據(jù)國外媒體報(bào)道,全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士周一宣布,該公司將以5220億韓元(約合4.37億美元)的價(jià)格,收購合作伙伴 Numonyx持有的旗下一家中國工廠的股份。 海力士將收購Numonyx持有的這家工廠的全部股份。
(編譯/林靖東)北京時(shí)間5月19日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,歐盟今日正式宣布以非法操縱價(jià)格為由對(duì)包括三星在內(nèi)的10家內(nèi)存芯片廠商處以總計(jì)3.31億歐元(約合4.03億美元)的罰款。歐盟委員會(huì)發(fā)表聲明稱,這些內(nèi)存芯片廠商大
歐盟委員會(huì)星期三宣布對(duì)包括三星電子在內(nèi)的10家內(nèi)存芯片廠商合謀操縱內(nèi)存芯片價(jià)格一共處以3.31億歐元(4.03億美元)。歐盟委員會(huì)稱,這些公司(多數(shù)是非歐洲的公司)在1998年至2002年期間共享秘密信息使他們能夠制定價(jià)格
據(jù)卡內(nèi)基投資銀行分析師稱,今年4月全球芯片銷售收入的三個(gè)月平均值從3月份的230.6億美元下降到了229億美元。由于芯片行業(yè)是與自己在2009年經(jīng)歷的銷售急劇下降相比,4月份的銷售收入比去年同期增長了46%,而3月份的同
三星電子前日宣布,今年的擴(kuò)張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計(jì)劃將以11兆韓元擴(kuò)充內(nèi)存芯片產(chǎn)能,還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器(LCD),以及電視與手機(jī)業(yè)務(wù)。此外,加上研發(fā)支出,預(yù)計(jì)三星今
三星電子(Samsung Electronics Co.)芯片部門負(fù)責(zé)人權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)5月4日表示,全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)預(yù)計(jì)將持續(xù)供應(yīng)短缺直至2010年年底。三星電子發(fā)言人援引權(quán)五鉉在一次與業(yè)界官員會(huì)議上的話表示,“由于一些競(jìng)
據(jù)國外媒體報(bào)道,日本最大的計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片制造商爾必達(dá)周三發(fā)布了該公司2010財(cái)年初步財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示,受內(nèi)存芯片價(jià)格上漲及PC銷量增長的推動(dòng),爾必達(dá)在過去三年中首次實(shí)現(xiàn)盈利。內(nèi)存價(jià)格的大幅上漲,使得處于長期虧
據(jù)國外媒體報(bào)道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱,30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用,準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。 三星稱,2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報(bào)道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱,30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用,準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。 三星稱,2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片的耗電
三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓,可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM
三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓,可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)
據(jù)國外媒體報(bào)道,韓國三星電子預(yù)期今年其芯片業(yè)務(wù)今年上半年?duì)I運(yùn)利潤將超過4萬億韓元(35億美元)。三星電子是全球最大的內(nèi)存芯片制造商,據(jù)消息人士透露,此前該公司預(yù)期全年芯片業(yè)務(wù)僅會(huì)產(chǎn)生4.4萬億韓元(約合39億美元
繼三星,力晶等內(nèi)存芯片大廠對(duì)內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后,美光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃,美光表示他們將專注與縮減內(nèi)存芯片的制程尺寸,以便提升自己的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。不久前,
繼三星,力晶等內(nèi)存芯片大廠對(duì)內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后,美光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃,美光表示他們將專注與縮 減內(nèi)存芯片的制程尺寸,以便提升自己的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。不久前,
1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格最近雙雙上漲到了接近3美元的價(jià)位,顯示目前內(nèi)存芯片市場(chǎng)仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來源表示,造成這種局面 的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實(shí)施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動(dòng)作;另外一
北京時(shí)間2月25日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,韓國半導(dǎo)體制造商海力士債權(quán)方今日任命權(quán)五哲(O.C.Kwon)為公司新任首席執(zhí)行官,接替此前的金鐘甲(KimJong-Kap),金將出任公司董事長一職。債權(quán)方同時(shí)宣布將在今年出售公司
三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓,可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條,性能1.6Gb
三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4GbDDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓,可組裝成16/32GBRDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GBSO-DIMM筆記本內(nèi)存條,性能1.6Gbps,功
三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓,可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條,性能1.6Gbps
消息人士透露,歐盟監(jiān)管機(jī)構(gòu)計(jì)劃對(duì)三星電子、英飛凌、海力士等十家內(nèi)存芯片廠商提供訴訟,指責(zé)這些廠商操控價(jià)格,違背歐盟反壟斷法規(guī)。消息人士稱,歐盟委員會(huì)的指控有可能在本周或下周做出。三星電子和海力士分別是