半導(dǎo)體材料
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半導(dǎo)體材料全面喊漲
日本政府要求關(guān)閉濱岡核電廠，讓復(fù)工中的日本半導(dǎo)體材料供應(yīng)商雪上加霜。業(yè)界指出，日本夏日電力不足將導(dǎo)致材料供給低于預(yù)期，包括矽晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導(dǎo)體材料漲勢(shì)確立，第2、第3季漲幅恐將達(dá)20~30％。日本關(guān)
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日本關(guān)閉濱岡核電廠 半導(dǎo)體材料全面喊漲
日本政府要求關(guān)閉濱岡核電廠，讓復(fù)工中的日本半導(dǎo)體材料供貨商雪上加霜。業(yè)界指出，日本夏日電力不足將導(dǎo)致材料供給低于預(yù)期，包括硅晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導(dǎo)體材料漲勢(shì)確立，第2、第3季漲幅恐將達(dá)20~30％。日本
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日本電力供應(yīng)短缺致半導(dǎo)體材料漲價(jià)聲起
日本政府要求關(guān)閉濱岡核電廠，這將讓復(fù)工中的日本半導(dǎo)體材料供應(yīng)商雪上加霜。分析人士指出，由濱岡核電廠關(guān)閉而引起的日本東北部夏日電力供應(yīng)不足，將導(dǎo)致包括硅晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導(dǎo)體材料必然漲價(jià)，第二、三
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半導(dǎo)體供應(yīng)鏈情況五月見(jiàn)分曉
專業(yè)晶圓測(cè)試廠欣銓(3264)總經(jīng)理張季明預(yù)估，今年第二季的合并營(yíng)收約與第一季持平，第三季的能見(jiàn)度還不明朗，市場(chǎng)都在等待5月中旬的到來(lái)，屆時(shí)半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈?zhǔn)欠駭噫湆⒁?jiàn)分曉。張季明表示，欣銓今年第一季合并營(yíng)收
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歐盟有害物質(zhì)管理新規(guī) 把GaAs、InP列入管制范圍
歐洲化學(xué)品管理局風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估委員會(huì)(REACH)新近出臺(tái)的有關(guān)有害物質(zhì)管理的一項(xiàng)動(dòng)議，把GaAs、InP 等重要化合物半導(dǎo)體材料列入了管制范圍。這一動(dòng)議一旦被接受成為法律，預(yù)計(jì)將對(duì)歐洲的化合物半導(dǎo)體材料以及芯片制造商帶
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2010年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)比上年增長(zhǎng)25％，達(dá)到436億美元
分地區(qū)來(lái)看，臺(tái)灣、韓國(guó)和中國(guó)大陸創(chuàng)下了比上年增長(zhǎng)30％左右的增長(zhǎng)率紀(jì)錄，其他地區(qū)也達(dá)到了20％左右的增長(zhǎng)率。對(duì)此SEMI表示，由于引線鍵合使用的金（Au）的價(jià)格高漲，如果后工序的產(chǎn)能較高，則該地區(qū)的市場(chǎng)就有望擴(kuò)
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矽品3月?tīng)I(yíng)收50.4億元 Q1季減6.5%
封測(cè)大廠矽品(2325-TW)今(6)日公布 3 月合并營(yíng)收，達(dá)50.4億元，較 2 月成長(zhǎng)14.2%，較去年同期成長(zhǎng)8.5%，第 1 季合并營(yíng)收達(dá)133.1億元，較去年第 4 季下滑6.5%，較去年同期也下滑7.8%。矽品 3 月非合并營(yíng)收為46.07億元
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2010年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)同比增長(zhǎng)25％
國(guó)際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(huì)(SEMI)宣布，2010年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)比上年增長(zhǎng)25%，達(dá)到435億5000萬(wàn)美元。其中晶圓處理工序(前工序)用材料為比上年增長(zhǎng)29%的179億美元，封裝組裝工序(后工序)用材料為比上年增長(zhǎng)21%的2
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2010年全球半導(dǎo)體材料銷售額創(chuàng)下新高
由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出貨量創(chuàng)新高，2010年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)較2009年增長(zhǎng)25%，超過(guò)了2007年426.7億美元的高位。2010年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)收入總共為435.5億美元。晶圓制造材料和封裝材料分別為229.3億美元和206.3億美元，
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2011臺(tái)灣半導(dǎo)體材料支出將以96億美元奪冠
SEMI發(fā)表研究報(bào)告指出，2010年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)達(dá)435.5億美元，臺(tái)灣占91億元。并預(yù)估2011年臺(tái)灣半導(dǎo)體材料支出，將以96億美元奪冠。SEMI Material Market Data Subscription(MMDS)最新研究報(bào)告指出，根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
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BGA錫球供應(yīng)最大廠千住金屬恢復(fù)生產(chǎn)
