半導(dǎo)體行業(yè)新政有望年內(nèi)定稿

近日，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)執(zhí)行副理事長(zhǎng)徐小田在中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)暨高峰論壇新聞發(fā)布會(huì)上發(fā)言表示，國(guó)家在支持集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)發(fā)展或有大手筆，新政策力度要遠(yuǎn)超“18號(hào)文件”。業(yè)內(nèi)人士透露，目前國(guó)家

臺(tái)積電增加本土晶圓耗材比例半導(dǎo)體設(shè)備及耗材股強(qiáng)勢(shì)上漲

臺(tái)股今收高68點(diǎn)，臺(tái)股連跌10個(gè)交易日及暌違7天后再重回季線，其中高價(jià)電子股聯(lián)發(fā)科、大立光和最大權(quán)值股臺(tái)積電穩(wěn)盤(pán)居功厥偉，專(zhuān)家指出，臺(tái)積電增加本土晶圓耗材比例，半導(dǎo)體設(shè)備及耗材股今強(qiáng)勢(shì)上漲，臺(tái)積電概念股中砂

半導(dǎo)體新政將出臺(tái) IC設(shè)計(jì)和封測(cè)制造或?qū)⑹芤?/a>

半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展新政有望年內(nèi)定稿出臺(tái)

近日，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)執(zhí)行副理事長(zhǎng)徐小田在中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)暨高峰論壇新聞發(fā)布會(huì)上發(fā)言表示，國(guó)家在支持集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)發(fā)展或有大手筆，新政策力度要遠(yuǎn)超“18號(hào)文件”。業(yè)內(nèi)人士透露，目前國(guó)家

LED應(yīng)用是塊體GaN市場(chǎng)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 Yole Développement預(yù)計(jì)，毫無(wú)疑問(wèn)，LED技術(shù)的市場(chǎng)份額將會(huì)超過(guò)傳統(tǒng)燈泡和光管業(yè)務(wù)。LED廠商最近發(fā)布的新聞(比如LED光效超過(guò)150lm/W)證明了LED性能已與傳統(tǒng)燈泡和光管差不多。塊體氮化鎵

LED行業(yè)2013年下半年市場(chǎng)報(bào)告分析

21ic訊 寬禁帶半導(dǎo)體是尖端軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心：相比于Si和GaAs材料，以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體憑借擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，能夠大幅提升電

集成電路發(fā)展專(zhuān)項(xiàng)扶持計(jì)劃將出

目前國(guó)家已經(jīng)確定將出臺(tái)政策扶持集成電路芯片行業(yè)，該計(jì)劃由工信部主導(dǎo)，目前已經(jīng)進(jìn)入攻堅(jiān)階段，在四季度方案有望定稿，并送交高層審批，正式發(fā)布時(shí)間可能稍晚。操作層面上，主要是從國(guó)家層面扶持企業(yè)加大資金投入。

辛耘Q3獲利增逾5成；明年制造事業(yè)撐正面展望

設(shè)備與再生晶圓供應(yīng)商辛耘(3583)今舉行法人說(shuō)明會(huì)揭露Q3營(yíng)運(yùn)成果，受再生晶圓和設(shè)備需求同增，辛耘Q3稅后盈余季增逾5成，前3季EPS并已突破2元達(dá)到2.05元。辛耘表示，盡管Q4期間的BB值(訂單出貨比)走勢(shì)難強(qiáng)，但隨著半

再生晶圓續(xù)滿載，辛耘10月?tīng)I(yíng)收增3.8%

設(shè)備與再生晶圓供應(yīng)商辛耘(3583)公告10月?tīng)I(yíng)收為2.69億元，因再生晶圓產(chǎn)出持續(xù)滿載、自制設(shè)備出貨亦有斬獲，單月?tīng)I(yíng)收月增3.8%、年增率則為46.6%。辛耘指出，Q4期間是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)入帳旺季，本季營(yíng)運(yùn)相對(duì)有撐，

Rubicon：2

發(fā)光二極體(LED)上游材料藍(lán)寶石基板供應(yīng)商Rubicon Technology, Inc.于29日美國(guó)股市收盤(pán)后公布2013年第3季(7-9月)財(cái)報(bào)：營(yíng)收季增4.7%至1,110萬(wàn)美元；受產(chǎn)品組合、產(chǎn)能利用率降低抵銷(xiāo)2-4寸藍(lán)寶石芯材價(jià)格上

臺(tái)積電工業(yè)：晶圓20nm已投產(chǎn)16nm正研發(fā)

