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內(nèi)存

我要報(bào)錯(cuò)
內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來(lái)，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。 內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

  • 聯(lián)華電子與美光和解，臺(tái)積電對(duì)美光示好，美光成了“香餑餑”？

    11月26日，晶圓代工廠商聯(lián)電與美光科技宣布全球和解協(xié)議，雙方將各自撤回對(duì)對(duì)方的訴訟，同時(shí)聯(lián)電將向美光一次性支付保密金額之和解金，并共同創(chuàng)造商業(yè)合作機(jī)會(huì)。

  • 【性能優(yōu)化】高效內(nèi)存池的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    在之前的文章中，分析了glibc內(nèi)存管理相關(guān)的內(nèi)容，里面的是不是邏輯復(fù)雜，畢竟咱們用幾十行代碼完成的功能，glibc要用上百乃至上千行代碼來(lái)實(shí)現(xiàn)，畢竟它的受眾太多了，需要考慮跨平臺(tái)，各種邊界條件等。其實(shí)，glibc的內(nèi)存分配庫(kù)ptmalloc也可以看做是一個(gè)內(nèi)存池，出于性能考慮，...

  • 經(jīng)典 | 圖解 Linux 內(nèi)存性能優(yōu)化核心思想

    ↓推薦關(guān)注↓今天分享一篇內(nèi)存性能優(yōu)化的文章，文章用了大量精美的圖深入淺出地分析了Linux內(nèi)核slab性能優(yōu)化的核心思想，slab是Linux內(nèi)核小對(duì)象內(nèi)存分配最重要的算法，文章分析了內(nèi)存分配的各種性能問(wèn)題（在不同的場(chǎng)景下面），并給出了這些問(wèn)題的優(yōu)化方案，這個(gè)對(duì)我們實(shí)現(xiàn)高性能內(nèi)存...

  • 研究了一波 Android Native C 內(nèi)存泄漏的調(diào)試

    最近在調(diào)試AndroidNative層的內(nèi)存泄漏問(wèn)題，整理了一些筆記，分享一下如何查看內(nèi)存信息？在代碼中打印，開(kāi)啟一個(gè)線程，間隔固定時(shí)間打印出當(dāng)前內(nèi)存信息【有好多種獲取內(nèi)存信息的API，這里只列出其中一種方式，親測(cè)有效】private?void?startMemProfiler(...

  • 西數(shù)明年底量產(chǎn)BiCS6閃存：162層堆棧、接口速度翻倍

    2021年閃存逐漸從96層過(guò)渡到了128層為主，再往下就是170層到200層的了，每家閃存廠商的方案都有所不同，西數(shù)將在明年底量產(chǎn)BiCS6代3D閃存，堆棧層數(shù)提升到162，而且接口速度翻倍。

  • BGA封裝技術(shù)概況及特點(diǎn)

    BGA (Ball Grid Array)-球狀引腳柵格陣列封裝技術(shù)，高密度表面裝配封裝技術(shù)。在封裝底部，引腳都成球狀并排列成一個(gè)類似于格子的圖案，由此命名為BGA。主板控制芯片組多采用此類封裝技術(shù)，材料多為陶瓷。采用BGA技術(shù)封裝的內(nèi)存，可以使內(nèi)存在體積不變的情況下，內(nèi)存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術(shù)使每平方英寸的存儲(chǔ)量有了很大提升，采用BGA封裝技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一;與傳統(tǒng)TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速有效的散熱途徑。

  • 內(nèi)存主頻

    內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz(兆赫)為單位來(lái)計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。

  • PCIE的定義及意義

    PCI-Express(peripheral component interconnect express)是一種高速串行計(jì)算機(jī)擴(kuò)展總線標(biāo)準(zhǔn)，它原來(lái)的名稱為“3GIO”，是由英特爾在2001年提出的，旨在替代舊的PCI，PCI-X和AGP總線標(biāo)準(zhǔn)。PCIe屬于高速串行點(diǎn)對(duì)點(diǎn)雙通道高帶寬傳輸，所連接的設(shè)備分配獨(dú)享通道帶寬，不共享總線帶寬，主要支持主動(dòng)電源管理，錯(cuò)誤報(bào)告，端對(duì)端的可靠性傳輸，熱插拔以及服務(wù)質(zhì)量(QOS)等功能。

