2月20日,JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)正式發(fā)布了JESD209-5,即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內(nèi)存標準。
據(jù)韓國媒體報道,為了在內(nèi)存芯片市場尋找新戰(zhàn)略,三星電子副董事長李在镕(LeeJaeYong)在中國度過了2019年的春節(jié)。報道稱,李在镕在本周一,即中國春節(jié)開始的前一天,離開首爾,前往中國的西安市,參
消息,2017年,三星電子讓英特爾25年來首次失去全球最大半導(dǎo)體公司的位置,2018年,三星與英特爾的銷售額差距進一步擴大。然而,根據(jù)三星本周公布的2018年第四季度的初步業(yè)績,預(yù)期的收入和利潤未達預(yù)
據(jù)韓國媒體報道,到今年第三季度,韓國公司生產(chǎn)的DRAM(內(nèi)存)芯片已經(jīng)占到全球市場的75%,其中三星和SK海力士(SK Hynix)占據(jù)了重要地位。DRAMeXchange發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,截至今年9月
三星表示,由于對內(nèi)存芯片的需求疲軟,以及年底假期期間智能手機營銷支出的增加,預(yù)計第四季度公司收益將出現(xiàn)環(huán)比下滑。
盡管JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)的DDR5標準尚未定案,Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品,并計劃在2019年底量產(chǎn)。事實上,早在今年5月,Cadence就展示了首款DD
全球第二大NAND閃存制造商東芝內(nèi)存(Toshiba Memory)今日表示,公司已經(jīng)在準備IPO(首次公開招股)事宜,最快將在2年內(nèi)上市。東芝內(nèi)存CEO成毛康雄(Yasuo Naruke)周三稱,他
7月至9月的這個季度,三星電子營業(yè)利潤為17.5萬億韓元(154億美元),高于去年同期的14.53萬億韓元。營收同比增長4.75%,至65萬億韓元(572億美元)。
調(diào)研公司IC Insights發(fā)布報告稱,由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長,今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場的銷售額較英特爾高出22%,而一年前的該比例僅為1%。
當前,芯片是韓國最大的出口產(chǎn)品,而中國是全球最大的芯片市場。但由于中國計劃投入巨額資金來推動本國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以降低對國外產(chǎn)品的依賴,導(dǎo)致業(yè)界對韓國芯片產(chǎn)業(yè)的長期前景感到擔憂。
知情人士透露,如果180億美元向貝恩資本(以下簡稱“貝恩”)出售內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的交易在3月底前沒有獲得反壟斷監(jiān)管機構(gòu)批準,東芝將考慮讓內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)IPO(首次公開募股)。
日本東芝之前已經(jīng)簽約,將閃存芯片業(yè)務(wù)以180億美元轉(zhuǎn)讓給美國貝恩資本領(lǐng)銜的財團,目前交易手續(xù)尚未完成。這一交易并未影響東芝的持續(xù)投資。據(jù)外媒最新消息,東芝宣布將斥巨資購買土地,新建閃存芯片工廠。
據(jù)韓聯(lián)社北京時間12月20日報道,三星電子今天宣布,公司已開始通過第二代10納米級制程工藝量產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。三星稱,公司使用第二代10納米級工藝生產(chǎn)出了8Gb DDR4芯片,實現(xiàn)了新的突破。2016年2月,三星已使用第一
由私募投資公司貝恩資本牽頭的東芝芯片業(yè)務(wù)收購財團(以下簡稱“收購財團”)警告西部數(shù)據(jù),如果想繼續(xù)合作關(guān)系,就放棄推翻這一交易的嘗試,和解法律訴訟。收購財團與東芝達成斥資180億美元收購后者芯片業(yè)務(wù)的協(xié)議,但西部數(shù)據(jù)在尋求在美國訴諸法律手段阻止這一交易。
據(jù)悉,日本東芝公司已就出售其內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)重啟與富士康的談判,這使得日本政府牽頭的集團不再作為優(yōu)先考慮對象。
據(jù)外媒報道,三星電子二季度初步核實運營利潤達到14萬億韓元(約合121億美元),同比增長72%,創(chuàng)出歷史新高。這一營運利潤不僅超過市場預(yù)期的112億美元(13萬億韓元),還有望再次超過蘋果,成為行業(yè)最賺錢的公司。
據(jù)消息人士稱,日本東芝公司本周將就其出售內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)發(fā)出問詢函,力爭競購價格能達到約1.5萬億日元(約合130億美元)。 消息人士稱,東芝準備出售其芯片業(yè)務(wù)的大多數(shù)股份
三星去年8 月就宣布推出全球第一款采用3D立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的內(nèi)存芯片,單條DDR4 內(nèi)存條容量高達64GB。三星近日宣布,將批量生產(chǎn)128GB 內(nèi)存芯片,容量比去年翻了一倍。
3月30日消息,據(jù)路透社報道,美國內(nèi)存芯片制造商美光科技周四晚稱已經(jīng)就內(nèi)存芯片價格案與軟件巨頭甲骨文公司達成和解協(xié)議。據(jù)悉,甲骨文此前對美光科技提起訴訟,指控美光科
Rambus雖說是專利官司大戶,但他們也不是每次都靠這種方式掙錢。近日他們就與日本內(nèi)存大廠爾必達簽署了新一期的專利授權(quán)協(xié)議。此次雙方簽署的協(xié)議涉及產(chǎn)品極其廣泛,從久遠