CMOS邏輯高壓晶體管（富士通微電子）

富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通實驗室和富士通株式會社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無線設備的功率放大器。作為先進科技的先驅，富士通開發(fā)完成了世

IBM研發(fā)速度達26GHz的石墨烯晶體管

IBM宣布研發(fā)出號稱全世界速度最快的石墨烯(graphene)場效晶體管(FET)，可在26GHz頻率下運作。該公司Thomas J. Watson研究中心的研究人員并預測，碳元素更高的電子遷移率，可望使該種材料超越硅的極限，達到100GHz以上

英特爾完成下一代32納米芯片開發(fā)工作

據(jù)報道，英特爾公司完成了下一代制造工藝的開發(fā)工作，進一步把芯片電路縮小至32納米。英特爾計劃將于2009年第四季度推出基于高能效、更密集的晶體管的產品。 英特爾公司將于下周在舊金山舉行的國際電子器件會議（IE

科學家制成首個等離子晶體管

北京時間11月17日消息，據(jù)國外媒體報道，自從20世紀40年代晶體管出現(xiàn)以來，它一直是電腦和其他現(xiàn)代電子裝置的核心元件。晶體管的作用是接通、關閉或者增強電流，晶體管有各種形狀、大小和材質，這些主要根據(jù)它的用途

美國科學家制成首個等離子晶體管

計算機世界：石墨烯晶體管延續(xù)摩爾定律

眾所周知，根據(jù)半導體業(yè)著名的摩爾定律，芯片的集成度每18個月至2年提高一倍，即加工線寬縮小一半。人們普遍認為，這一定律還能延續(xù)10年。提出該定律的摩爾本人也曾公開表示，10年之后，摩爾定律將很難繼續(xù)有效，因為

芯片節(jié)能：由高性能到高效能引發(fā)變革

不知從何時起，芯片廠商將產品的宣傳語由“高性能”改成了“高效能”。“性能”在《現(xiàn)代漢語詞典》中的解釋是“機械或是其他工業(yè)制品對設計要求的滿足程度”，而“效能

臺積電明年32nm量產 22nm將2011年投產

根據(jù)臺積電最新技術藍圖，2009年32納米制程將放量生產，22納米制程則于2011年投產。臺積電研發(fā)副總孫元成指出，32納米制程之后晶體管成本快速增加，投入18吋(450mm)晶圓或許是進一步降低成本方法之一，但預計最快要

英特爾計劃在IEDM上推出32納米工藝

在即將舉行的2008年IEEE國際電子器件大會(IEDM)，英特爾公司計劃發(fā)布其最新的用在高性能處理器上的32納米工藝技術。 根據(jù)IEDM文件，英特爾公司建立了一個基本的32納米、291兆比特的SRAM陣列測試芯片，單元尺寸為0.17

晶體管熱阻測試系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)

晶體管雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路圖

常用的控制基極的晶體管電子繼電器

圖a為NPN型晶體管利用+Ec電源控制的電子繼電器。 圖b為NPN型晶體管接地控制電路。 圖c為PNP型晶體管利用-Ec控制的電子繼電器。 圖d是有自生偏壓的電子繼電器。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=e

晶體管放大倍數(shù)測試電路圖

晶體管fT挑選電路圖