封裝技術(shù)

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挑戰(zhàn)下一代印刷電路板封裝　陣列組態(tài)基板嶄露頭角

業(yè)界已逐漸考慮擺脫傳統(tǒng)的引線封裝，接受結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜的陣列組態(tài)基板封裝技術(shù)，卻也面臨先天性散熱、高密度等挑戰(zhàn)，若能克服困難，這個(gè)下一世代的封裝技術(shù)可望提升眾多應(yīng)用元件的整體效能，展現(xiàn)封裝技術(shù)新契機(jī)。電

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2011-02-14

印刷電路板基板封裝封裝技術(shù)
探討新型微電子封裝技術(shù)

　1 前言　　本文試圖綜述自二十世紀(jì)九十年代以來(lái)迅速發(fā)展的新型微電子封裝技術(shù)，包括焊球陣列封裝(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、圓片級(jí)封裝(WLP)、三維封裝(3D)和系統(tǒng)封裝(SIP)等項(xiàng)技術(shù)。介紹它們的發(fā)展?fàn)顩r和技術(shù)特點(diǎn)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-02-09

芯片封裝微電子封裝基板封裝技術(shù)
面板、被動(dòng)組件廠擴(kuò)產(chǎn)不斷　萬(wàn)潤(rùn)2Q營(yíng)收優(yōu)于首季

設(shè)備廠萬(wàn)潤(rùn)表示，由于面板廠擴(kuò)產(chǎn)集中于下半年裝機(jī)，預(yù)估第3季將會(huì)是營(yíng)收高峰，帶動(dòng)整體下半年?duì)I收走高，目前來(lái)看，第2季由于被動(dòng)組件廠擴(kuò)產(chǎn)，帶動(dòng)訂單涌入，預(yù)期第2季營(yíng)收將優(yōu)于首季。萬(wàn)潤(rùn)指出，第1季受惠于被動(dòng)

顯示光電
2011-01-24

面板廠 LED 組件封裝技術(shù)
DRAM封測(cè)制程沿革

李洵穎 DRAM的世代交替帶動(dòng)了先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展，以往DDR DRAM及利基型SDRAM產(chǎn)品，其封裝型態(tài)均為超薄小型晶粒承載封裝(TSOP)，自DDR2產(chǎn)品封裝型態(tài)已改變?yōu)殚l球陣列封裝(BGA)，延續(xù)至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代

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2011-01-04

DRAM SDRAM DDR3 封裝技術(shù)
中國(guó)LED發(fā)展需突破封裝難題

近年來(lái)LED產(chǎn)業(yè)開始逐漸從喧囂的照明革命中冷靜下來(lái)，中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展日趨成熟和理智。發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光效能也在過(guò)往的十年間已大幅提升，從過(guò)去的20流明每瓦增加到最近的150流明每瓦，當(dāng)前高功率LED已達(dá)到適用于

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-20

LED LED封裝封裝封裝技術(shù)
中國(guó)LED照明革命實(shí)質(zhì)上就是“封裝大戰(zhàn)”

近年來(lái)LED產(chǎn)業(yè)開始逐漸從喧囂的照明革命中冷靜下來(lái)，中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展日趨成熟和理智。發(fā)光二極管（LED）的發(fā)光效能也在過(guò)往的十年間已大幅提升，從過(guò)去的20流明每瓦增加到最近的150流明每瓦，當(dāng)前高功率LED已達(dá)到適用

顯示光電
2010-12-20

LED封裝 LED照明封裝封裝技術(shù)
2010年全球半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)盤點(diǎn)

2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來(lái)有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅引線

半導(dǎo)體
2010-12-15

DRAM 爾必達(dá) 半導(dǎo)體封裝封裝技術(shù)
LED照明進(jìn)入快速發(fā)展

LED照明將成為第二個(gè)帶動(dòng)LED行業(yè)迅速成長(zhǎng)的應(yīng)用產(chǎn)品。LED行業(yè)的爆發(fā)性成長(zhǎng)源于多年來(lái)的市場(chǎng)培養(yǎng)和技術(shù)累計(jì)，根據(jù)DIGITIMESResearch最新統(tǒng)計(jì)，高亮度LED市場(chǎng)規(guī)模將由2010年82.5億美元，成長(zhǎng)至2011年的126億美元，年成

