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  • 傳富士康正在籌建12英寸芯片廠，定位珠海

    代工手機制造的富士康也要進軍芯片行業(yè)了，是要效仿臺積電嗎? 富士康欲染指大陸芯片制造業(yè)的野心漸漸顯現。據報道，富士康已經與珠海政府簽訂了一項協(xié)議，富士康將在珠海地區(qū)興建一間12英寸芯片廠，總投資額90億美金。據日經報道，這一大筆投資將由珠海市政府通過政府補貼及減稅的方式進行投資補償。這間12英寸芯片廠項目預計2020年啟建。 這間芯片廠未來將主要用于生產UHD電視用芯片，圖像傳感器以及其它各種傳感器芯片。工廠的終極目標是制造機器人及汽車用高級芯片產品。 富士康拒絕就此報道進行任何評論。 此前臺灣島內芯片業(yè)界普遍猜測富士康正在籌建12英寸芯片廠。過去富士康意圖收購東芝的存儲芯片部門但終告失敗，不過這次事件并沒有熄滅他們圖謀涉足芯片制造業(yè)的野心。   富士康主席郭臺銘曾表示將采取措施增強富士康在半導體制造領域的發(fā)展。公司設立了新的集團以便整合公司的半導體制造資源，還委派了原屬夏普的Young Liu擔任該集團的領導。 富士康旗下目前與芯片有關的企業(yè)包括半導體制造設備供應商京鼎精密科技(股)公司(Foxsemicon Integrated Technology)，封裝測試供應商訊芯科技(Shunsin Technology)，芯片設計公司天鈺科技(Fitipower Integrated Technology Inc.)，芯片設計服務提供商虹晶科技(Socle Technology),除此以外，富士康旗下還有一條原屬夏普Fab4的8英寸芯片產線。 市場觀察人士認為，富士康與珠海政府的這項計劃折射出中國政府增強半導體產品自給自足能力的急迫心理。擁有政府資金支持的富士康將幫助中國政府增強其半導體產品的自給自足能力。 根據“中國制造2025”計劃，到2020年，大陸自產半導體產品的國內市場需求率將達到40%，到2025年則要達到70%，因此擴展芯片制造產能便成為一項當務之急。 盡管擁有大陸政府的財政支持，但富士康仍不得不面對包括人才緊缺等方面的許多挑戰(zhàn)， 另一方面，近期包括臺積電，聯(lián)電在內的代工廠12英寸產能利用率均普遍低于預期。加上還有許多新12英寸廠(特別是大陸地區(qū))都計劃在不久的將來投入使用，這樣預計未來幾年內12英寸廠的總產出量還會進一步攀升(利用率低的問題還會進一步發(fā)酵?)。

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  • Soitec 2019上半年財報強勁增長 FD-SOI技術迎來發(fā)展的春天

    SOI (Silicon-On-Insulator絕緣體上硅)是一種用于集成電路制造的新型原材料，替代目前大量應用的體硅(Bulk Silicon) 。作為一種全介質隔離技術，SOI 材料研究已有 20 多年的歷史。 在22nm工藝以下，FinFET的成本優(yōu)勢不再明顯，而FD-SOI(Fully Depleted-Silicon-On-Insulator，薄膜全耗盡絕緣襯底上的硅)則提供了一個理想的替代方案。與體硅材料相比，FD-SOI具有如下優(yōu)點：1、減小了寄生電容，提高了運行速度;2、由于減少了寄生電容，降低了漏電，具有更低的功耗;3、消除了閂鎖效應;4、抑制了襯底的脈沖電流干擾，減少了軟錯誤的發(fā)生;5、與現有硅工藝兼容，還可減少工序。 而在RF-SOI方面，得益于優(yōu)異的性價比優(yōu)勢，RF-SOI技術已廣泛應用于智能手機、WiFi等無線通訊領域，國際上用于手機的射頻器件，大部分也已經從化合物半導體技術升級到RF-SOI技術。 預計到2022年，SOI 市場將實現29%的年復合增長率，產業(yè)規(guī)模達到18億美元。 