晶體管
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IBM再創(chuàng)奇跡！碳納米管邁出取代硅第一步
藍色巨人IBM的科學家們再次展示了他們雄厚的科研實力：歷史上第一次，使用標準的主流半導體工藝，將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內，并通過了可行性測試。多年來，人們一直期望找到一種新
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IBM芯片技術研發(fā)獲新突破:碳納米管體積小
IBM芯片技術研發(fā)獲新突破:碳納米管體積小
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晶體管測光表電路圖
當太陽能電池受到光照時，產生的電壓使VT6導通。VT6的導通程度和光照強度成正比。VT6的導通電流在R1上產生壓降，VT1~VT5基極得到正向電壓，但由于信號的大小不同和VD1~VD4的降壓作用(0.6V)，會使VT1~VT5各基極所得正
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串聯型晶體管振蕩電路
串聯型晶體管振蕩電路
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并聯型晶體管振蕩電路的等效電路
并聯型晶體管振蕩電路的等效電路
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并聯型晶體管振蕩電路
并聯型晶體管振蕩電路
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摩爾定律何時會失效？
北京時間10月16日消息，據國外媒體報道，1965年，英特爾聯合創(chuàng)始人戈登·摩爾(GordonMoore)預測，計算機芯片的處理能力每兩年就會翻一番。盡管已經過去40多年，摩爾定律仍然有效。多年來，英特爾科技和制造集團副總裁
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彩電開關電源的分析
目前在電器中使用最多的電源就是開關穩(wěn)壓電源，彩電、平板電視、顯示器、D V D 等等，開關電源的故障率也是很高的，工作在大電流、高電壓、大功率狀態(tài)。一、開關電源使用率
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宜普公司開發(fā)板采用德州儀器公司專為驅動增強型氮化鎵晶體管而設的柵極驅動器
宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出采用增強型氮化鎵場效應晶體管的EPC9003及EPC9006開發(fā)板， 展示最新推出、專為驅動氮化鎵場效應晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅動器可幫助工程師簡單地及以低成本從硅器件轉用氮化鎵技術
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格羅方德 跟臺積電有拚
晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）來臺嗆聲，全球營銷暨業(yè)務執(zhí)行副總裁Michael Noonen表示，已正式推出結合14納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程的14nm-XM技術，協助客戶加快行動裝置芯片上市時間。格羅方德指出
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格羅方德：「3D鰭式晶體管」技術領先臺積電
晶圓代工大廠格羅方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鰭式晶體管（FinFET）導入的14納米元件，預計2013年試產，2014年量產，「已可直接與英特爾競爭」，技術層次更領先臺積電半個世代。 格羅方德由微處
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閱報秘書／3D鰭式晶體管
3D鰭式晶體管（FinFET）是1種新的互補式金氧半導體（CMOS）晶體管， 能讓芯片技術發(fā)展到10納米以下，晶圓代工業(yè)者若能擁有此技術，更能凸顯其優(yōu)勢與競爭力。 傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過閘門，只能選擇在閘門的一
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設備FinFET晶體管架構
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動設備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術。GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進一步拓展其頂尖的技術線路圖
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設備的FinFET晶體管架構
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動設備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進一步拓展其頂尖的技術線路
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設備的FinFET晶體管架構
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動設備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進一步拓展其頂尖的技術線路
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GF推出用于下一代移動設備晶體管架構
中國上海，2012年9月21日——GLOBALFOUNDRIES 推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進一步拓展其頂尖的技術線路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術將為客戶展現三維 “FinFET”晶體管的性能和功耗優(yōu)勢，不僅風
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英特爾14納米處理器2013年投產 10納米緊隨其后
英特爾公布了在2013年將14納米制程技術應用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術。在舊金山舉行的英特爾信息技術峰會，公司高級研究員MarkBohr表示技術路標展示了因特爾在
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英特爾14納米處理器2013年投產 10納米緊隨其后
英特爾公布了在2013年將14納米制程技術應用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術。在舊金山舉行的英特爾信息技術峰會，公司高級研究員MarkBohr表示技術路標展示了因特爾在
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英特爾14納米處理器2013年投產 10納米緊隨其后
英特爾14納米處理器2013年投產 10納米緊隨其后
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英特爾14納米處理器2013年投產 10納米緊隨其后
英特爾公布了在2013年將14納米制程技術應用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術。在舊金山舉行的英特爾信息技術峰會，公司高級研究員MarkBohr表示技術路標展示了因特爾在