  • 內(nèi)存的概述和發(fā)展

    內(nèi)存(Memory)是計(jì)算機(jī)的重要部件之一，也稱內(nèi)存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器，它用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。它是外存與CPU進(jìn)行溝通的橋梁，計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都在內(nèi)存中進(jìn)行，內(nèi)存性能的強(qiáng)弱影響計(jì)算機(jī)整體發(fā)揮的水平。只要計(jì)算機(jī)開(kāi)始運(yùn)行，操作系統(tǒng)就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)從內(nèi)存調(diào)到CPU中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成，CPU將結(jié)果傳送出來(lái)。

  • 以代碼執(zhí)行的名義，看單片機(jī)內(nèi)存的分配

    關(guān)注、星標(biāo)公眾號(hào)，直達(dá)精彩內(nèi)容來(lái)源：技術(shù)讓夢(mèng)想更偉大整理：李肖遙單片機(jī)執(zhí)行指令過(guò)程詳解單片機(jī)執(zhí)行程序的過(guò)程，實(shí)際上就是執(zhí)行我們所編制程序的過(guò)程。即逐條指令的過(guò)程。計(jì)算機(jī)每執(zhí)行一條指令都可分為三個(gè)階段進(jìn)行。即取指令-----分析指令-----執(zhí)行指令。取指令的任務(wù)是：根據(jù)程序計(jì)數(shù)器...

  • 內(nèi)存都沒(méi)了，還能運(yùn)行程序？

    文章大綱主存(RAM)?是一件非常重要的資源，必須要小心對(duì)待內(nèi)存。雖然目前大多數(shù)內(nèi)存的增長(zhǎng)速度要比IBM7094要快的多，但是，程序大小的增長(zhǎng)要比內(nèi)存的增長(zhǎng)還快很多。正如帕金森定律說(shuō)的那樣：不管存儲(chǔ)器有多大，但是程序大小的增長(zhǎng)速度比內(nèi)存容量的增長(zhǎng)速度要快的多。下面我們就來(lái)探討一下...

  • C/C 動(dòng)態(tài)檢測(cè)內(nèi)存錯(cuò)誤利器 - ASan

    來(lái)自公眾號(hào)：大胖聊編程作者：大胖ASan，即AddressSanitizer，是一個(gè)適用于c/c程序的動(dòng)態(tài)內(nèi)存錯(cuò)誤檢測(cè)器，它由一個(gè)編譯器檢測(cè)模塊（LLVMpass）和一個(gè)替換malloc函數(shù)的運(yùn)行時(shí)庫(kù)組成，在性能及檢測(cè)內(nèi)存錯(cuò)誤方面都優(yōu)于Valgrind，你值得擁有。一適用平臺(tái)在L...

  • C語(yǔ)言內(nèi)存泄露很嚴(yán)重，腫么辦？

    1.前言最近部門不同產(chǎn)品接連出現(xiàn)內(nèi)存泄漏導(dǎo)致的網(wǎng)上問(wèn)題，具體表現(xiàn)為單板在現(xiàn)網(wǎng)運(yùn)行數(shù)月以后，因?yàn)閮?nèi)存耗盡而導(dǎo)致單板復(fù)位現(xiàn)象。一方面，內(nèi)存泄漏問(wèn)題屬于低級(jí)錯(cuò)誤，此類問(wèn)題遺漏到現(xiàn)網(wǎng)，影響很壞；另一方面，由于內(nèi)存泄漏問(wèn)題很可能導(dǎo)致單板運(yùn)行固定時(shí)間以后就復(fù)位，只能通過(guò)批量升級(jí)才能解決，實(shí)際...