最近，全球領先的創(chuàng)新半導體材料設計制造商Soitec公布了其2019財年上半年的業(yè)績(截至2018年9月30日)。該財務報表顯示，Soitec實現了強勁營業(yè)收入增長。 眾所周知，Soitec是一家來自法國的知名絕緣硅(SOI)晶圓制造商，已實現FD-SOI基板的高良率成熟量產，其300mm晶圓廠能夠支持28nm、22nm及更為先進的節(jié)點上大規(guī)模采用FD-SOI技術。 隨著FD-SOI技術在系統(tǒng)芯片(SoC)設備的設計中越發(fā)受到關注，Soitec的業(yè)務也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財務報表即可見一斑。 其財報顯示，19財年上半年的合并銷售額為1.869億歐元，較上一財年增長31%。19財年上半年毛利潤達到6,610萬歐元，高于18財年上半年的4,630萬歐元。 Soitec首席執(zhí)行官Paul Boudre評論道：“今年上半年，我們實現了強勁的營業(yè)收入增長，盈利能力進一步提高，與全年財測一致。經營現金流盈余和適時發(fā)行的可轉換債券使我們能夠為高水平的資本支出提供資金、償還信貸額度，并以強勁的現金狀況完成上半年工作。 Soitec預計， 19財年的銷售額增長有望超過35%。預計RF-SOI(200-mm)和Power-SOI(200-mm)的需求穩(wěn)定，同時，伴隨FD-SOI和300-mm RF-SOI晶圓銷量的進一步增長，預計19財年下半年Soitec的300-mm業(yè)務持續(xù)增長。(文/wly)

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  • 國產5nm刻蝕機通過驗證，將用于臺積電5nm芯片制造

    近日，臺積電對外宣布，將在2019年第二季度進行5nm制程風險試產，預計2020年量產。與此同時，中微半導體也透露了一個重磅消息，其自主研發(fā)的5nm等離子體刻蝕機經臺積電驗證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5nm制程生產線。 值得一提的是，中微半導體也是唯一進入臺積電7nm制程蝕刻設備的大陸本土設備商。據悉，中微半導體與臺積電在28nm制程時便已開始合作，并一直延續(xù)到10nm和7nm制程。 而中微半導體如此亮眼成績的背后，離不開尹志堯和他團隊的多年努力。 他放棄國外百萬年薪工作，只為一顆“中國芯” 研究顯示，2015-2020年中國半導體芯片產業(yè)投資額將達到650億美元，其中芯片制造設備投資額就將達到500億美元。但是中國芯片制造設備的95%都是依賴于進口，也就是說需要花480億到國外購買設備。這也使得中國芯片制造設備的國產化成為了一件非常迫切的事情。 在美國硅谷從事半導體行業(yè)20多年的尹志堯，其在世界最大的半導體設備企業(yè)——美國應用材料公司擔任總公司副總裁，曾被譽為“硅谷最有成就的華人之一”，參與了美國幾代等離子體刻蝕機的研發(fā)，擁有60多項技術專利。   2004年，當時已經60歲的尹志堯放棄了美國的百萬年薪，帶領三十多人的團隊，沖破美國政府的層層審查(所有人都承諾不把美國的技術帶回中國，包括所有工藝配方、設計圖紙，一切從零開始)，回國創(chuàng)辦了中微半導體，他要在芯片制造設備領域與國際巨頭直接競爭，取得一席之地。 成功打破國外壟斷 等離子體刻蝕機是芯片制造環(huán)節(jié)的一種關鍵設備，其是在芯片上進行微觀雕刻，刻出又細又深的接觸孔或者線條，每個線條和深孔的加工精度是頭發(fā)絲直徑的幾千分之一到上萬分之一。這對刻蝕機的控制精度要求非常高。   據介紹，一個16nm的微觀邏輯器件有60多層微觀結構，要經過1000多個工藝步驟，要攻克上萬個技術細節(jié)才能加工出來。只看等離子體刻蝕這個關鍵步驟，它的加工尺度為普通人頭發(fā)絲的五千分之一，加工的精度和重復性要達到五萬分之一。