功率器件

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士蘭微2013年報(bào)解讀：半導(dǎo)體LED雙輪驅(qū)動(dòng) 進(jìn)入收獲期

　 LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊士蘭微3月17日公布2013年報(bào)，公司全年?duì)I業(yè)總收入為16.38億元，同比增長21.42%；營業(yè)利潤6368萬元，同比增加207.53%；歸屬于上市公司股東凈利潤1.15億元，同比增長530.81%。其中，第四

顯示光電
2014-03-29

LED 半導(dǎo)體功率器件 MEMS傳感器
碳化硅肖特基二極管功率器件量產(chǎn)意義重大

在電能的產(chǎn)生、輸送和分配過程中，電力傳送效率和使用效率至關(guān)重要。當(dāng)前，電力傳輸功率器件主要是基于硅材料，由于發(fā)展了30年，硅材料的物理性能已經(jīng)發(fā)掘殆盡。碳化硅作為半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來的材料”，具有巨

消費(fèi)電子
2014-03-07

碳化硅單晶肖特基二極管功率器件
國產(chǎn)IGBT功率器件春暖花開

當(dāng)前，在日益嚴(yán)峻的環(huán)境問題和能源消耗的壓力之下，綠色能源領(lǐng)域正成為世界各國的發(fā)展目標(biāo)，由此也帶動(dòng)了整個(gè)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，尤其是功率半導(dǎo)體核心器件——IGBT。在中國，為了適應(yīng)大環(huán)境的需求，扶持相關(guān)企業(yè)

消費(fèi)電子
2014-03-06

功率半導(dǎo)體器件 IGBT IGBT器件功率器件
碳化硅量產(chǎn)給我國提供后發(fā)優(yōu)勢

北極星自動(dòng)化網(wǎng)訊:為了緩解能源危機(jī)，國家大力倡導(dǎo)綠色能源，發(fā)展光伏發(fā)電、風(fēng)能發(fā)電。在電能的產(chǎn)生、輸送和分配過程中，電力傳送效率和使用效率至關(guān)重要。當(dāng)前的電力傳輸功率器件主要是基于半導(dǎo)體硅材料，由于硅的物

智能應(yīng)用
2014-02-14

電量碳化硅散熱片功率器件
新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析

摘要：分析新型SiC功率器件在實(shí)際應(yīng)用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對(duì)SiC MOSFET柵極電阻對(duì)開關(guān)特性的影響，以及開關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進(jìn)行了闡述。同時(shí)，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建

模擬
2014-01-29

柵極電阻 SIC BOOST電路功率器件
國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)零突破

日前，中關(guān)村企業(yè)泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(以下簡稱“泰科天潤”)研發(fā)的第三代半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管等多個(gè)產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)，產(chǎn)品涵蓋600V-3300V等中高壓范圍。這標(biāo)志著中國已成為繼美歐日之

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-01-28

泰科碳化硅半導(dǎo)體功率器件
今年中功率器件LED產(chǎn)值將超越大功率LED

進(jìn)入2013年，LED封裝市場結(jié)構(gòu)發(fā)生很大變化，LED中功率市場快速增長。高工LED產(chǎn)業(yè)研究所(GLII)最新發(fā)布報(bào)告指出，2012年中國大陸LED封裝市場規(guī)模為397億元，同比增長24%。其中，LED大功率器件市場規(guī)模104.7億元，同比

消費(fèi)電子
2013-11-19

小功率大功率LED LED燈具功率器件
LED應(yīng)用是塊體GaN市場的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 Yole Développement預(yù)計(jì)，毫無疑問，LED技術(shù)的市場份額將會(huì)超過傳統(tǒng)燈泡和光管業(yè)務(wù)。LED廠商最近發(fā)布的新聞(比如LED光效超過150lm/W)證明了LED性能已與傳統(tǒng)燈泡和光管差不多。塊體氮化鎵

顯示光電
2013-11-16

晶圓 GAN LED 功率器件
Diodes推出兩款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903，以擴(kuò)充旗下霍爾效應(yīng)開關(guān)產(chǎn)品系列。這兩款器件能節(jié)省功耗和空間，并使設(shè)計(jì)更靈活，有助于提

功率器件
2013-11-07

封裝微功率 DIODES 功率器件
士蘭微:新品成長,業(yè)績上行滿足

事項(xiàng)公司公布2013年三季度報(bào)告,前三季度實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入11.68億元,同比增長20.58%;實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤7828.96萬元,同比增長404.74%,扣除非經(jīng)常損益后的凈利潤實(shí)現(xiàn)了扭虧為盈,達(dá)到3523.24萬元,相較歷史同期虧

半導(dǎo)體
2013-11-02

分立器件 DM LED產(chǎn)品功率器件
功率器件供應(yīng)趨緊各廠商全速擴(kuò)充產(chǎn)能

自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對(duì)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關(guān)態(tài)擊穿與開態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實(shí)際工程對(duì)高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要求。伴隨

