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臺積電完成0.18微米快閃新制程認證 Q3量產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品

時間：2009-04-02 12:49:43

關(guān)鍵字：臺積電微米嵌入式閃存 Flash

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[導(dǎo)讀]臺積電日前宣布完成0.18微米嵌入式閃存(0.18-micron embFlash)制程認證，此制程因有低漏電的特性，因此適用于手持式裝置與汽車電子等芯片應(yīng)用上，有助于臺積電爭取更多新客戶，預(yù)計今年第3季就可以量產(chǎn)。臺積電目前

臺積電日前宣布完成0.18微米嵌入式閃存(0.18-micron embFlash)制程認證，此制程因有低漏電的特性，因此適用于手持式裝置與汽車電子等芯片應(yīng)用上，有助于臺積電爭取更多新客戶，預(yù)計今年第3季就可以量產(chǎn)。

臺積電目前已經(jīng)擁有0.25微米到90奈米的嵌入式閃存制程技術(shù)，過去在相關(guān)市場也都有提供服務(wù)，也已貢獻營收。而目前因看好模擬、功率、汽車電子等芯片市場，因此增加及更新了0.18微米的相關(guān)技術(shù)，希望能替既有客戶提供服務(wù)，同時也爭取相關(guān)新客戶。

臺積電指出，0.18-micron embFlash制程不僅可擴充臺積電在相關(guān)市場的產(chǎn)品線，且該制程只需要用到 7層的光罩，目前就可在臺積3廠量產(chǎn)投片。

此外，臺積電0.18微米超低漏電嵌入式閃存制程也瞄準省電的手持裝置內(nèi)建處理器等芯片；在 1.8伏特電壓下，可較標準化制程減少95%的漏電；且此制程閃存IP將可在待機電流下減少 80%耗能，以及在有效電流下減少60%耗能，預(yù)計今年第3季就可提供客戶量產(chǎn)。

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