足見難度之高。 長期以來，蝕刻機的核心技術一直被國外廠商所壟斷。2004年尹志堯回國創(chuàng)辦中微半導體之初就將目光鎖定在了刻蝕機領域。 中微半導體在剛剛涉足IC芯片介質刻蝕設備時，就推出了65nm等離子介質刻蝕機產品，隨著技術的進步一直做到45nm、32nm、28nm、16nm、10nm，現在7nm的刻蝕機產品已經在客戶的生產線上運行了，5nm刻蝕機也即將被臺積電采用。 “在米粒上刻字的微雕技藝上，一般能刻200個字已經是極限，而我們的等離子刻蝕機在芯片上的加工工藝，相當于可以在米粒上刻10億個字的水平。”中微半導體CEO尹志堯曾這樣形容到。 經過多年的努力，中微半導體用實力打破了這一領域技術封鎖，成功讓中國正式躋身刻蝕機國際第一梯隊。   中微半導體首席專家、副總裁倪圖強博士表示，刻蝕機曾是一些發(fā)達國家的出口管制產品，但近年來，這種高端裝備在出口管制名單上消失了。這說明如果我們突破了“卡脖子”技術，出口限制就會不復存在。如今，中微與泛林、應用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)一起，組成了國際第一梯隊，為7nm芯片生產線供應刻蝕機。 (芯智訊注：美國商務部在2015年宣布，由于在中國已有一個非美國的設備公司做出了和美國設備公司有相同質量和相當數量的等離子體刻蝕機，所以取消了對中國的刻蝕機的出口管制。) 他還表示，明年臺積電將率先進入5nm制程，已通過驗證的國產5nm刻蝕機，預計會獲得比7nm生產線更大的市場份額。 值得一提的是，2016年，中微半導體獲得國家集成電路產業(yè)基金(大基金)4.8 億元的投資，成功成為中國芯片制造領域的國家隊。而這也凸顯了國家對于中微半導體在中國半導體設備領域的貢獻和地位的認可。 面對國外競爭對手挑釁，屢戰(zhàn)屢勝 或許正是由于中微半導體在半導體設備領域的突飛猛進，也引來了國外競爭對手挑起的知識產權訴訟。 首先發(fā)難的是尹志堯的老東家——美國應用材料公司，2007年之時，美國應用材料公司就起訴中微半導體侵權，但卻始終舉證無力(尹志堯及其團隊成員在離開美國時并未帶走任何工藝配方、設計圖紙，后續(xù)的產品設計也避開了對方的專利)，中微半導體則抓住機會適時反訴對方不正當競爭，應用材料公司顯然對這一情況準備不足，最終不得不撤訴求和。 2009年，另一巨頭美國科林研發(fā)又在臺灣起訴中微侵犯其發(fā)明專利，中微半導體則積極應對，提供其專利無效的證據，在法院的兩次審判中科林的相關專利均被判決無效，第三次臺灣“智慧財產局”甚至審定撤銷了科林的其中一項專利權，緊接著科林又對“智慧財產局”的審定提出行政訴訟，再次遭到駁回。 2016年，中微半導體在接受媒體采訪時，也詳細介紹了其應對美國行業(yè)巨頭5年侵犯商業(yè)秘密和專利權纏訴，終獲“一撤訴四連勝”的成功經歷。 當時，中微半導體公司資深知識產權總監(jiān)姜銀鑫就表示，“中微在知識產權方面相當謹慎，于公司建立初期便成立了專門的知識產權團隊，未雨綢繆，針對潛在的知識產權糾紛可能性做了大量的分析排查。在部分海歸研發(fā)團隊核心成員回國加入之前，中微便已經讓他們簽訂了不從原單位帶來技術機密的承諾書”。 2017年11月初，美國MOCVD(金屬有機化合物氣相沉積設備)設備廠Veeco宣布，美國紐約東區(qū)地方法院同意了其針對SGL Carbon，LLC(SGL)的一項初步禁令請求，禁止SGL出售采用Veeco專利技術的MOCVD使用的晶圓承載器(即石墨盤)，包括專為中國MOCVD設備商中微半導體設計的石墨盤。Veeco此舉針對的正是中微半導體。 對此，中微半導體一方面積極發(fā)展第二和第三渠道的供應商;另一方面則在中國對Veeco提起專利侵權訴訟。 中微半導體披露，其于2017年7月向福建高院正式起訴 Veeco上海，指控其TurboDisk EPIK 700型號的MOCVD設備侵犯了中微的基片托盤同步鎖定的中國專利，要求其停止侵權并主張上億元侵權損害賠償。