超級(jí)本低功耗固態(tài)硬盤未來幾年將激增

超級(jí)本低功耗固態(tài)硬盤未來幾年將激增

低壓差低功耗三端穩(wěn)壓器電路

低功耗升、降壓開關(guān)穩(wěn)壓器電路

低功耗電源穩(wěn)壓器ADM66306

低功耗電源穩(wěn)壓器ADM66305

低功耗電源穩(wěn)壓器ADM66304

低功耗電源穩(wěn)壓器ADM66303

低功耗電源穩(wěn)壓器ADM66302

低功耗電源穩(wěn)壓器ADM66301

低功耗單芯片高性能音頻CODEC的設(shè)計(jì)

近年來隨著主流工藝線寬的不斷縮小到90nm以下，同時(shí)人們對(duì)數(shù)字音頻回放的質(zhì)量要求越來越高，集成在SOC內(nèi)部的音頻處理模塊慢慢的轉(zhuǎn)變?yōu)閱涡酒鉀Q方案。這樣就對(duì)單芯片音頻CODEC的功耗，性能和功能提出了更高的要求。

降低IC功耗的方法簡介

在許多設(shè)計(jì)中，功耗已經(jīng)變成一項(xiàng)關(guān)鍵的參數(shù)。在高性能設(shè)計(jì)中，超過臨界點(diǎn)溫度而產(chǎn)生的過多功耗會(huì)削弱可靠性。在芯片上表現(xiàn)為電壓下降，由于片上邏輯不再是理想電壓條件下運(yùn)行的那樣，功耗甚至?xí)绊憰r(shí)序。為了處理功

“屏”成手機(jī)差異化途徑，多種技術(shù)爭奇斗艷

日前，天馬微電子股份有限公司2012年新技術(shù)產(chǎn)品發(fā)布會(huì)在深舉行，展示了天馬公司一年來在AM-OLED、LTPS、SIP、裸眼3D、CTP和e-paper等最新顯示技術(shù)上的進(jìn)展，并透露業(yè)界目前十分關(guān)注的in-cell技術(shù)上，天馬已取得突破，

超級(jí)本固態(tài)硬盤未來幾年將激增

據(jù)IHS iSuppli公司，低功耗將是驅(qū)動(dòng)超級(jí)本固態(tài)硬盤(SSD)增長的重要因素，明年SSD出貨量預(yù)計(jì)增長一倍以上。 預(yù)計(jì)2013年SSD出貨量將達(dá)到9200萬個(gè)，而今年和去年分別是4100萬和1700萬個(gè)，如圖所示。明年過后仍將強(qiáng)勁增長

TI低功耗高性能煙霧探測器解決方案

超低功耗、極低成本、高性能煙霧探測器使用 20 引腳 MSP430F1101。 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)煙霧探測器是為 3 種基本類型的系統(tǒng)實(shí)施而設(shè)計(jì)的：獨(dú)立式、無線連接和固定/有線連接，前 2 種需要電池供電。煙霧探測器具有 3 個(gè)主功

三菱電機(jī)引領(lǐng)光通訊市場邁向高速時(shí)代

三菱電機(jī)日前在CIOE 2012展上會(huì)見了記者，三菱電機(jī)高頻光器件工廠光器件部部長渡邊齊博士與記者深入交流了三菱電機(jī)的未來發(fā)展計(jì)劃。 聚焦中國市場　 三菱電機(jī)積累了50多年激光器研發(fā)的經(jīng)驗(yàn)，能夠提供高品質(zhì)、高可靠

手機(jī)屏幕下一步的發(fā)展方向在哪？

手機(jī)硬件十年來一直發(fā)展緩慢，2003年前后，微軟推出了smartphone，手機(jī)開始堆硬件。2007年，蘋果手機(jī)的出現(xiàn)大大加快了堆硬件的速度，安卓的跟進(jìn)更是讓堆硬件登峰造極。2007年的iphone，CPU性能相當(dāng)于早期的奔騰2，屏

低功耗MCU在家電中的應(yīng)用介紹

最近幾年由于人們對(duì)環(huán)保的重視，市場上開始關(guān)注節(jié)能低碳的電子產(chǎn)品，對(duì)家電等電子產(chǎn)品的低功耗性能也提高了要求，低功耗MCU在家庭的各種電器產(chǎn)品上將占據(jù)重要地位?！≡谥悄芗译姰a(chǎn)品通電后，MCU就開始啟動(dòng)，由于MCU所

GLOBALFOUNDRIES發(fā)布14nm工藝，2014年開始量產(chǎn)

美國晶圓代工巨頭GLOBALFOUNDRIES于2012年9月20日發(fā)布了用于移動(dòng)終端等配備的14nm級(jí)SoC（System on a Chip）的工藝“14XM（eXtreme Mobility）”（英文發(fā)布資料）。將采用三維構(gòu)造的Fin FET取代20nm級(jí)之前的平面構(gòu)造

中芯推出1.2伏低功耗嵌入式EEPROM平臺(tái)

中芯國際宣布，推出1.2伏（V）低功耗嵌入式EEPROM的平臺(tái)，與其0.13微米（um）低漏電（LL）工藝完全相容。 該平臺(tái)經(jīng)過流片以及IP驗(yàn)證，在降低功耗、晶片尺寸和成本的同時(shí)，能提高資料的安全性。這個(gè)新平臺(tái)為中芯國

中芯國際推出0.13微米1.2V低功耗嵌入式EEPROM平臺(tái)

21ic訊 中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際")日前宣布推出其1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平臺(tái)，與其0.13微米(um)低漏電(LL)工藝完全兼容。該平臺(tái)經(jīng)過流片以及IP驗(yàn)證，在降低功耗、芯片尺寸和成本的同時(shí)，能提高