日本政府要求關(guān)閉濱岡核電廠,讓復(fù)工中的日本半導(dǎo)體材料供貨商雪上加霜。業(yè)界指出,日本夏日電力不足將導(dǎo)致材料供給低于預(yù)期,包括硅晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導(dǎo)體材料漲勢確立,第2、第3季漲幅恐將達(dá)20~30%。日本關(guān)
日本政府要求關(guān)閉濱岡核電廠,讓復(fù)工中的日本半導(dǎo)體材料供應(yīng)商雪上加霜。業(yè)界指出,日本夏日電力不足將導(dǎo)致材料供給低于預(yù)期,包括矽晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導(dǎo)體材料漲勢確立,第2、第3季漲幅恐將達(dá)20~30%。日本關(guān)
日本政府要求關(guān)閉濱岡核電廠,讓復(fù)工中的日本半導(dǎo)體材料供貨商雪上加霜。業(yè)界指出,日本夏日電力不足將導(dǎo)致材料供給低于預(yù)期,包括硅晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導(dǎo)體材料漲勢確立,第2、第3季漲幅恐將達(dá)20~30%。日本
日本政府要求關(guān)閉濱岡核電廠,這將讓復(fù)工中的日本半導(dǎo)體材料供應(yīng)商雪上加霜。分析人士指出,由濱岡核電廠關(guān)閉而引起的日本東北部夏日電力供應(yīng)不足,將導(dǎo)致包括硅晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導(dǎo)體材料必然漲價(jià),第二、三
專業(yè)晶圓測試廠欣銓(3264)總經(jīng)理張季明預(yù)估,今年第二季的合并營收約與第一季持平,第三季的能見度還不明朗,市場都在等待5月中旬的到來,屆時(shí)半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈?zhǔn)欠駭噫湆⒁姺謺?。張季明表示,欣銓今年第一季合并營收
歐洲化學(xué)品管理局風(fēng)險(xiǎn)評估委員會(huì)(REACH)新近出臺(tái)的有關(guān)有害物質(zhì)管理的一項(xiàng)動(dòng)議,把GaAs、InP 等重要化合物半導(dǎo)體材料列入了管制范圍。這一動(dòng)議一旦被接受成為法律,預(yù)計(jì)將對歐洲的化合物半導(dǎo)體材料以及芯片制造商帶
分地區(qū)來看,臺(tái)灣、韓國和中國大陸創(chuàng)下了比上年增長30%左右的增長率紀(jì)錄,其他地區(qū)也達(dá)到了20%左右的增長率。對此SEMI表示,由于引線鍵合使用的金(Au)的價(jià)格高漲,如果后工序的產(chǎn)能較高,則該地區(qū)的市場就有望擴(kuò)
封測大廠矽品(2325-TW)今(6)日公布 3 月合并營收,達(dá)50.4億元,較 2 月成長14.2%,較去年同期成長8.5%,第 1 季合并營收達(dá)133.1億元,較去年第 4 季下滑6.5%,較去年同期也下滑7.8%。矽品 3 月非合并營收為46.07億元
國際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(huì)(SEMI)宣布,2010年全球半導(dǎo)體材料市場比上年增長25%,達(dá)到435億5000萬美元。其中晶圓處理工序(前工序)用材料為比上年增長29%的179億美元,封裝組裝工序(后工序)用材料為比上年增長21%的2
由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出貨量創(chuàng)新高,2010年全球半導(dǎo)體材料市場較2009年增長25%,超過了2007年426.7億美元的高位。2010年全球半導(dǎo)體材料市場收入總共為435.5億美元。晶圓制造材料和封裝材料分別為229.3億美元和206.3億美元,
SEMI發(fā)表研究報(bào)告指出,2010年全球半導(dǎo)體材料市場達(dá)435.5億美元,臺(tái)灣占91億元。并預(yù)估2011年臺(tái)灣半導(dǎo)體材料支出,將以96億美元奪冠。SEMI Material Market Data Subscription(MMDS)最新研究報(bào)告指出,根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
黃銘章/DIGITIMES 半導(dǎo)體上游材料產(chǎn)業(yè)成長率低于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),相較于DRAM、Flash Memory等半導(dǎo)體產(chǎn)品,屬于波動(dòng)較小的半導(dǎo)體子產(chǎn)業(yè)之一。由于需要先進(jìn)的化學(xué)及材料技術(shù),因此盡管日本在半導(dǎo)體市場的占有率逐年下降,
半導(dǎo)體材料代理商華立(3010)代理的中國保利協(xié)鑫能源(3800HK)矽晶圓營運(yùn)蒸蒸日上,已是華立前三大供應(yīng)商之一,躍為節(jié)能環(huán)保的通路商。 受到日本311重創(chuàng)日本東北地區(qū),由于該地區(qū)為日本半導(dǎo)體材料主要供應(yīng)區(qū),國內(nèi)代
從2010年開始,中國集成電路市場步入新一輪成長期,但市場的發(fā)展速度將不會(huì)再現(xiàn)前幾年的高速增長態(tài)勢,平穩(wěn)增長將成為未來中國集成電路市場發(fā)展的主旋律。未來3年中國集成電路市場發(fā)展速度將保持在10%以上。因此,國
新電池可以使太陽能更好地匹配太陽光譜,價(jià)格低于每千瓦小時(shí)10美分。有一家新創(chuàng)公司名為太陽能交*公司(SolarJunction),這家公司說,它的先導(dǎo)制造工廠正在生產(chǎn)太陽能電池組,這些電池的效率超過目前市場上最好的產(chǎn)
有一種新開發(fā)的半導(dǎo)體材料輝鉬礦(molybdenite,MoS2),其功耗據(jù)說僅有硅材料的十萬分之一,又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學(xué)院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne,EPGL)的研究人員并指出,這
有一種新開發(fā)的半導(dǎo)體材料輝鉬礦(molybdenite,MoS2),其功耗據(jù)說僅有硅材料的十萬分之一,又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學(xué)院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne,EPGL)的研究人員并指出,這
近日,瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)(LANES)實(shí)驗(yàn)室稱,用一種名為輝鉬(MoS2)的單分子層材料制造半導(dǎo)體,或用來制造更小、能效更高的電子芯片,在下一代納米電子設(shè)備領(lǐng)域,將比傳統(tǒng)的
近日,瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)(LANES)實(shí)驗(yàn)室稱,用一種名為輝鉬(MoS2)的單分子層材料制造半導(dǎo)體,或用來制造更小、能效更高的電子芯片,在下一代納米電子設(shè)備領(lǐng)域,將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒
根據(jù)國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的最新預(yù)測報(bào)告, 2010年由供應(yīng)商出貨給各家晶圓廠的矽晶圓(silicon wafer)營收成長了43.0%,達(dá)到101.9億美元;估計(jì)該數(shù)字在 2011年還可成長5.9%。但整體半導(dǎo)體IC市場 2010年?duì)I