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-15

LED照明 LED行業(yè) DIGI 封裝技術(shù)
2010年半導(dǎo)體封裝年度總結(jié)

2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來(lái)有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。 2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅

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2010-12-15

DRAM 爾必達(dá) 半導(dǎo)體封裝封裝技術(shù)
2010年半導(dǎo)體封裝盤點(diǎn)

2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來(lái)有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅引線鍵

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-14

DRAM 爾必達(dá) 半導(dǎo)體封裝封裝技術(shù)
2010年半導(dǎo)體封裝盤點(diǎn)：低成本的銅引線鍵合引人注目

2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來(lái)有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅引線

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2010-12-14

DRAM 爾必達(dá) 半導(dǎo)體封裝封裝技術(shù)
2種新型的芯片封裝技術(shù)介紹

在計(jì)算機(jī)內(nèi)存產(chǎn)品工藝中，內(nèi)存的封裝技術(shù)是內(nèi)存制造工藝中最關(guān)鍵一步，采用不同封裝技術(shù)的內(nèi)存條，在性能上存在較大差距。只有高品質(zhì)的封裝技術(shù)才能生產(chǎn)出完美的內(nèi)存產(chǎn)品。本文就主要介紹兩種新型封裝技術(shù)--BLP和Tin

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2010-12-13

芯片封裝 TINY SOP封裝封裝技術(shù)
半導(dǎo)體封裝篇：低成本的銅引線鍵合引人注目

2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來(lái)有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。 2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅

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2010-12-13

DRAM 爾必達(dá) 半導(dǎo)體封裝封裝技術(shù)
金、銅線封裝價(jià)差拉大　低階產(chǎn)品快速往銅制程靠攏

黃金期貨價(jià)格續(xù)攀新高，一度挑戰(zhàn)歷史新高價(jià)位，而銅價(jià)則處于檔震溫格局。對(duì)封裝業(yè)而言，銅價(jià)相對(duì)穩(wěn)定，金價(jià)持續(xù)飆升，將影響封裝毛利，預(yù)期金線和銅線封裝價(jià)格差異幅度拉大，從過(guò)去15%將拉大到25%；同時(shí)，金漲銅穩(wěn)的

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2010-12-09

引腳 QFN 封裝封裝技術(shù)
功率型白光LED封裝技術(shù)發(fā)展的四個(gè)趨勢(shì)

1996年，Nichia公司的Nakamura等首次使用藍(lán)光led結(jié)合黃色熒光粉轉(zhuǎn)化合成了白光LED。他所采用的黃色熒光粉為Y3Al5O12:Ce3+(簡(jiǎn)稱YAG:Ce3+)，這種熒光粉在470nm波段附近有較強(qiáng)的寬帶吸收，然后激發(fā)出540nm附近的黃光，L

顯示光電
2010-12-06

熒光粉 LED封裝白光LED 封裝技術(shù)
傳富士通半導(dǎo)體將先端封裝技術(shù)移往大陸

據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，富士通(FujitsuLtd.)集團(tuán)旗下半導(dǎo)體子公司富士通半導(dǎo)體(FujitsuSemiconductor;原名為富士通微電子)計(jì)劃于今(2010)年內(nèi)將采用先端半導(dǎo)體封裝技術(shù)的日本三重工廠部份生產(chǎn)設(shè)備移至中國(guó)大陸相關(guān)公司&ldq

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-02

半導(dǎo)體富士通微電子封裝技術(shù)
富士通半導(dǎo)體傳擬將先端封裝技術(shù)移往大陸

日經(jīng)新聞27日?qǐng)?bào)導(dǎo)，富士通(Fujitsu Ltd.)集團(tuán)旗下半導(dǎo)體子公司富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor；原名為富士通微電子)計(jì)劃于今(2010)年內(nèi)將采用先端半導(dǎo)體封裝技術(shù)的日本三重工廠部份生產(chǎn)設(shè)備移至中國(guó)大陸相關(guān)公

