半導體材料
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半導體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素
半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術節(jié)點后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(I
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半導體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素
半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術節(jié)點后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(I
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半導體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素
半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術節(jié)點后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(I
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半導體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素
半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10奈米技術節(jié)點后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族
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聚合物太陽電池研究項目入選科技部2012年度“中國科學十大進展”
日前，由華南理工大學吳宏濱教授和中國科學院曹鏞院士首創(chuàng)并具有自主知識產權的水/醇溶性聚合物太陽電池界面調控材料與技術的基礎上，通過在氧化銦錫表面引入水(醇)溶性共軛
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第三代半導體材料雙雄面臨直接競爭
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。SiC早在
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第三代半導體材料雙雄并立，難分高下
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導體材料的雙雄。Si
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第三代半導體材料雙雄并立，難分高下
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導體材料
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印度推出國家電子產業(yè)振興政策
印度《商業(yè)標準報》10月26日報道，印度內閣25日批準了國家電子產業(yè)振興政策，希望通過財政激勵措施大力興建電子制造產業(yè)園區(qū)，促進電子產品制造業(yè)發(fā)展與振興。報道稱，印政府希望通過新政策實施，在電子設備制造業(yè)領
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TFT-LCD背板爆發(fā)性增長 2012年全球LTPS面板產量將增150%
智慧手機和平板電腦爆發(fā)式成長，使得LTPS低溫多晶硅技術和IGZO組成的非結晶氧化物半導體技術等生產高解析度顯示器技術更為重要。這些TFT技術采用高移動速率半導體材料以減小TFT維度，提高光穿透率。解析度超過每英寸
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對日招商再添佳績 半導體材料商Namics2.86億銅鑼建廠
記者曹逸雯／臺北報導 對日招商再添佳績！日本半導體材料世界級領導廠商納美仕（Namics）公司26日在銅鑼廠舉行新建工程動土典禮，Namics公司社長小田嶋并親自來臺主持，初期將投資新臺幣2.86億元，預計明（2013）
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半導體材料業(yè)發(fā)展十年實現(xiàn)大跨越
近期，SEMI機構公布了世界半導體材料銷售市場的統(tǒng)計結果。從數(shù)據(jù)中看到，2011年全世界半導體材料市場的銷售額達到478.6億美元，比2010年增長6.7%。其中中國內地的半導體材料市場銷售額在2011年年增長率最高，達到12.
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臺積擴產 本土設備廠沾光
臺積電（2330）明年將持續(xù)擴增28與20奈米產能，市場預期資本支出也將再往沖高，為了降低設備的投資成本，臺積電近年來開始積極扶植本土設備廠商，包括無塵室、自動化等相關設備廠漢唐（2404）、盟立（2464）、家登（
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臺積擴產 本土設備廠沾光
【楊喻斐╱臺北報導】臺積電（2330）明年將持續(xù)擴增28與20奈米產能，市場預期資本支出也將再往沖高，為了降低設備的投資成本，臺積電近年來開始積極扶植本土設備廠商，包括無塵室、自動化等相關設備廠漢唐（2404）、
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臺灣后段設備規(guī)模14億美元
SEMI預估，臺灣今年后段設備市場規(guī)模達到約14億美元；日月光、矽品和力成持續(xù)在臺加碼投資建置先進封裝設備。 臺灣半導體設備與材料大展(Semicon Taiwan2012)今天起到7日在臺北世貿南港展覽館盛大登場，主辦單位國
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Q2臺灣電子材料產值季成長10%
工研院IEKITIS計畫日前發(fā)表2012年第二季臺灣電子材料產業(yè)回顧與展望報告，調查顯示當季臺灣電子材料產值新臺幣749億元，較2012年第一季成長10.1%，但較2011年同期退6.4%。第二季應逐步進入電子材料產業(yè)的旺季，但PCB
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Q2臺灣電子材料產值季成長10%
工研院IEKITIS計畫日前發(fā)表2012年第二季臺灣電子材料產業(yè)回顧與展望報告，調查顯示當季臺灣電子材料產值新臺幣749億元，較2012年第一季成長10.1%，但較2011年同期退6.4%。第二季應逐步進入電子材料產業(yè)的旺季，但PCB
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DENSO傳研發(fā)次世代半導體材料SiC晶圓 2年后量產
日經新聞23日報導，全球汽車零組件巨擘DENSO已攜手昭和電工、日本新能源暨產業(yè)技術總合開發(fā)機構(NEDO)共同研發(fā)出環(huán)保車高性能晶片用次世代半導體材料「碳化矽(SiC)晶圓」。報導指出，和現(xiàn)行矽晶圓相比，SiC晶圓結晶困
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日本：DISCO欲將半導體制造裝置產能提高一倍
據(jù)日本媒體報道，DISCO于8月7日發(fā)布消息稱，將在主力的桑畑工廠(廣島縣吳市)建設新廠房，力爭將半導體制造及研磨裝置的產能提高一倍。投資額約為110億日元(約合1.4009億美元)，預計于2014年10月竣工。DISCO此次提高產
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LED背光源介紹
LED的基本結構是一塊發(fā)光半導體材料，其核心部分是由P型半導體和N型半導體組成的晶片，在P型半導體和N型半導體之間有一個過渡層，稱為PN結。發(fā)光二極管的伏安特性與普通二極管相似，只是死區(qū)電壓比普通二極管要大，約
