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負載開關有什么作用？負載開關在安全保護方面表現(xiàn)如何？
在下述的內(nèi)容中，小編將會對負載開關的相關消息予以報道，如果負載開關是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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負載開關有哪些功能？如何判斷負載開關的好壞
以下內(nèi)容中，小編將對負載開關的相關內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對負載開關的了解，和小編一起來看看吧。
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為什么需要負載開關？如何判斷負載開關的好壞
本文中，小編將對負載開關予以介紹，如果你想對它的詳細情況有所認識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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PMOS也能實現(xiàn)分立式負載開關？看大佬是怎么解讀的
在這篇文章中，小編將為大家?guī)碡撦d開關的相關報道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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MOSFET負載開關基本電路了解嗎？雙MOS如何設計分立式負載開關？
本文中，小編將對MOSFET負載開關予以介紹，如果你想對它的詳細情況有所認識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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單NMOS可以設計分立式負載開關嗎？
以下內(nèi)容中，小編將對NMOS負載開關的相關內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對NMOS負載開關的了解，和小編一起來看看吧。
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簡化無線應用子系統(tǒng)負載管理的解決方案：集成負載開關的應用與優(yōu)勢
在無線技術飛速發(fā)展的今天，從智能手機到物聯(lián)網(wǎng)設備，再到通信基礎設施，各種無線應用子系統(tǒng)在人們的生活和工作中扮演著越來越重要的角色。然而，隨著功能的日益豐富，如何有效管理這些子系統(tǒng)的功耗成為了一個亟待解決的問題。特別是在便攜式設備中，如何在保證性能的同時，降低功耗、延長電池續(xù)航時間，是制造商和設計師們共同面臨的挑戰(zhàn)。本文將介紹一款可簡化無線應用子系統(tǒng)負載管理的簡單、快速解決方案——集成負載開關，并詳細闡述其應用與優(yōu)勢。
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Diodes 公司推出高額定電流負載開關為現(xiàn)代數(shù)字 IC 提供智能供電解決方案
【2024 年 6 月 6 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 宣布擴展廣受歡迎的 DML30xx 智能負載開關系列。此次推出四款新產(chǎn)品：DML3008LFDS、DML3010ALFDS、DML3011ALFDS 與 DML3012LDC，可針對 0.5V 至 20V 的電源軌實現(xiàn)大電流 (10.5A 至 15A) 電源域 (Power Domain) 開關控制。通過一系列嵌入式功能，這些器件可以高效應對有關微控制器、顯卡、ASIC、FPGA 與存儲芯片供電的各方面需求。這些器件非常適用于滿足服務器、計算硬件、網(wǎng)絡基礎設施、網(wǎng)關、固態(tài)硬盤、筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)設備、可熱插拔設備以及外設端口的電源管理需求。
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Littelfuse推出超低功耗負載開關集成電路系列，延長電池壽命
小尺寸和一流的效率使其成為物聯(lián)網(wǎng)、移動和可穿戴電子產(chǎn)品的理想選擇
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Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應用中實現(xiàn)高功率負載開關
采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝，并集成BJT和電阻，加倍節(jié)省空間
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Nexperia擴展產(chǎn)品組合，率先推出集成式5 V負載開關
精準控制功耗，具備超強系統(tǒng)安全性。
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高端 FET 負載開關入門第 2 部分
柵極控制塊或電平轉(zhuǎn)換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開或關閉。門控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。 在導通期間，柵極控制的主要任務是對 EN 進行電平轉(zhuǎn)換，以產(chǎn)生高(N 溝道)或低(P 溝道)V G 以使開關完全導通。類似地，在關斷期間，柵極控制產(chǎn)生低(N 溝道)或高(P 溝道)V G 以將開關完全關斷。
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高端 FET 負載開關入門第 1 部分
高端負載開關及其操作仍然是許多工程師和設計師的熱門選擇，適用于電池供電的便攜式設備，例如功能豐富的手機、移動GPS設備和消費娛樂小工具。本文采用一種易于理解且非數(shù)學的方法來解釋基于 MOSFET 的高側(cè)負載開關的各個方面，并討論在整個設計和選擇過程中必須考慮的各種參數(shù)。
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負載開關：在我們需要的地方提供高效電源第1部分
乍看上去負載開關有多種形式，包括可以用電路的板載邏輯驅(qū)動的分立 MOSFET;柵極驅(qū)動 IC 與分立 FET 相結(jié)合;以及集成控制器、柵極驅(qū)動和功率 MOS 器件。 PMOS 器件的高邊開關比 NMOS 器件更容易，盡管對于給定的器件尺寸和工藝技術，NMOS 在溝道電阻方面具有優(yōu)勢。
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負載開關：在我們需要的地方提供高效電源第2部分
On Semiconductor 提供的 P 溝道 MOSFET 在電氣上類似于 International Rectifier 和 Fairchild Semiconductor 的部件，但安裝在公司的無引線 ChipFET 封裝中。這些部件的面積為 122×80 mil，與 1206 無源器件或 TSSOP-6 IC 的面積大致相同。例如，25 美分 (10,000) NTHS5441 是一款 20V、3.9A 器件，具有相當?shù)耐ǖ离娮瑁涸?–4.5VV GS時最大為 55mΩ –2.5V 時為 83 mΩ。
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負載開關：在我們需要的地方提供高效電源第3部分
具有集成功率 FET 的單芯片驅(qū)動器提供多種輔助功能，例如固定或可變壓擺率控制、過流保護和欠壓鎖定。這些所謂的智能開關通常安裝在比單獨的 FET 稍大的封裝中，如果我們使用分立器件實現(xiàn)它們，它們提供的功能往往是“部分”的。但是，與單獨的驅(qū)動器和 FET 不同，使用智能開關，我們需要將控制屬性和額定功率正確組合在一個部件中。
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負載開關的應用如何選擇 MOSFET器件
MOSFET 被用作負載開關的次數(shù)超過了在任何其他應用中的使用量，一次數(shù)量為數(shù)億個。我可能應該從我在這里定義“負載開關”的確切方式開始。為了這篇文章的緣故，考慮負載開關任何小信號 FET，其在系統(tǒng)中的唯一功能是將一些低電流 (
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如何使用負載開關為可穿戴設備供電
在短短幾年內(nèi)，可穿戴設備已經(jīng)從本質(zhì)上不存在變成了日常生活中不可或缺的一部分。隨著這些設備的不斷普及，它們的功能集也變得更加多樣化。最初是一種跟蹤步數(shù)的簡單方法，現(xiàn)在變成了一個腕戴式數(shù)據(jù)中心，可以聆聽每一次心跳并分析每封電子郵件。這些復雜的特性意味著工程師面臨額外的設計挑戰(zhàn)。
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時間就是負載開關的一切！
對于最終用戶來說，打開電子設備很簡單；只需按一下按鈕。然而，創(chuàng)造流暢的通電體驗需要付出很多努力。過快開啟系統(tǒng)可能會通過不受控制的大浪涌電流尖峰導致電源故障。對于基于微處理器或 FPGA 的應用，正確的操作需要特定的電源軌排序要求。有時最好在啟用下游電路之前等待某些子系統(tǒng)上電。使用負載開關管理設備電源排序可以為最終用戶提供流暢的開機體驗。 像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個場效應晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負載開關具有更顯著的優(yōu)點。
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如何將 LDO 用作負載開關
低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 能否成為良好的負載開關？這不就像把一個圓釘放在一個方孔里嗎？嗯，是的，但是如果滿足以下兩個或三個條件，LDO 可能是一個不錯的選擇：