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2010-11-29

半導(dǎo)體富士通微電子封裝技術(shù)
臺(tái)封裝大廠決戰(zhàn)制程

臺(tái)系一線封測(cè)廠不僅致力于銅制程競(jìng)賽，亦兼顧高階封裝技術(shù)，由于電子產(chǎn)品大吹輕薄風(fēng)，功能益趨多元復(fù)雜，半導(dǎo)體高階制程備受青睞，使得高密度封裝技術(shù)包括晶圓級(jí)封裝(WLP)、層迭式封裝(PoP)、多芯片封裝(MCP)等，成為

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-11-28

晶圓芯片封裝封裝封裝技術(shù)
臺(tái)封裝大廠決戰(zhàn)制程　鑄造搶市利器

臺(tái)系一線封測(cè)廠不僅致力于銅制程競(jìng)賽，亦兼顧高階封裝技術(shù)，由于電子產(chǎn)品大吹輕薄風(fēng)，功能益趨多元復(fù)雜，半導(dǎo)體高階制程備受青睞，使得高密度封裝技術(shù)包括晶圓級(jí)封裝(WLP)、層迭式封裝(PoP)、多芯片封裝(MCP)等，成為

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2010-11-26

晶圓芯片封裝封裝封裝技術(shù)
封裝技術(shù)進(jìn)入3D IC時(shí)代　臺(tái)灣硅穿孔市場(chǎng)潛力足

隨著封裝技術(shù)未來(lái)將進(jìn)入3D IC時(shí)代，半導(dǎo)體封裝專利授權(quán)廠商Tessera認(rèn)為，若臺(tái)灣廠商可掌握3D IC趨勢(shì)，并結(jié)合臺(tái)灣集中的IC產(chǎn)業(yè)鏈，3D IC技術(shù)將有機(jī)會(huì)領(lǐng)先全球。其中硅穿孔(TSV)挾著成本便宜等優(yōu)勢(shì)，未來(lái)成長(zhǎng)潛力十足，

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2010-11-19

IC TE SE 封裝技術(shù)

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封裝技術(shù)

挑戰(zhàn)下一代印刷電路板封裝　陣列組態(tài)基板嶄露頭角

探討新型微電子封裝技術(shù)

面板、被動(dòng)組件廠擴(kuò)產(chǎn)不斷　萬(wàn)潤(rùn)2Q營(yíng)收優(yōu)于首季

DRAM封測(cè)制程沿革

中國(guó)LED發(fā)展需突破封裝難題

中國(guó)LED照明革命實(shí)質(zhì)上就是“封裝大戰(zhàn)”

2010年全球半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)盤點(diǎn)

LED照明進(jìn)入快速發(fā)展

2010年半導(dǎo)體封裝年度總結(jié)

2010年半導(dǎo)體封裝盤點(diǎn)

2010年半導(dǎo)體封裝盤點(diǎn)：低成本的銅引線鍵合引人注目

2種新型的芯片封裝技術(shù)介紹

半導(dǎo)體封裝篇：低成本的銅引線鍵合引人注目

金、銅線封裝價(jià)差拉大　低階產(chǎn)品快速往銅制程靠攏

功率型白光LED封裝技術(shù)發(fā)展的四個(gè)趨勢(shì)

傳富士通半導(dǎo)體將先端封裝技術(shù)移往大陸

富士通半導(dǎo)體傳擬將先端封裝技術(shù)移往大陸

臺(tái)封裝大廠決戰(zhàn)制程

臺(tái)封裝大廠決戰(zhàn)制程　鑄造搶市利器

封裝技術(shù)進(jìn)入3D IC時(shí)代　臺(tái)灣硅穿孔市場(chǎng)潛力足

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