晶體管
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TSMC披露工藝計劃和資本支出
2012年第四季度，TSMC的營收已經有22% 來自28納米業(yè)務, 40 納米的業(yè)務也約占22%。 TSMC計劃在2013年1月實現(xiàn)20nm SoC工藝的小批量試產。預計2013年11月，16nm的FinFET 3D晶體管的工藝將開始試產。 資本支出方面
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雷聲大雨點?。縂lobalFoundries稱2015年實現(xiàn)真正的10nm
GlobalFoundries雖然也承認自己遇到了一些問題，但并不妨礙對美好前景的展望，比如10nm工藝，就號稱會在2015年實現(xiàn)，而且是真正的10nm。GlobalFoundries執(zhí)行副總裁Mike Noonen在通用平臺論壇會議上很內疚地說，該公司
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那些開創(chuàng)未來的十年：晶體管計算機（1951-1960）
今天的連載把我們帶回到1951-1960年代，這個時候計算機從真空管轉向了晶體管，出現(xiàn)了第一張實現(xiàn)數(shù)字掃描的照片，呼啦圈為塑料開辟了一個全新的市場。 1953年：晶體管計算機(計算機) 40年代的時候，計算機成為
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TSMC披露工藝計劃和資本支出
2012年第四季度，TSMC的營收已經有22% 來自28納米業(yè)務, 40 納米的業(yè)務也約占22%。TSMC計劃在2013年1月實現(xiàn)20nm SoC工藝的小批量試產。預計2013年11月，16nm的FinFET 3D晶體管的工藝將開始試產。資本支出方面，2012年
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Samsung ：也來看看我們的14nm晶圓吧
通用平臺技術論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對Cortex-A15的貢獻， Samsung 也擺出了自己的14nm晶圓。和Intel、IBM(還有臺積電16nm)一樣
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仙童和創(chuàng)造硅谷的人們
美國印象欄目(American Experience)新拍攝的紀錄片《硅谷》(Silicon Valley)將視線聚焦于“叛逆的八人”(Traitorous Eight)，這些人離開肖克利半導體實驗室(Shockley Semiconductor)創(chuàng)立了仙童半導體公司(Fairchild
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那些開創(chuàng)未來的十年：晶體管計算機（1951-1960）
今天的連載把我們帶回到1951-1960年代，這個時候計算機從真空管轉向了晶體管，出現(xiàn)了第一張實現(xiàn)數(shù)字掃描的照片，呼啦圈為塑料開辟了一個全新的市場。1953年：晶體管計算機(計算機)40年代的時候，計算機成為現(xiàn)實，但它
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音樂VT66系列晶體管形音樂集成電路
音樂VT66系列晶體管形音樂集成電路
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Samsung ：也來看看我們的14nm晶圓吧
通用平臺技術論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對Cortex-A15的貢獻， Samsung 也擺出了自己的14nm晶圓。 和Intel、IBM(還有臺積電16nm)一
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三星：也來看看我們的14nm晶圓吧
通用平臺技術論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對Cortex-A15的貢獻，三星也擺出了自己的14nm晶圓。和Intel、IBM(還有臺積電16nm)一樣，三星
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利用阻性負載增強LNA穩(wěn)定性(下)
本文提出了一個預測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。 后續(xù)小節(jié)中的結果可從Friis噪聲方程
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利用阻性負載增強LNA穩(wěn)定性(中)
本文提出了一個預測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。 對于微波放大器噪聲性能經常是一個
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利用阻性負載增強LNA穩(wěn)定性(上)
本文提出了一個預測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。 設計一個有效的低噪聲放大
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制作50W晶體管功放電路
此功法電路可謂一裝即成，特別適合初學者制作。這款功放一聲道只需17個零件，卻收到了意想不到的效果，還音效果真實，頻響平直，解析力高，且功率可以達到50W。具體電路如圖(只畫出一聲道)，全機用1/2W電阻，C2和C4用
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GlobalFoundries 20nm/14nm晶圓亮劍
GlobalFoundries的工藝進展緩慢一直備受詬病，也坑壞了AMD，不過人家也在一直努力爭取，并屢屢向外界展示自己的進展。近日，GlobalFoundries又首次公開了20nm、14nm工藝的晶圓實物。 不過，GlobalFoundries并未
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GlobalFoundries 20nm/14nm晶圓亮劍
GlobalFoundries的工藝進展緩慢一直備受詬病，也坑壞了AMD，不過人家也在一直努力爭取，并屢屢向外界展示自己的進展。近日，GlobalFoundries又首次公開了20nm、14nm工藝的晶圓實物。不過，GlobalFoundries并未提供多
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三星與Synopsys實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術上的多年合作已經實現(xiàn)了一個關鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實現(xiàn)了首款測試芯片的流片。雖然FinFET工藝較傳統(tǒng)的平面工藝在功耗與性能上明
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三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
亮點：該里程碑有助于加速對FinFET技術的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片(SoC)該合作為3D器件建模和物理設計規(guī)則支持奠定了基礎測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲器的
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三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
加利福尼亞州山景城，2013年1月— 亮點： ? 該里程碑有助于加速對FinFET技術的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片（SoC） ? 該合作為3D器件建模和物理設計規(guī)則支持奠定了基礎 ? 測試芯片驗證了FinFET工藝和
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美開發(fā)出迄今最小砷化銦鎵晶體管
硅半導體作為微芯片之王的日子已經屈指可數(shù)了，據(jù)物理學家組織網(wǎng)近日報道，美國麻省理工學院科學家開發(fā)出了有史以來最小的砷化銦鎵晶體管。該校微系統(tǒng)技術實驗室科研團隊開發(fā)的這個復合晶體管，長度僅為22納米。研究
