MSP430F5438A 內存Flash 讀寫操作

1、msp430的存儲結構采用馮.依曼結構，即RAM和Flash在同一個尋址空間內統(tǒng)一編址，沒有代碼空間和數(shù)據(jù)空間之分。2、Flash是以段為為基本結構進行存儲的?？傮w上分三部分：Flash主存儲區(qū)：用于存儲程序代

32G滿足不了！ 3D NAND拯救手機內存不足

3D NAND是閃存領域的一個重大進步，可望釋放巨大的儲存容量成長潛力。其布置在硅基板上的內存單元能夠被移動到第三維空間，也就是在各個分層上以垂直方式堆棧，并且透過傳播電荷的導線進行連接。

16Gb顆粒64GB DDR4內存三星首發(fā)量產，256GB緊隨其后

三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經全球第一個開始量產基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內存條，主要面向企業(yè)和云服務應用。

三星雄踞半導體榜首 內存市場是最強推手

數(shù)據(jù)顯示，第一季度三星半導體部分的銷售額達到了186.07億美元，同比增長45%以上，在全球半導體市場總份額上占比達到了16.1%，是相當驚人的數(shù)字而英特爾的市場占比為13.6%，銷售額為157.45億美元。不過英特爾同比增長速度只有11.1%，沒有三星增長迅猛。

美光：內存工藝短時間不需要用EUV光刻工藝

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰(zhàn)略決策會上回答了有關的工藝問題，在EUV光刻工藝上，他認為EUV光刻機在DRAM芯片制造上不是必須的，直到1α及1β工藝上都也不會用到它。

在磁盤操作系統(tǒng)實模式下直接存取4GB內存分析

作為軟件開發(fā)人員，大多數(shù)對于保護模式都感到神秘和不易理解。本人在開發(fā)32位微內核搶占式多線程操作系統(tǒng)過程中，深入了解到CPU的地址機理，在這里將分析CPU的工作原理，解開保護模式的神秘面紗，讀者

關于堆棧、靜態(tài)、動態(tài)內存的理解

預備知識—程序的內存分配一個由C/C++編譯的程序占用的內存分為以下幾個部分棧區(qū)(stack)— 由編譯器自動分配釋放，存放函數(shù)的參數(shù)值，局部變量的值等。其操作方式類似于數(shù)據(jù)結構中的棧。堆區(qū)(heap) &mdas

C++內存泄漏檢測拾遺

在MFC開發(fā)環(huán)境中，當運行退出了，Visual Studio會在輸出窗口提示是否有內存泄漏。也可以借助MFC類CMemoryState動態(tài)地檢測并輸出內存泄漏信息。 在非MFC框架中，需要借助CRT函數(shù)實現(xiàn)這些功能。 1. 調用_CrtDumpMemory

三星對遭反壟斷調查回應：確實有現(xiàn)場調查 正接受詢問

此前從網站獲悉，中國反壟斷機構于5月31日派出了多個工作小組，分別對三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的辦公室展開“突襲調查”和現(xiàn)場取證。今日根據(jù)經濟觀察網的消息，三星對該網站回應

大陸產可不大 NAND價格可能趨穩(wěn)或者微跌

至于內存產業(yè)未來的走向，他的預測是2020年之前都會保持健康樂觀狀態(tài)，原因一是內存顆粒廠商并沒有太大的擴產動作，其二則是大陸廠商的產能不大，而非不是市場主流規(guī)格，今年甚至明年對市場的影響都可以忽略。

C語言動態(tài)內存分配函數(shù)解析

引言：對于指針，正確的分配動態(tài)內存是十分重要的，本文將著重闡述動態(tài)內存分配函數(shù)malloc,calloc,realloc以及memset的用法。 一、對于malloc,在終端輸入 #:man malloc可以知道函數(shù)原型是： Void *calloc(size_t siz

Linux系統(tǒng)進程的一些知識總結，進程與線程之間的糾葛...

當一個程序開始執(zhí)行后，在開始執(zhí)行到執(zhí)行完畢退出這段時間內，它在內存中的部分就叫稱作一個進程。

單條128GB起步 Intel發(fā)布3DXpoint黑科技傲騰DDR4內存

3D XPoint技術閃存可以做成SSD、內存人盡皆知，畢竟Intel吹過“性能、耐用性是普通NAND閃存的1000倍，容量密度是DRAM內存的10倍，它既可以做成PCI-E接口的普通硬盤，也可以做成DRAM內存插槽那樣的硬盤”。但目前市面上只有傲騰加速內存、傲騰SSD兩類產品而且都是定位高端市場，價格相當昂貴，但性能確實沒得挑剔。

DDR5內存標準正在制定：比DDR4快兩倍！

內存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代內存的規(guī)格制定工作已經開始，計劃明年定稿。下面就隨小編一起來了解一下相關內容吧。據(jù)悉，用于服務器和臺式PC上的DDR5內存速度將是

S2C提供滿足使用大容量或高性能DDR3內存的QuadE V7

導讀：近日，SoC/ASIC快速原型解決方案領先的供應商S2C宣布提供滿足使用大容量或高性能DDR3內存的QuadE V7.全新的QuadE V7能夠擴充遠程管理功能，幫助設計人員向著實現(xiàn)“云端”原型驗證再邁進一步。 據(jù)了解，S2C的Qu

老外對28款DDR4內存的橫評 看完不再糾結怎么選內存！

Hardwareinfo美國站前不久做了一個DDR4內存橫評，涉及了芝奇、海盜船、金士頓、英睿達等多個品牌28個型號的DDR4內存，頻率從DDR4-2133到DDR4-4000都有，選擇的范圍還是很全面的。

Bootloader兩個階段流程簡介

通用的linux內核，啟動時需要很多參數(shù) ，這些參數(shù)必須通過Bootloader傳遞。而且內核一半是壓縮存放在外存上的，從外存到內存的復制也是由Bootloader完成。從Bootloader的第二個功能就知道，Bootloader時不能與內核放在一起的。由于Bootloader的實現(xiàn)依賴于CPU的體系結構，因此大多數(shù)的Bootloader都分為Stage1和Stage2l輛大部分。

較去年第四季提升約5.3% 全球行動式內存產值再度刷新歷史紀錄

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，去年下半年智能手機的新機發(fā)布并未如預期帶來換機效應，因此自去年第四季中開始，市場提早進入傳統(tǒng)淡季。品牌廠在歷經3個月的庫存水位調節(jié)后，于今年二月底才見市場需求轉旺，并重啟拉貨動能，其中又以旗艦新機需求的大容量內存居多。整體而言，第一季受到智能手機市場回溫、新機發(fā)表，以及行動式內存平均單價上漲的影響，全球行動式內存產值來到84.35億美元，較去年第四季提升約5.3%，一反以往第一季營收衰退的軌跡，再度刷新歷史記錄。

基于SOPC技術的內存映射型LCD控制器設計研究

中國制造崛起！百億億次超算領先美國于2020交付

近日，在第18屆國際超算高峰論壇上，美國橡樹嶺國家實驗室、國家超級計算無錫中心等頂尖的著名專家，都來到了這里，并分享了下一步的動作。