  • 研究了一波Android Native C 內(nèi)存泄漏的調(diào)試

    最近在調(diào)試AndroidNative層的內(nèi)存泄漏問(wèn)題，整理了一些筆記，分享一下本文目錄如何查看內(nèi)存信息？Android關(guān)鍵內(nèi)存項(xiàng)介紹如何調(diào)試內(nèi)存泄漏其他工具復(fù)盤相關(guān)資料推薦如何查看內(nèi)存信息？在代碼中打印，開(kāi)啟一個(gè)線程，間隔固定時(shí)間打印出當(dāng)前內(nèi)存信息【有好多種獲取內(nèi)存信息的API，...

  • 經(jīng)典?|?圖解?Linux?內(nèi)存性能優(yōu)化核心思想

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  • 研究了一波?Android?Native?C ?內(nèi)存泄漏的調(diào)試

    最近在調(diào)試AndroidNative層的內(nèi)存泄漏問(wèn)題，整理了一些筆記，分享一下如何查看內(nèi)存信息？在代碼中打印，開(kāi)啟一個(gè)線程，間隔固定時(shí)間打印出當(dāng)前內(nèi)存信息【有好多種獲取內(nèi)存信息的API，這里只列出其中一種方式，親測(cè)有效】private?void?startMemProfiler(...

  • DRAM 的需求已經(jīng)減弱 內(nèi)存要降價(jià)？

    市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)也顯示，10 月份 PC 用 DRAM 通用產(chǎn)品(DDR4 8GB)成交價(jià)為 3.71 美元，環(huán)比降價(jià) 0.39 美元，比上一季度下降 9.51%。DRAM 自今年 1 月份起一直保持價(jià)格上升趨勢(shì)，此次是全年首次降價(jià)。TrendForce 分析認(rèn)為，隨著 PC 制造商的 DRAM 庫(kù)存水平上升，市場(chǎng)對(duì) DRAM 的需求已經(jīng)減弱。

  • 19nm工藝 消息稱國(guó)產(chǎn)DDR3內(nèi)存：本月已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)DDR3內(nèi)存，明年出貨！

    近期，由于美國(guó)芯片出口的規(guī)則改變，全球芯片出口格局也在發(fā)生重大變化。為此，中國(guó)也在加快步伐，試圖盡快實(shí)現(xiàn)芯片國(guó)產(chǎn)化，其中最為典型的就是中科院，該院上周已經(jīng)宣布，要將光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備列入科研清單。

  • 組態(tài)軟件內(nèi)存實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)性能測(cè)試

    摘要：介紹了內(nèi)存實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)在工業(yè)控制DCS組態(tài)軟件中的應(yīng)用及其在數(shù)據(jù)采集過(guò)程中的重要性；針對(duì)組態(tài)軟件內(nèi)存實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)的特點(diǎn)，測(cè)試了在不同的數(shù)據(jù)組織形式、內(nèi)存置換頁(yè)面大小以及緩存大小下數(shù)據(jù)庫(kù)的性能，通過(guò)測(cè)試，得出了不同的配置組合對(duì)內(nèi)存實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)性能的影響，從而為下一步的研究工作打下了基礎(chǔ)。

  • C/C 動(dòng)態(tài)檢測(cè)內(nèi)存錯(cuò)誤利器 - ASan

    ↓推薦關(guān)注↓ASan，即AddressSanitizer，是一個(gè)適用于c/c程序的動(dòng)態(tài)內(nèi)存錯(cuò)誤檢測(cè)器，它由一個(gè)編譯器檢測(cè)模塊（LLVMpass）和一個(gè)替換malloc函數(shù)的運(yùn)行時(shí)庫(kù)組成，在性能及檢測(cè)內(nèi)存錯(cuò)誤方面都優(yōu)于Valgrind，你值得擁有。一、適用平臺(tái)在LLVM3.1版之后...