黃銘章／DIGITIMES 半導(dǎo)體上游材料產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率低于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，相較于DRAM、Flash Memory等半導(dǎo)體產(chǎn)品，屬于波動(dòng)較小的半導(dǎo)體子產(chǎn)業(yè)之一。由于需要先進(jìn)的化學(xué)及材料技術(shù)，因此盡管日本在半導(dǎo)體市場(chǎng)的占有率逐年下降，
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矽晶圓營(yíng)運(yùn)旺，保利協(xié)鑫能源躍為華立前3大供應(yīng)商
半導(dǎo)體材料代理商華立(3010)代理的中國(guó)保利協(xié)鑫能源（3800HK）矽晶圓營(yíng)運(yùn)蒸蒸日上，已是華立前三大供應(yīng)商之一，躍為節(jié)能環(huán)保的通路商。 受到日本311重創(chuàng)日本東北地區(qū)，由于該地區(qū)為日本半導(dǎo)體材料主要供應(yīng)區(qū)，國(guó)內(nèi)代
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半導(dǎo)體材料與設(shè)備業(yè)創(chuàng)新需政策助力
從2010年開始，中國(guó)集成電路市場(chǎng)步入新一輪成長(zhǎng)期，但市場(chǎng)的發(fā)展速度將不會(huì)再現(xiàn)前幾年的高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，平穩(wěn)增長(zhǎng)將成為未來(lái)中國(guó)集成電路市場(chǎng)發(fā)展的主旋律。未來(lái)3年中國(guó)集成電路市場(chǎng)發(fā)展速度將保持在10%以上。因此，國(guó)
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新型聚光光伏電池效率達(dá)到50%
新電池可以使太陽(yáng)能更好地匹配太陽(yáng)光譜，價(jià)格低于每千瓦小時(shí)10美分。有一家新創(chuàng)公司名為太陽(yáng)能交*公司（SolarJunction），這家公司說(shuō)，它的先導(dǎo)制造工廠正在生產(chǎn)太陽(yáng)能電池組，這些電池的效率超過(guò)目前市場(chǎng)上最好的產(chǎn)
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瑞士開發(fā)新半導(dǎo)體材料“輝鉬礦” 稱功耗為硅的十萬(wàn)分之一
有一種新開發(fā)的半導(dǎo)體材料輝鉬礦(molybdenite，MoS2)，其功耗據(jù)說(shuō)僅有硅材料的十萬(wàn)分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學(xué)院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人員并指出，這
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瑞士開發(fā)新半導(dǎo)體材料“輝鉬礦” 稱功耗為硅的十萬(wàn)分之一
有一種新開發(fā)的半導(dǎo)體材料輝鉬礦(molybdenite，MoS2)，其功耗據(jù)說(shuō)僅有硅材料的十萬(wàn)分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學(xué)院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人員并指出，這
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新一代半導(dǎo)體材料：輝鉬材料異軍突起
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)（LANES）實(shí)驗(yàn)室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分子層材料制造半導(dǎo)體，或用來(lái)制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設(shè)備領(lǐng)域，將比傳統(tǒng)的
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輝鉬材料異軍突起 或成為新一代半導(dǎo)體材料
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)（LANES）實(shí)驗(yàn)室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分子層材料制造半導(dǎo)體，或用來(lái)制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設(shè)備領(lǐng)域，將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒
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2010年矽晶圓營(yíng)收成長(zhǎng)43.0% 達(dá)101.9億美元
根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的最新預(yù)測(cè)報(bào)告， 2010年由供應(yīng)商出貨給各家晶圓廠的矽晶圓(silicon wafer)營(yíng)收成長(zhǎng)了43.0%，達(dá)到101.9億美元；估計(jì)該數(shù)字在 2011年還可成長(zhǎng)5.9%。但整體半導(dǎo)體IC市場(chǎng) 2010年?duì)I
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輝鉬材料異軍突起 或成為新一代半導(dǎo)體材料
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)（LANES）實(shí)驗(yàn)室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分子層材料制造半導(dǎo)體，或用來(lái)制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設(shè)備領(lǐng)域，將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒
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