存儲器
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三星SK中國半導(dǎo)體工廠“無異?！?免遭中美貿(mào)易戰(zhàn)打擊
三星電子與SK海力士在中國生產(chǎn)的半導(dǎo)體免受中美兩國貿(mào)易戰(zhàn)打擊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)界最新消息，特朗普政府日前宣布計(jì)劃對1333種中國商品征收25%關(guān)稅，但其中不包括閃存與DRAM存儲器。
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外媒：中國已成為全球最大半導(dǎo)體后道工序市場，增長23.4%
SEMI近日宣布，中國半導(dǎo)體后道工序使用的封裝設(shè)備和材料的市場規(guī)模2017年同比增長23.4%，達(dá)到290億美元。由于政府投入巨資，培育半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，中國目前已成為全球半導(dǎo)體最大后道工序市場。
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韓國央行表示半導(dǎo)體需求依舊熱絡(luò)，廠商應(yīng)重非存儲器市場
有史以來維持最大成長周期的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，未來會再繼續(xù)成長嗎?這答案恐怕是肯定的。因?yàn)?，近日韓國央行在 8 日所發(fā)出的報(bào)告指稱，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)勁需求趨勢仍會持續(xù)一年，并且呼吁韓國本土的半導(dǎo)體制造商仍應(yīng)當(dāng)重點(diǎn)關(guān)注非存儲器產(chǎn)品的生產(chǎn)，以為未來的發(fā)展做好準(zhǔn)備。
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在NAND FLASH上建立YAFFS2文件系統(tǒng)
我們常說的閃存其實(shí)只是一個籠統(tǒng)的稱呼，準(zhǔn)確地說它是非易失隨機(jī)訪問存儲器(NVRAM)的俗稱，特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。閃存也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。
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復(fù)旦大學(xué)開創(chuàng)研發(fā)第三類存儲技術(shù)
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)近日實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，解決了國際半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間今天凌晨，相關(guān)工作以《用于準(zhǔn)非易失應(yīng)用的范德瓦爾斯結(jié)構(gòu)半浮柵存儲》為題在線發(fā)表于《自然·納米技術(shù)》。
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FSMC知識詳解，以及驅(qū)動TFTLCD原理
FSMC:靈活的靜態(tài)存儲控制器，能夠與同步或異步存儲器和16位PC存儲器卡連接，STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲器。
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DC/DC電源模塊的常見故障大盤點(diǎn)
目前不同的供應(yīng)商在市場上推出多種不同的電源模塊，而不同產(chǎn)品的輸入電壓、輸出功率、功能及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)等都各不相同。其特點(diǎn)是可為專用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。電源模塊雖然可靠性比較高，但有時也可能發(fā)生故障。下面北京穩(wěn)固得電子有限公司電源開發(fā)工程師為大家整理了DC/DC電源模塊的幾種常見故障。
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快閃存儲器背后的學(xué)問，如何正確選擇合適控制器
從智能手機(jī)、筆記型電腦、以及與各種云端應(yīng)用相關(guān)的服務(wù)器，快閃存儲器儲存已經(jīng)在我們的現(xiàn)實(shí)世界中無處不在?？扉W存儲器技術(shù)已經(jīng)如此普遍，我們大多數(shù)人甚至都沒有意識到快閃存儲器技術(shù)本質(zhì)上并不是一種可靠的儲存媒介。實(shí)際上，快閃存儲器單元的使用壽命有限，快閃存儲器的特性意味著需要強(qiáng)大的磨損平衡(Wear-Leveling)技術(shù)以便使其有更好的性能表現(xiàn)。
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一文讀懂存儲器發(fā)展史
近日，國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會批準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法》等 20 項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，并予以公布。據(jù)悉，這 20 項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)將于 2018 年 8 月 1 日實(shí)施。
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詳解存儲器和儲存的概念區(qū)別
目前最廣泛使用的數(shù)字儲存裝置是硬盤(HDD)，但它受歡迎的程度正迅速下滑…數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)儲存正歷經(jīng)強(qiáng)大的成長態(tài)勢，2016年即已增加到超過10,000艾位元組(Exabyte;EB)或10皆
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瀾起采用Kilopass反熔絲非易失性存儲器OTP IP
Kilopass Anti-Fuse NVM OTP IP被瀾起科技采用以瞄準(zhǔn)新興市場環(huán)境之新一代機(jī)頂盒芯片Kilopass的反熔絲非易失性存儲器OTP IP提供HDMI和條件接收安全密鑰防黑客篡改存儲器，以
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詳解嵌入式存儲器的過去與現(xiàn)在
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
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為汽車音頻提供更大存儲器的ADI最新DSP方案
與其他DSP器件相比，ADAU146x系列具有無與倫比的并行處理性能、靈活性和系統(tǒng)可擴(kuò)展性。經(jīng)濟(jì)高效的150 MHz和300 MHz DSP內(nèi)核為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了另一種選擇，以滿足傳統(tǒng)應(yīng)
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一站式的非揮發(fā)性存儲器讓低容量快閃存儲器重現(xiàn)商機(jī)
2017年的存儲器芯片價格是漲翻了，無論是DRAM或是各式快閃存儲器全部都漲，全球前十大半導(dǎo)體廠商中，有5家從事存儲器芯片的設(shè)計(jì)與制造業(yè)務(wù)，產(chǎn)值都水漲船高，基本上都是美國
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DRAM價格同比暴漲47%，手機(jī)廠商都開始退縮了
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights最新研究顯示，在1978年至2012年的34年間，DRAM每位元(bit)價格平均每年下跌33%。然而，從2012年到2017年，DRAM平均每位元價格下跌僅為每年3%。此外，2017年全年DRAM價格漲幅達(dá)到47%，是自1978年以來最大的年度漲幅，超過了1988年30年前的45%漲幅。
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為汽車音頻提供更大存儲器的ADI最新DSP方案
與其他DSP器件相比，ADAU146x系列具有無與倫比的并行處理性能、靈活性和系統(tǒng)可擴(kuò)展性。經(jīng)濟(jì)高效的150 MHz和300 MHz DSP內(nèi)核為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了另一種選擇，以滿足傳統(tǒng)應(yīng)
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僅U盤大??！威剛新款SATA存儲器發(fā)布：讀取可達(dá)300MB/s
2018年2月7日，威剛推出一款適用于臺式機(jī)、小型計(jì)算機(jī)、工業(yè)計(jì)算機(jī)的SATA 7針存儲器——ISMS331，該存儲器體積非常小巧，僅普通U盤大小。
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新增產(chǎn)能能不能跟上連續(xù)上漲的存儲器價格？
記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出，記憶體價格連漲六季，數(shù)家中國智慧機(jī)品牌不堪成本壓力，去年中國對三星半導(dǎo)體表達(dá)不滿，進(jìn)一步造成第1季行動式記憶體漲幅收斂。
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清華大學(xué)攜手兆易創(chuàng)新于IEDM發(fā)表阻變存儲器論文
12月2-6日，第63屆國際電子器件大會(International Electron Devices Meeting, IEDM)在美國加州舊金山舉行，清華大學(xué)微納電子系吳華強(qiáng)課題組的2篇文章入選其列，分別題為&
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國內(nèi)存儲器項(xiàng)目建設(shè)火熱 亟需制定預(yù)警機(jī)制
存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗(yàn)來看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè)，同時也是一個高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江
