PCI Express 是目前 PC 芯片集及嵌入式處理器的普遍互連標準。盡管之前的PCI標準由PCIe所取代,但 FPGA 和I/O設備仍使用 PCI。當前基于 PCI 的設計均采用未集成 PCIe 接口的組件,因此若要升級系統(tǒng),需使用 PCIe 橋接
引言 在微電子技術、計算機技術不斷發(fā)展的推動下,儀器儀表工業(yè)也發(fā)生了巨大的變化?,F代儀表將嵌入式技術引入到儀器儀表的測試和控制中,使儀器儀表向著自動化智能化的方向發(fā)展,這已經成為當今儀器儀表系統(tǒng)的一種
CeBIT 2009將于3月3日在漢諾威隆重開幕,中國工控產業(yè)的領航者之一華北工控將再次參展。將攜其滿足苛刻應用環(huán)境要求的嵌入式計算機硬件平臺技術、最新的嵌入式工業(yè)計算機解決方案重拳出擊,將在19號館D31-03號展臺設
南韓三星電子 (005930) 準備將半數左右的生產線予以升級或轉換,因應芯片跌價的市況。 該報引述不具名三星職員談話表示,身為全球最大計算機內存制造商的三星,可能將部分內存生產線改用于生產發(fā)光二極管 (LED),或
內存業(yè)內有一個共識:就算所有廠商都停產,現有內存庫存也能支持半年需求。不過,現在的情形是:要想要拿到足夠數量的內存,基本是不可能的。 內存是電腦的關鍵部件,春節(jié)過后,這種產品正在經歷著一輪久違的漲價,且
內存業(yè)內有一個共識:就算所有廠商都停產,現有內存庫存也能支持半年需求。不過,現在的情形是:要想要拿到足夠數量的內存,基本是不可能的?! 却媸请娔X的關鍵部件,春節(jié)過后,這種產品正在經歷著一輪久違的漲價
目前,許多公司都提出了新型的計算機高速總線,如Arapahoe總線標準和HyperTransport技術,但各協(xié)議互不兼容,沒有形成統(tǒng)一標準。作為傳統(tǒng)的通用局部總線,PCI總線仍然占據著主流個人電腦市場,具有頑強的生命力。
2月16日晚間,華潤微電子發(fā)布公告,宣布正與某些獨立第三方探討將在內地收購6英寸晶圓生產設備,以及某些潛在的商業(yè)合作機會。此前曾有公開消息稱華潤微電子有意接盤奇夢達。 由于金融危機對DRAM內存生產商造
芯片尺寸在接下來的幾年將持續(xù)微縮,不過芯片制造商也面臨許多挑戰(zhàn)。在美國舊金山舉行的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上,英特爾(Intel)資深院士、制程架構與整合總監(jiān)Mark Bohr列出32奈米以下制程節(jié)點遭遇的五大障礙/挑戰(zhàn)
半導體及面板設備大廠應用材料總裁麥可史賓林特(Mike Splinter)日前表示,由于晶圓廠產能利用率處于歷史低點,內存及晶圓代工廠的利用率介于30%至70%,還有部份晶圓廠已經完成停工,在客戶的利用率未回升前,晶圓
美光科技有限公司推出高性能、低功耗移動DDR2 (LPDDR2)組合,以改善包括傳統(tǒng)手機、智能電話和流行的移動互聯網設備(MID)在內的應用性能,降低其內存功耗。移動LPDDR2技術是美光和南亞科技公司通過聯合開發(fā)計劃合
南韓內存大廠海力士在5日公布去年第四季財報同時,策略計劃部門副總經理 O.C. Kwon首度公開對外表示,無意對茂德提供財務援助,加上臺灣經濟部方面態(tài)度始終曖昧不明,業(yè)界認為,茂德要獲得紓困的可能性甚低,最終恐得
繼05年率先開發(fā)出60納米內存、06年開發(fā)出50納米內存后,三星電子日前研發(fā)出了世界首款40納米1GDDR2動態(tài)內存(1納米等于十億分之一米),今年第3季度將實現量產。 據了解,40納米內存與目前普遍使用的50、60納米內存相
英特爾宣布,將關閉上海的IC封裝工廠,2000工作崗位將受此影響。受經濟下滑,銷售下降的影響,未來12個月,英特爾計劃將上海工作崗位轉移至成都。受到影響的工人可以選擇在英特爾成都或大連的工廠工作,目前,成都工
美國半導體產業(yè)協(xié)會(以下簡稱“SIA”)日前發(fā)布報告稱,2008年12月全球芯片銷售額由一年前的223億美元下滑至174億美元,跌幅為22%。 報告同時顯示,2008年全球芯片銷售額下滑了2.8%,跌至2486億美元,2008年12月全球
美國半導體產業(yè)協(xié)會(以下簡稱“SIA”)日前發(fā)布報告稱,2008年12月全球芯片銷售額由一年前的223億美元下滑至174億美元,跌幅為22%。
從70年代開始,相變內存(PhaseChangeMemory,PCM)就開始成為一個熱議話題,由于其高讀取/寫入速度、低易失性和高存儲密度而成為可能取代磁性存儲介質的選擇?,F在,相變內存被認為是繼NAND閃存后的下一代技術,因為它
近日消息,三星電子研制開發(fā)出了世界首款40納米工藝DDR2動態(tài)內存產品(1納米等于十億分之一米)。繼05年率先開發(fā)出60納米內存,06年開發(fā)出50納米內存后,09年伊始三星電子再次通過成功開發(fā)40納米動態(tài)內存產品,向外界