在中微半導體起訴后，Veeco上海對該中微半導體專利向國家知識產權局專利復審委(簡稱“專利復審委”)提起無效宣告請求。 同年11月24日，專利復審委于作出審查決定，否決了Veeco上海關于中微半導體專利無效的申請，確認中微半導體起訴Veeco上海專利侵權的涉案專利為有效專利。 2017年12月8日，福建省高級人民法院同意了中微半導體針對Veeco上海的禁令申請，該禁令禁止Veeco上海進口、制造、向任何第三方銷售或許諾銷售侵犯中微第CN 202492576號專利的任何化學氣相沉積裝置和用于該等裝置的基片托盤。該禁令立即生效執(zhí)行，不可上訴。 中微半導體對于Veeco上海的勝訴，成功打擊了Veeco妄圖通過專利戰(zhàn)打擊中微半導體的企圖。 “中微在過去11年輪番受到美國設備大公司的法律訴訟，但我們由于有堅固的知識產權防線，完全遵守美國和各國知識產權法律，一直處于不敗之地。”今年7月，尹志堯在接受“觀察者網”采訪時這樣說到。 堅持自主創(chuàng)新，專利超800件 而在面對國外競爭對手的挑釁，屢屢獲勝的背后，則是中微半導體長期以來堅持自主研發(fā)所獲得的過硬的自主技術專利。 據了解，目前中微的反應臺交付量已突破582臺;單反應臺等離子體刻蝕設備已交付韓國領先的存儲器制造商;雙反應臺介質刻蝕除膠一體機研制成功，這是業(yè)界首次將雙反應臺介質等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應腔整合在同一個平臺上。 同時，中微一些基礎的研發(fā)也不斷地跟進尖端技術，以保證產品的研發(fā)能夠緊緊跟上甚至領先于國際上的技術發(fā)展水平。 中微半導體首席專家、副總裁也表示，刻蝕尺寸的大小還與芯片溫度有一一對應關系，中微自主研發(fā)的部件使刻蝕過程的溫控精度保持在0.75攝氏度內，達到國際領先水平。 氣體噴淋盤是刻蝕機的核心部件之一，中微半導體聯(lián)合國內其他科技公司開發(fā)出了一套創(chuàng)新工藝，用這套工藝制造的金屬陶瓷，其晶粒十分精細、致密。與進口噴淋盤相比，國產陶瓷鍍膜的噴淋盤使用壽命延長一倍，造價卻不到五分之一。 正是由于在刻蝕機及相關領域的不斷突破和創(chuàng)新，也使得中微半導體在刻蝕機市場份額快速增長。 資料顯示，截至2017年8月，中微已有500多個介質刻蝕反應臺，并在海內外 27 條生產線上生產了約 4000 多萬片晶圓;同時，中微還開發(fā)了 12 英寸的電感型等離子體 ICP 刻蝕機;此外，中微還開發(fā)了 8 英寸和 12 英寸 TSV 硅通孔刻蝕設備，不僅占有約50%的國內市場，而且已進入臺灣、新加坡、日本和歐洲市場，尤其在 MEMS 領域擁有意法半導體(ST)、博世半導體(BOSCH) 等國際大客戶。 而在專利方面，中微半導體共申請了超過800件相關專利，其中絕大部分是發(fā)明專利，并且有一半以上已獲授權。 目前尹志堯的團隊精英中，上百人都曾是美國和世界一流的芯片和設備企業(yè)的技術骨干，大都有著20到30多年半導體設備研發(fā)制造的經驗。而且這些工程師們必須有著物理、化學、機械、工程技術等50多種專業(yè)知識背景。 今年4月，中微半導體 CEO 尹志堯在公開合表示，目前中微半導體在全球各地已經建置共計 582 臺刻蝕反應臺，并預期今年將增長至 770 臺。目前中微半導體產品已經進入第三代 10nm、7nm 工藝，并進入晶圓廠驗證生產階段，即將進入下一世代 5nm、甚至 3.5 nm 工藝。 尹志堯表示，未來十年將持續(xù)開發(fā)新產品，擴大市場占有率，中微的目標是：2020 年 20 億元、2050 年 50 億元，并進入國際五強半導體設備公司。 5nm刻蝕機意味著什么? 不過，需要注意的是中微半導體5nm刻蝕機的研發(fā)成功和獲得臺積電采用，并不代表著中國大陸就可以自己生產5nm工藝芯片了。