-
歐盟對10家內(nèi)存芯片廠商處以3.31億歐元罰款
（編譯/林靖東）北京時間5月19日消息，據(jù)國外媒體報道，歐盟今日正式宣布以非法操縱價格為由對包括三星在內(nèi)的10家內(nèi)存芯片廠商處以總計3.31億歐元(約合4.03億美元）的罰款。歐盟委員會發(fā)表聲明稱，這些內(nèi)存芯片廠商大
-
歐盟罰操縱內(nèi)存芯片價格10家公司4.03億美元
歐盟委員會星期三宣布對包括三星電子在內(nèi)的10家內(nèi)存芯片廠商合謀操縱內(nèi)存芯片價格一共處以3.31億歐元(4.03億美元)。歐盟委員會稱，這些公司(多數(shù)是非歐洲的公司)在1998年至2002年期間共享秘密信息使他們能夠制定價格
-
4月份全球芯片銷售收入小幅下降
據(jù)卡內(nèi)基投資銀行分析師稱，今年4月全球芯片銷售收入的三個月平均值從3月份的230.6億美元下降到了229億美元。由于芯片行業(yè)是與自己在2009年經(jīng)歷的銷售急劇下降相比，4月份的銷售收入比去年同期增長了46%，而3月份的同
-
三星斥156億美元巨資擴大產(chǎn)能競爭對手咋舌
三星電子前日宣布，今年的擴張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計劃將以11兆韓元擴充內(nèi)存芯片產(chǎn)能，還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器(LCD)，以及電視與手機業(yè)務(wù)。此外，加上研發(fā)支出，預(yù)計三星今
-
三星電子高管:內(nèi)存芯片供應(yīng)短缺局面將持續(xù)至2010年底
三星電子（Samsung Electronics Co.）芯片部門負(fù)責(zé)人權(quán)五鉉（Kwon Oh-hyun）5月4日表示，全球內(nèi)存芯片市場預(yù)計將持續(xù)供應(yīng)短缺直至2010年年底。三星電子發(fā)言人援引權(quán)五鉉在一次與業(yè)界官員會議上的話表示，“由于一些競
-
爾必達2010財年凈利20億日元三年內(nèi)首次盈利
據(jù)國外媒體報道，日本最大的計算機內(nèi)存芯片制造商爾必達周三發(fā)布了該公司2010財年初步財報。財報顯示，受內(nèi)存芯片價格上漲及PC銷量增長的推動，爾必達在過去三年中首次實現(xiàn)盈利。內(nèi)存價格的大幅上漲，使得處于長期虧
-
三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。 三星稱，2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片
-
三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。 三星稱，2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片的耗電
-
三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM
-
三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)
-
三星電子預(yù)期上半年芯片業(yè)務(wù)利潤超35億美元
據(jù)國外媒體報道，韓國三星電子預(yù)期今年其芯片業(yè)務(wù)今年上半年營運利潤將超過4萬億韓元(35億美元)。三星電子是全球最大的內(nèi)存芯片制造商，據(jù)消息人士透露，此前該公司預(yù)期全年芯片業(yè)務(wù)僅會產(chǎn)生4.4萬億韓元(約合39億美元
-
美光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計劃將專注于制程提升
繼三星，力晶等內(nèi)存芯片大廠對內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后，美光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計劃，美光表示他們將專注與縮減內(nèi)存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前，
-
美光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計劃 將專注于制程提升
繼三星，力晶等內(nèi)存芯片大廠對內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后，美光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計劃，美光表示他們將專注與縮 減內(nèi)存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前，
-
壞消息：DDR2/DDR3芯片價格仍保持漲勢
1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格最近雙雙上漲到了接近3美元的價位，顯示目前內(nèi)存芯片市場仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來源表示，造成這種局面 的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動作;另外一
-
全球第二大內(nèi)存芯片制造商海力士更換CEO
北京時間2月25日消息，據(jù)國外媒體報道，韓國半導(dǎo)體制造商海力士債權(quán)方今日任命權(quán)五哲（O.C.Kwon）為公司新任首席執(zhí)行官，接替此前的金鐘甲（KimJong-Kap），金將出任公司董事長一職。債權(quán)方同時宣布將在今年出售公司
-
三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gb
-
三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4GbDDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4GbDDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GBRDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GBSO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps，功
-
三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps
-
傳歐盟將起訴三星等內(nèi)存芯片廠商操縱價格
消息人士透露，歐盟監(jiān)管機構(gòu)計劃對三星電子、英飛凌、海力士等十家內(nèi)存芯片廠商提供訴訟，指責(zé)這些廠商操控價格，違背歐盟反壟斷法規(guī)。消息人士稱，歐盟委員會的指控有可能在本周或下周做出。三星電子和海力士分別是
-
三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。三星稱，2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片的耗電量減少了30%，生產(chǎn)
