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上海醫(yī)保信息系統(tǒng)被擠癱

據(jù)新華社電(記者黃安琪仇逸)3月31日上午9點(diǎn)10分左右，上海全市醫(yī)保結(jié)算系統(tǒng)一度因技術(shù)原因出現(xiàn)中斷，部分醫(yī)院門診擁擠。對(duì)此，上海市人力資源和社會(huì)保障局相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，系統(tǒng)已于當(dāng)日9點(diǎn)30分左右恢復(fù)正常，故障

消費(fèi)電子
2011-04-01

信息系統(tǒng) 節(jié)點(diǎn)
一種RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的自適應(yīng)學(xué)習(xí)算法

建立了一種RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的自適應(yīng)學(xué)習(xí)模型。該模型事先不需要確定隱層節(jié)點(diǎn)的中心位置和數(shù)量，而是在學(xué)習(xí)過(guò)程中，根據(jù)相應(yīng)的添加策略和刪除策略，自適應(yīng)地增加或減少隱層節(jié)點(diǎn)的數(shù)量。最終形成的網(wǎng)絡(luò)不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，精度高，而且具有較好的泛化能力。

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2011-03-29

矢量 RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) BSP 節(jié)點(diǎn)
Finfet+平面型架構(gòu)混合體：傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)

據(jù)消息來(lái)源透露，Intel公司近期可能會(huì)公開(kāi)其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來(lái)源還稱Intel&ldq

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-03-24

晶體管 Intel FINFET 節(jié)點(diǎn)
傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)

據(jù)消息來(lái)源透露，Intel公司近期可能會(huì)公開(kāi)其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來(lái)源還稱Intel“很

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2011-03-24

晶體管 Intel FINFET 節(jié)點(diǎn)
盛美12英寸單片清洗技術(shù)用于清洗10nm超微顆粒

盛美半導(dǎo)體（上海）有限公司日前在中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)際展上發(fā)表了十二英寸單片兆聲波清洗設(shè)備的最新工藝，本工藝用于45nm技術(shù)及以下節(jié)點(diǎn)的十二英寸高端硅片清洗。盛美獨(dú)家具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的清洗技術(shù)可以去除數(shù)十納米超微

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2011-03-22

硅片聲波 ULTRA 節(jié)點(diǎn)
分析師：賽靈思可能領(lǐng)先于Altera進(jìn)入28納米節(jié)點(diǎn)

據(jù)華爾街分析師，繼在40納米節(jié)點(diǎn)上落后于Altera之后，可編程邏輯器件廠商賽靈思有望取得明顯成長(zhǎng)，可能在28納米節(jié)點(diǎn)再度從Altera手中奪回技術(shù)領(lǐng)先地位。 FBR Capital Markets的分析師Hans Mosesmann在上周二(3月15日

消費(fèi)電子
2011-03-21

Altera 賽靈思 AN 節(jié)點(diǎn)
應(yīng)用材料公司推出Applied DFinder檢測(cè)系統(tǒng)

應(yīng)用材料公司推出Applied DFinder檢測(cè)系統(tǒng)，用于在22納米及更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)的存儲(chǔ)和邏輯芯片上檢測(cè)極具挑戰(zhàn)性的互連層。作為一項(xiàng)突破性的技術(shù)，該系統(tǒng)是首款采用深紫外(DUV)激光技術(shù)的暗場(chǎng)檢測(cè)工具，使芯片制造商具有前

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-03-21

應(yīng)用材料公司 APPLIED FINDER 節(jié)點(diǎn)
一種HCI自適應(yīng)的解決辦法

摘要：在嵌入式系統(tǒng)工程開(kāi)發(fā)及現(xiàn)場(chǎng)施工實(shí)踐中，為了解決由于嵌入式系統(tǒng)資源退化引起的人機(jī)交互復(fù)雜性和不確定性問(wèn)題，從可適應(yīng)性角度討論，分析了嵌入式系統(tǒng)中人機(jī)交互界面（HCI）的可適應(yīng)性需求，應(yīng)該針對(duì)資源退化

數(shù)字電源
2011-03-20

模型 HC BSP 節(jié)點(diǎn)
一種HCI自適應(yīng)的解決辦法

一種HCI自適應(yīng)的解決辦法

嵌入式教程
2011-03-20

模型 HC BSP 節(jié)點(diǎn)
一種面向可適應(yīng)性的嵌入式設(shè)備HCI方案

在嵌入式系統(tǒng)工程開(kāi)發(fā)及現(xiàn)場(chǎng)施工實(shí)踐中，為了解決由于嵌入式系統(tǒng)資源退化引起的人機(jī)交互復(fù)雜性和不確定性問(wèn)題，從可適應(yīng)性角度討論，分析了嵌入式系統(tǒng)中人機(jī)交互界面(HCI)的可適應(yīng)性需求，應(yīng)該針對(duì)資源退化提供一種HCI自適應(yīng)的解決辦法，故時(shí)于嵌入式設(shè)備交互特點(diǎn)進(jìn)行了研究，詳細(xì)描述了嵌入式設(shè)備的HCI模型和內(nèi)存結(jié)構(gòu)的建立，并給出具有實(shí)踐意義的HCI可適應(yīng)性策略，最后以一個(gè)工程實(shí)例進(jìn)行了驗(yàn)證。從實(shí)例可知，為嵌入式系統(tǒng)的項(xiàng)目開(kāi)發(fā)提供了一種可行性解決方案。