消費(fèi)電子
2013-10-28

硅芯片功率晶體管功率MOSFET 功率器件
IMEC與Veeco合作可降低GaN

比利時(shí)納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進(jìn)行項(xiàng)目合作，旨在降低生產(chǎn)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。 IMEC的首席科學(xué)家Barun Dutta評(píng)論說，“Veeco MOCVD設(shè)備的生產(chǎn)力，可重復(fù)性，均勻性和

顯示光電
2013-09-28

硅基氮化鎵 GAN LED 功率器件
張乃千：Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析

2013年9月5日，首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會(huì)”在深圳成功召開，來自中科院半導(dǎo)體研究所、南京大學(xué)、北京大學(xué)、科銳公司、西安電子科技大學(xué)等研究機(jī)構(gòu)以及企業(yè)的近百名人士參加了此次會(huì)議。&

顯示光電
2013-09-24

電流硅基氮化鎵 GAN 功率器件
張乃千： Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 9月5日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)、中國國際光電博覽會(huì)共同主辦的“首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會(huì)”在深圳成功召開，來自中科院半導(dǎo)體研究所、南京大學(xué)、北

顯示光電
2013-09-20

硅基氮化鎵 GAN LED 功率器件
功率器件供應(yīng)趨緊廠商加速擴(kuò)產(chǎn)

【導(dǎo)讀】自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對(duì)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關(guān)態(tài)擊穿與開態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實(shí)際工程對(duì)高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要

半導(dǎo)體
2013-09-18

功率晶體管微米 BCD 功率器件
功率器件供應(yīng)趨緊，廠商全速擴(kuò)充產(chǎn)線產(chǎn)能

【導(dǎo)讀】自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對(duì)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關(guān)態(tài)擊穿與開態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實(shí)際工程對(duì)高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要

半導(dǎo)體
2013-09-18

英飛凌功率半導(dǎo)體 BSP 功率器件
IMEC和Veeco合作力圖降低GaN-on-Si生產(chǎn)成本

比利時(shí)納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進(jìn)行項(xiàng)目合作，旨在降低生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件和LED的成本。IMEC的首席科學(xué)家BarunDutta評(píng)論說，“VeecoMOCVD設(shè)備的生產(chǎn)力，可重復(fù)性，均勻性和晶體質(zhì)量為我們在

半導(dǎo)體
2013-09-12

硅基氮化鎵 GAN LED 功率器件
新能源開發(fā)為功率器件市場帶來新機(jī)遇

【導(dǎo)讀】從目前國內(nèi)新能源市場的開發(fā)進(jìn)展來看，主要熱點(diǎn)集中在可再生能源、新能源汽車等領(lǐng)域。可再生能源又可分為風(fēng)力發(fā)電和太陽能光伏發(fā)電兩種，對(duì)于這兩大市場，三菱電機(jī)機(jī)電(上海)有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部市場營

半導(dǎo)體
2013-09-12

新能源 MOSFET BSP 功率器件
新能源為功率器件市場帶來新商機(jī)

功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍日益廣泛，不同的應(yīng)用對(duì)于器件的要求也不盡相同，這使得廠商開始走向行業(yè)化解決方案的道路。國際整流器公司(IR)亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉指出，功率器件

電源-能源動(dòng)力
2013-09-05

電子新能源 MOSFET 功率器件
Veeco與IMEC宣布合作力圖降低GaN-on-Si生產(chǎn)成本

比利時(shí)納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進(jìn)行項(xiàng)目合作，旨在降低生產(chǎn)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。 IMEC的首席科學(xué)家Barun Dutta評(píng)論說，“Veeco MOCVD設(shè)備的生產(chǎn)力，可重復(fù)性，均勻性和晶體質(zhì)量為我們

顯示光電
2013-09-04

硅基氮化鎵 GAN LED 功率器件

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功率器件

士蘭微2013年報(bào)解讀：半導(dǎo)體LED雙輪驅(qū)動(dòng) 進(jìn)入收獲期

碳化硅肖特基二極管功率器件量產(chǎn)意義重大

國產(chǎn)IGBT功率器件春暖花開

碳化硅量產(chǎn)給我國提供后發(fā)優(yōu)勢

新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析

國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)零突破

今年中功率器件LED產(chǎn)值將超越大功率LED

LED應(yīng)用是塊體GaN市場的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力

Diodes推出兩款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903

士蘭微:新品成長,業(yè)績上行滿足

功率器件供應(yīng)趨緊各廠商全速擴(kuò)充產(chǎn)能

IMEC與Veeco合作可降低GaN

張乃千：Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析

張乃千： Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析

功率器件供應(yīng)趨緊廠商加速擴(kuò)產(chǎn)

功率器件供應(yīng)趨緊，廠商全速擴(kuò)充產(chǎn)線產(chǎn)能

IMEC和Veeco合作力圖降低GaN-on-Si生產(chǎn)成本

新能源開發(fā)為功率器件市場帶來新機(jī)遇

新能源為功率器件市場帶來新商機(jī)

Veeco與IMEC宣布合作力圖降低GaN-on-Si生產(chǎn)成本

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