗下新華三公司將在自家服務(wù)器產(chǎn)品中使用長江存儲閃存，共同推動在中國
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新華三與長江存儲共同推進(jìn)自主創(chuàng)新存儲芯片的研發(fā)與應(yīng)用
近日，紫光旗下新華三攜手長江存儲，整合中國頂尖的存儲芯片資源，成功地將3D NAND芯片產(chǎn)品融入服務(wù)器產(chǎn)品之中。
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紫光國微：目前沒有計(jì)劃涉足存儲器芯片制造業(yè)務(wù) 也沒有整合長江存儲計(jì)劃
近日有投資者在互動平臺對于紫光國微業(yè)務(wù)提出疑問，公司是芯片設(shè)計(jì)，長江存儲是芯片制造，不屬于同業(yè)競爭。那么公司和紫光展銳同屬于集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，2018年芯片設(shè)計(jì)全國排名，展銳第二，公司第十，既然參與此
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國產(chǎn)內(nèi)存年底量產(chǎn) 但前路依舊漫漫
本月初，紫光集團(tuán)旗下長江存儲正式宣布，其64層堆棧3D NAND閃存已開始量產(chǎn)。 雖然國產(chǎn)3D NAND已經(jīng)取得了突破了，但是在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域，國內(nèi)依然是一片空白。原本被寄予厚望的福建晉華，由于
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長江存儲宣布Xstacking 2.0堆棧技術(shù) 國產(chǎn)高性能第三代閃存來也
今天紫光旗下的長江存儲邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。 除了64層3D閃存量產(chǎn)之外，長江存儲今天還宣布了另外一
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紫光國產(chǎn)64層3D閃存正式亮相：Xstacking堆棧 256Gb核心
在今天召開的2019中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上，紫光集團(tuán)展出了旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展，其中首次公開展出了旗下長江存儲研發(fā)的64層堆棧3D閃存，采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu)，核心容量也提升到
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中國首款64層3D NAND(三維閃存)閃存量產(chǎn)
9月2日，紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking®架構(gòu)設(shè)計(jì)，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲密度。
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華為被禁 國產(chǎn)64層3D閃存提速
由于被美國商務(wù)部制裁，華為的供應(yīng)鏈面臨斷供的風(fēng)險(xiǎn)，特別是美國公司的芯片及軟件，除了CPU、射頻、網(wǎng)絡(luò)芯片之外，華為的閃存芯片也會受到壓力，智能手機(jī)、服務(wù)器、基站等產(chǎn)品中都會用到大量NAND閃存。 目前
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閃存產(chǎn)能突遇產(chǎn)業(yè)變動 價(jià)格下跌趨勢能否反轉(zhuǎn)？
近期，7月初，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布，自7月4日起，包括“氟聚酰亞胺”、“光刻膠”和“高純度氟化氫”3種材料將限制向韓國出口。使得價(jià)格“跌跌不休”的NAND Flash(閃存芯片)市場，突然遇到了產(chǎn)業(yè)變動。
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長江存儲今年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存
紫光集團(tuán)旗下的長江存儲YMTC是國內(nèi)三大存儲芯片陣營中主修NAND閃存的公司，也是目前進(jìn)度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會(CITE2019)上展示了企業(yè)級P8260硬盤，使用的就是長江存儲的32層3D NAND閃存。長江存儲并不打算大規(guī)模生產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，該公司CTO程衛(wèi)華在接受采訪時(shí)表示今年下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，目前計(jì)劃進(jìn)展順利，沒有任何障礙。
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武漢2019規(guī)劃：提速存儲器等國家新基地建設(shè)，培育“芯”產(chǎn)業(yè)集群
據(jù)中國光谷報(bào)道，其中就包括提速存儲器等國家新基地建設(shè)，培育“芯”產(chǎn)業(yè)集群，落地落實(shí)“一芯驅(qū)動、兩帶支撐、三區(qū)協(xié)同”。
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為防中國企業(yè)挖人才，SK海力士廢除工程師的退休年齡限制
據(jù)韓國媒體Business Korea報(bào)道，為了防止中國企業(yè)挖人才，SK海力士提出了一個(gè)新的制度，讓優(yōu)秀的工程師即使在法定退休年齡60歲之后仍能繼續(xù)工作。
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武漢新芯二期項(xiàng)目設(shè)備已搬入，進(jìn)入試產(chǎn)、投產(chǎn)階段！
武漢電子集成線路制造場二期工程舉行設(shè)備搬入儀式，這預(yù)示著預(yù)示著武漢新芯二期項(xiàng)目從廠房建設(shè)階段進(jìn)入試生產(chǎn)、投產(chǎn)階段。
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與國外技術(shù)差距縮小，長江存儲2019年將會量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存
2018年NAND閃存價(jià)格由漲轉(zhuǎn)跌，NAND閃存價(jià)格至少跌了50%，主要原因是64層3D NAND閃存堆棧產(chǎn)能大幅增加，市場供應(yīng)大增，今年底三星、東芝等公司又推出了96層堆棧的3D NAND閃存，20
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總投資240億美元的長江存儲器項(xiàng)目年內(nèi)有望投產(chǎn)
湖北重點(diǎn)發(fā)展具有特色的引領(lǐng)型經(jīng)濟(jì)，力爭在存儲芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。國家已經(jīng)在武漢布點(diǎn)了總投資240億美元的長江(國家)存儲器項(xiàng)目，年內(nèi)有望逐步投產(chǎn)。
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再投240億美元，紫光在成都開建12英寸 3D NAND存儲器制造基地
紫光再投240億美元，打造紫光成都存儲器制造基地!2018年10月12日，紫光成都存儲器制造基地項(xiàng)目開工儀式在成都雙流舉行。
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中國存儲器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立
在此次大會上選舉產(chǎn)生了中國存儲器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正、副理事長和秘書長，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁、長江存儲董事刁石京當(dāng)選理事長，北京大學(xué)蔡一茂等18人當(dāng)選副理事長，長江存儲副董事長楊道虹當(dāng)選秘書長。