數(shù)字電源
2011-03-20

嵌入式設(shè)備 HC BSP 節(jié)點(diǎn)
一種面向可適應(yīng)性的嵌入式設(shè)備HCI方案

一種面向可適應(yīng)性的嵌入式設(shè)備HCI方案

嵌入式教程
2011-03-20

嵌入式設(shè)備 HC BSP 節(jié)點(diǎn)
一種基于統(tǒng)計(jì)信息的網(wǎng)格資源組織及任務(wù)調(diào)度

摘要：對(duì)分布的網(wǎng)格資源進(jìn)行有效地組織與調(diào)度是實(shí)現(xiàn)網(wǎng)格計(jì)算的關(guān)鍵?；诜謱拥乃枷耄岢隽艘环N改進(jìn)的網(wǎng)格資源組織方式，引入了資源統(tǒng)計(jì)信息表及負(fù)載信息表。在資源調(diào)度的過(guò)程中，通過(guò)維護(hù)并匹配相關(guān)的統(tǒng)計(jì)信息，能

通信技術(shù)
2011-03-15

模型成功率 BSP 節(jié)點(diǎn)
分布式嵌入系統(tǒng)中的交互一致性

分布式嵌入系統(tǒng)中的交互一致性

嵌入式教程
2011-03-12

分布式嵌入系統(tǒng) CHOICE 節(jié)點(diǎn)
半導(dǎo)體技術(shù)評(píng)析：通向14nm、5nm節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)

當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 對(duì)于邏輯電路，STMicro的ThomasSkotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理

模擬
2011-03-10

存儲(chǔ)器半導(dǎo)體技術(shù) 5NM 節(jié)點(diǎn)
半導(dǎo)體技術(shù)評(píng)析：通向14nm、5nm節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)

當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對(duì)于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk

智能硬件
2011-03-09

存儲(chǔ)器半導(dǎo)體技術(shù) 5NM 節(jié)點(diǎn)
通向14/15nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)的挑戰(zhàn)

當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)

消費(fèi)電子
2011-03-08

5NM 節(jié)點(diǎn)
通向14nm和5nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)的挑戰(zhàn)

對(duì)于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，

消費(fèi)電子
2011-03-07

存儲(chǔ)器 5NM AMS 節(jié)點(diǎn)
通向14/15nm節(jié)點(diǎn)的技術(shù)挑戰(zhàn)

當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對(duì)于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-03-07

存儲(chǔ)器 5NM AMS 節(jié)點(diǎn)
通向14nm、5nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)的挑戰(zhàn)

當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對(duì)于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk

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2011-03-07

存儲(chǔ)器 5NM AMS 節(jié)點(diǎn)
DB2備份及恢復(fù)操作步驟

DB2備份及恢復(fù)操作步驟

嵌入式教程
2011-03-06

數(shù)據(jù)庫(kù) BACKUP SAMPLE 節(jié)點(diǎn)

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節(jié)點(diǎn)

上海醫(yī)保信息系統(tǒng)被擠癱

一種RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的自適應(yīng)學(xué)習(xí)算法

Finfet+平面型架構(gòu)混合體：傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)

傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)

盛美12英寸單片清洗技術(shù)用于清洗10nm超微顆粒

分析師：賽靈思可能領(lǐng)先于Altera進(jìn)入28納米節(jié)點(diǎn)

應(yīng)用材料公司推出Applied DFinder檢測(cè)系統(tǒng)

一種HCI自適應(yīng)的解決辦法

一種HCI自適應(yīng)的解決辦法

一種面向可適應(yīng)性的嵌入式設(shè)備HCI方案

一種面向可適應(yīng)性的嵌入式設(shè)備HCI方案

一種基于統(tǒng)計(jì)信息的網(wǎng)格資源組織及任務(wù)調(diào)度

分布式嵌入系統(tǒng)中的交互一致性

半導(dǎo)體技術(shù)評(píng)析：通向14nm、5nm節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體技術(shù)評(píng)析：通向14nm、5nm節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)

通向14/15nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)的挑戰(zhàn)

通向14nm和5nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)的挑戰(zhàn)

通向14/15nm節(jié)點(diǎn)的技術(shù)挑戰(zhàn)

通向14nm、5nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)的挑戰(zhàn)

DB2備份及恢復(fù)操作步驟

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