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常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹
我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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在冰火兩重天的新能源市場中挖掘新機
“冰火兩重天”，用來形容2012年的新能源市場實在是太貼切不過了。太陽能行業(yè)產(chǎn)能過剩，市場不振；LED照明迎來發(fā)展轉(zhuǎn)折點；新能源車受制于電池技術(shù)、安全性能、價格和充電等因素，仍未能被大眾市場接受；而智能電網(wǎng)建
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功率器件IGBT應(yīng)用中的常見問題解決方法
1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點，控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關(guān)電源、變頻
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄面臨直接競爭
進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。SiC早在
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下
進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。Si
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下
進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料
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富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會
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富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量
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大功率高壓變頻器功率器件熱設(shè)計淺析
大型電力電子設(shè)備中，隨著溫度的增加，失效率也增加，因此大功率高壓變頻器功率器件的熱設(shè)計直接關(guān)系到設(shè)備的可靠性與穩(wěn)定性。大功率高壓變頻器往往要求有極高的可靠性，影
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功率器件損耗計算
功率器件應(yīng)用時所受到的熱應(yīng)力可能來源于兩個方面：器件內(nèi)部和器件外部。器件工作時所耗散的功率要通過發(fā)熱形式耗散出去。若器件的散熱能力有限，則功率的耗散就會造成器件
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瑞薩推出工業(yè)用首個以MCU為基礎(chǔ)可擴展供電系統(tǒng)方案
瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩”)，近日發(fā)布了最新的用于個人計算機CPU、服務(wù)器和儲存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢
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功率器件的選擇
由于本設(shè)計中的變換器的應(yīng)用場合的電壓和電流都比較大，則除考慮效率因素外，選擇高性能功率器件是保證功放性能的重要環(huán)節(jié)。功率器件的特性主要有安全特性、開關(guān)特性和驅(qū)動
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安森美加入imec項目 開發(fā)下一代硅基氮化鎵功率器件
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率
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功率器件熱設(shè)計及散熱計算
引言當(dāng)前，電子設(shè)備的主要失效形式就是熱失效。據(jù)統(tǒng)計，電子設(shè)備的失效有55%是溫度超過規(guī)定值引起的，隨著溫度的增加，電子設(shè)備的失效率呈指數(shù)增長。所以，功率器件熱設(shè)計是
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怎樣去選擇好逆變器功率器件
逆變器的主功率元件的選擇至關(guān)重要，目前使用較多的功率元件有達(dá)林頓功率晶體管(GTR)，功率場效應(yīng)管(MOSFET)，絕緣柵晶體管(IGBT)和可關(guān)斷晶閘管(GTO)等。在小容量低壓系統(tǒng)
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安森美半導(dǎo)體加入imec的硅基氮化鎵研究項目
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功
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安森美加入imec項目 開發(fā)下一代硅基氮化鎵功率器件
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導(dǎo)熱性的特性，使其非
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安森美加入imec硅基氮化鎵研究項目
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功
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安森美半導(dǎo)體加入imec的硅基氮化鎵研究項目
21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導(dǎo)熱性的特性
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學(xué)器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