訊：臺(tái)積電將在2014年初批量投產(chǎn)20nm工藝，并已完成多款產(chǎn)品的流片，而一年之后就會(huì)再量產(chǎn)16nm FinFET。今日臺(tái)積電又首次向公眾展示了這兩代工藝下的最新晶圓。這是20nm SoC工藝的晶圓。我們知道，臺(tái)積電的20n

華天科技年內(nèi)漲幅高達(dá)145.23%

■本報(bào)見(jiàn)習(xí)記者 喬川川集成電路在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、智能電視等新一代信息技術(shù)領(lǐng)域中面臨著前所未有的機(jī)遇及挑戰(zhàn)，集成電路是物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的基石，先進(jìn)的物聯(lián)網(wǎng)集成電路封裝技術(shù)可以進(jìn)一步提高電子信息產(chǎn)品的

臺(tái)積電晶圓展：20nm已投產(chǎn) 16nm正研發(fā)

臺(tái)積電將在2014年初批量投產(chǎn)20nm工藝，并已完成多款產(chǎn)品的流片，而一年之后就會(huì)再量產(chǎn)16nm FinFET。今日臺(tái)積電又首次向公眾展示了這兩代工藝下的最新晶圓。這是20nm SoC工藝的晶圓。我們知道，臺(tái)積電的20nm分為兩種版

4G芯片爆紅，臺(tái)星科旺到明年

測(cè)試廠臺(tái)星科（3265）攜手母公司星科金朋（STATS ChipPAC），成功囊括局端及終端4G晶片測(cè)試大單，第4季營(yíng)運(yùn)淡季不淡外，明年?duì)I收及獲利均將明顯優(yōu)于今年。 兩岸4G發(fā)照引爆數(shù)千億元以上基礎(chǔ)建設(shè)投資及智慧型手機(jī)采

Imec首次在300mm晶圓上實(shí)現(xiàn)三五族化合物FinFET器件

Imec Demonstrates World’s First III-V FinFET Devices Monolithically Integrated on 300mm Silicon Wafers Technology Achievement Marks Significant Step Towards Monolithic Heterogeneous Integration an

華天科技:單季經(jīng)常性凈利潤(rùn)增長(zhǎng)近五成,先進(jìn)封裝值得期待

事件:公司發(fā)布三季報(bào)。扣除一次性損失后凈利潤(rùn)增長(zhǎng)49%,毛利率在較高水平在前三季度,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入17.4 億元,同比增長(zhǎng)56%;實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)1.5 億元,同比增長(zhǎng)31%。三季度單季的營(yíng)收和凈利潤(rùn)分別為6.5 億元和4800 萬(wàn)元,同

4G芯片爆紅 臺(tái)星科旺到明年

測(cè)試廠臺(tái)星科（3265）攜手母公司星科金朋（STATS ChipPAC），成功囊括局端及終端4G晶片測(cè)試大單，第4季營(yíng)運(yùn)淡季不淡外，明年?duì)I收及獲利均將明顯優(yōu)于今年。 兩岸4G發(fā)照引爆數(shù)千億元以上基礎(chǔ)建設(shè)投資及智慧型手機(jī)采

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)朝著6吋LED晶圓自動(dòng)化生產(chǎn)方向挺進(jìn)

PAULA DOE指出，受市場(chǎng)需求影響，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于基于6吋晶圓的LED自動(dòng)化生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)漸漸達(dá)成一致。隨著市場(chǎng)對(duì)于高亮LED的需求大增，無(wú)晶圓廠在過(guò)去的五年里增加了100個(gè)，目前全球總數(shù)為169個(gè)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)外延片的生產(chǎn)規(guī)

半導(dǎo)體晶圓及封測(cè)等大廠資本支出高成長(zhǎng)

半導(dǎo)體龍頭廠臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年資本支出將達(dá)百億美元，維持高檔，隨著臺(tái)積電拉高20nm與16nm的產(chǎn)能，已要求合作夥伴擴(kuò)產(chǎn)，專(zhuān)家指出，半導(dǎo)體晶圓及封測(cè)等大廠資本支出高成長(zhǎng)，這帶動(dòng)近期半導(dǎo)體設(shè)備廠及耗材股表態(tài)大漲，今

半導(dǎo)體晶圓及封測(cè)等大廠資本支出高成長(zhǎng)

半導(dǎo)體龍頭廠臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年資本支出將達(dá)百億美元，維持高檔，隨著臺(tái)積電拉高20nm與16nm的產(chǎn)能，已要求合作夥伴擴(kuò)產(chǎn)，專(zhuān)家指出，半導(dǎo)體晶圓及封測(cè)等大廠資本支出高成長(zhǎng)，這帶動(dòng)近期半導(dǎo)體設(shè)備廠及耗材股表態(tài)大漲，今