嵌入式閃存

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宏力半導(dǎo)體發(fā)布0.13微米嵌入式閃存制程

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專(zhuān)注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程。宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對(duì)準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身

消費(fèi)電子
2009-08-13

半導(dǎo)體微米嵌入式閃存半導(dǎo)體制造
宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專(zhuān)注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程。宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對(duì)準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身

消費(fèi)電子
2009-08-11

BSP 半導(dǎo)體微米嵌入式閃存
宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專(zhuān)注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程。宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對(duì)準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身的

模擬
2009-08-11

低功耗半導(dǎo)體微米嵌入式閃存
宏力半導(dǎo)體發(fā)布0.13微米嵌入式閃存制程

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，發(fā)布其先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程。宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對(duì)準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù)。該授權(quán)閃存技術(shù)具有單元尺寸

智能硬件
2009-08-07

低功耗半導(dǎo)體微米嵌入式閃存
臺(tái)積電完成0.18微米快閃新制程認(rèn)證 Q3量產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品

臺(tái)積電日前宣布完成0.18微米嵌入式閃存(0.18-micron embFlash)制程認(rèn)證，此制程因有低漏電的特性，因此適用于手持式裝置與汽車(chē)電子等芯片應(yīng)用上，有助于臺(tái)積電爭(zhēng)取更多新客戶(hù)，預(yù)計(jì)今年第3季就可以量產(chǎn)。臺(tái)積電目前

模擬
2009-04-02

Flash 臺(tái)積電微米嵌入式閃存
華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝取得進(jìn)一步成果

純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”）日前宣布，與多家智能卡行業(yè)龍頭設(shè)計(jì)公司的合作順利進(jìn)行?；谌A虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝（“EF130”）生產(chǎn)的SIM卡產(chǎn)品完成產(chǎn)品的可靠性測(cè)試

消費(fèi)電子
2008-11-05

華虹 NEC 微米嵌入式閃存
IBM獲英飛凌130納米嵌入式閃存工藝使用許可

IBM獲英飛凌130納米嵌入式閃存工藝使用許可

嵌入式動(dòng)態(tài)
2008-01-07

英飛凌 IBM 晶圓代工嵌入式閃存
臺(tái)積電將銅工藝引入0.13微米嵌入式閃存芯片

臺(tái)積電將銅工藝引入0.13微米嵌入式閃存芯片

嵌入式動(dòng)態(tài)
2007-08-20

臺(tái)積電閃存芯片微米嵌入式閃存
技術(shù)、產(chǎn)能齊發(fā)力，宏力半導(dǎo)體2007年可望繼續(xù)快跑

海宏力半導(dǎo)體制造有限公司近日宣布，在過(guò)去的2006年，其晶圓出貨量和營(yíng)業(yè)額較2005年的增長(zhǎng)率均超過(guò)100%。2007年伊始，在半導(dǎo)體行業(yè)普遍低迷的情況下，宏力依然延續(xù)06年第四季度的增長(zhǎng)勢(shì)頭，產(chǎn)能利用持續(xù)滿(mǎn)載，且

消費(fèi)電子
2007-03-19

BSP 半導(dǎo)體微米嵌入式閃存
英特爾擴(kuò)展NOR閃存產(chǎn)品線看好數(shù)十億美元嵌入式閃存市場(chǎng)

英特爾有限公司今天宣布, 將擴(kuò)展其N(xiāo)OR閃存產(chǎn)品線，以滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的數(shù)十億美元嵌入式市場(chǎng)的需要。英特爾公司計(jì)劃引入3伏（3V）版本的英特爾StrataFlash®嵌入式存儲(chǔ)架構(gòu)。英特爾還透露,將以首款串行外圍接口（Ser

消費(fèi)電子
2006-06-09

閃存市場(chǎng) 英特爾 NOR閃存嵌入式閃存
Infineon 130納米嵌入式閃存微控制器實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

Infineon 130納米嵌入式閃存微控制器實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

嵌入式動(dòng)態(tài)
2006-04-09

微控制器 TC INFINEON 嵌入式閃存

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嵌入式閃存

宏力半導(dǎo)體發(fā)布0.13微米嵌入式閃存制程

宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程

宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程

宏力半導(dǎo)體發(fā)布0.13微米嵌入式閃存制程

臺(tái)積電完成0.18微米快閃新制程認(rèn)證 Q3量產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品

華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝取得進(jìn)一步成果

IBM獲英飛凌130納米嵌入式閃存工藝使用許可

臺(tái)積電將銅工藝引入0.13微米嵌入式閃存芯片

技術(shù)、產(chǎn)能齊發(fā)力，宏力半導(dǎo)體2007年可望繼續(xù)快跑

英特爾擴(kuò)展NOR閃存產(chǎn)品線看好數(shù)十億美元嵌入式閃存市場(chǎng)

Infineon 130納米嵌入式閃存微控制器實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

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