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TSMC發(fā)布0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產權
TSMC 日前宣布推出0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產權，是TSMC第二代符合AEC-Q100產品高規(guī)格認證之硅知識產權，適用于廣泛的車用電子產品。TSMC 0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產權與0.25微米嵌入式閃存硅知識產權相較
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TSMC發(fā)布0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產權
TSMC27日宣布推出0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產權，是TSMC第二代符合AEC-Q100產品高規(guī)格認證之硅知識產權，適用于廣泛的車用電子產品。TSMC0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產權與0.25微米嵌入式閃存硅知識產權相較，
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TSMC發(fā)布0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產權
TSMC 27日宣布推出0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產權，是TSMC第二代符合AEC-Q100產品高規(guī)格認證之硅知識產權，適用于廣泛的車用電子產品。TSMC 0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產權與0.25微米嵌入式閃存硅知識產權相較
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臺積電0.25微米車用嵌入式閃存出貨已達60萬片8吋晶圓
隨著景氣復蘇，汽車電子產業(yè)恢復活絡景況，IC業(yè)者持續(xù)耕耘商機潛力十足的汽車電子領域。著眼于此，臺積電近年來亦持續(xù)發(fā)展相關制程，并略有斬獲。該公司宣布符合汽車電子的0.25微米嵌入式閃存制程，累積出貨量已達到
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宏力推出客戶定制嵌入式閃存IP設計服務
上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一， 開發(fā)了其針對不同應用的多樣化設計方案。基于該設計方案，客戶可在宏力半導體經過硅驗證的技術平臺上進行設計，從而更為有
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ST發(fā)布55nm嵌入式閃存制造工藝
意法半導體發(fā)布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項先進技術。目前，意法半導體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進行這項技術的升級換代工作
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ST發(fā)布55nm嵌入式閃存制造工藝
意法半導體發(fā)布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項先進技術。目前，意法半導體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進行這項技術的升級換代工作
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ST發(fā)布55nm嵌入式閃存制造工藝
意法半導體發(fā)布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項先進技術。目前，意法半導體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進行這項技術的升級換代工作
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專訪上海宏力總裁烏里斯舒馬赫
編者點評（莫大康 SEMI China顧問）：宏力作為中國一家著名的8英寸代工廠，由于未上市，之前對于它的了解有點不足。今天通過EE Times歐洲采訪到其首席運營官烏里斯舒馬赫。通過它的直言我們對于宏力有了一些新的認識
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英飛凌與TSMC擴展技術與生產合作協議
英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產領域擴大合作，攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應用的65納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。根據該項協議，英飛凌與臺積
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英飛凌與TSMC擴展技術與生產合作協議
英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司日前共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產領域擴大合作，攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應用的65納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。根據該項協議，英飛凌與
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英飛凌攜手臺積電開發(fā)65納米嵌入式閃存工藝
英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司今日共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產領域擴大合作，攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應用的65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。根據該項協議，英飛凌與臺積
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宏力半導體首度技術論壇 客戶積極參與場面爆棚
國內知名的晶圓代工廠上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體) 日前在上?？偛颗e辦了自2003年投片生產以來的首次技術論壇。此次論壇得到了宏力半導體客戶的積極支持，不僅上海客戶踴躍參加，更有多家北京、深圳和華
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宏力半導體在上海舉行首度技術論壇
國內知名的晶圓代工廠上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體) 日前在上?？偛颗e辦了自2003年投片生產以來的首次技術論壇。此次論壇得到了宏力半導體客戶的積極支持，不僅上海客戶踴躍參加，更有多家北京、深圳和華
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宏力半導體發(fā)布0.13微米嵌入式閃存制程
上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一，發(fā)布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。 宏力半導體的新0.13微米嵌入式閃存制程結合了其已經量產的自對準分柵閃存技術和自身