因為芯片的生產工藝非常的復雜，刻蝕只是眾多關鍵環(huán)節(jié)當中的一環(huán)。   但是，很多自媒體為了吸引眼球，卻往往故意夸大事實，以點概面，以5nm刻蝕機這一個環(huán)節(jié)上的突破，就大肆宣揚“中國已打破國外壟斷，掌握5nm技術”、“中國已可以制造5nm芯片”。 在去年尹志堯在接受央視媒體采訪曾表示，“國際上最先進的芯片生產公司像英特爾、臺積電、三星，它們的14nm已經成熟生產了，10nm和7nm很快進入生產，所以我們必須超前，5nm今年年底基本上就要定了，現在進展特別快，幾乎一年兩年就一代，所以我們就趕得非常緊。” 顯然，尹志堯在視頻中所指的5nm是指的5nm的刻蝕機。但是，隨后這段采訪就被一大波媒體斷章取義，不顧事實的大肆吹噓。搞得尹志堯不得不在朋友圈發(fā)文辟謠：“中微不是制造芯片的，只是為芯片廠提供設備”。“如此墮落的文風誤國誤民，給真正埋頭苦干的科學家和工程師添堵添亂添麻煩。” 尹志堯今年在接受采訪時再次強調：“宣傳要實事求是，不要夸大，更不要為吸引眼球，無中生有，無限上綱。說我們的刻蝕機可以加工5納米器件，也只是100多個刻蝕步驟中的幾步。” 確實，正如我們前面所說，刻蝕只是芯片制造眾多關鍵環(huán)節(jié)當中的一環(huán)，在先進制程的刻蝕設備領域取得突破雖然可喜，但是在其他如光刻機等領域，中國仍處于嚴重落后。目前國內進展最快的上海微電子也只是實現了 90nm 光刻機的國產化。 當然，我們也不能妄自菲薄，除了中微半導體之外，不少國產半導體設備廠商也在一些相關領域的先進制程設備上取得了突破。比如，在14nm 領域，硅/金屬刻蝕機(北方華創(chuàng))、薄膜沉積設備(北方華創(chuàng))、單片退火設備(北方華創(chuàng))和清洗設備(上海盛美)已經開發(fā)成功，正在客戶端進行驗證。 相信隨著國產半導體設計及設備廠商的努力，以及中國半導體市場的需求快速增長的拉動，中國芯將會越來越強大。

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  • 超越韓國 中國成全球最大半導體設備市場

    據中國半導體設備市場規(guī)模不斷擴大，已超過了韓國，成為全球最大市場。 韓國亞洲日報12月5日報道，最新數據顯示，中國首次超越韓國成為全球最大半導體設備市場。據國際半導體設備與材料協(xié)會(SEMI)5日消息，今年三季度韓國半導體設備出貨規(guī)模為34.5億(1美元約合6.87元人民幣)美元，環(huán)比減少29%，同比減少31%。這是韓國自2016年1季度(16.8億美元)以后設備出貨規(guī)模首次出現下滑。半導體設備市場是反映半導體行業(yè)的先導指標，有分析認為，此番半導體設備出貨規(guī)模減少意味著韓國半導體產業(yè)亮起紅燈。 韓國2016年三季度以后半導體設備出貨規(guī)模激增。由于DRAM和閃存芯片市場前景良好，三星電子和SK海力士一直在積極擴建生產線。2017年一季度，韓國半導體設備出貨金額達到35.3億美元，首次超越中國臺灣(34.8億美元)，成為全球最大的半導體設備市場。2018年一季度，韓國半導體設備市場規(guī)模創(chuàng)歷史新高，達到62.6億美元，此后出現下滑，二季度僅為48.6億美元，三季度韓國拱手讓出蟬聯(lián)6個季度的首位，半導體設備市場規(guī)模僅為34.5億美元，屈居第二。 半導體業(yè)界有關人士表示，今年上半年芯片市場形勢良好，但是進入下半年需求減少，市場景氣下滑，加之三星電子、SK海力士調整投資計劃，整體設備市場規(guī)模有所減小。 中國半導體設備市場規(guī)模不斷擴大。三季度中國半導體設備市場規(guī)模為39.8億美元，環(huán)比增長5%，同比增長106%，成為全球最大半導體設備市場。2017年三季度時，中國半導體設備市場規(guī)模還僅僅只有19.3億美元，當時僅為韓國市場規(guī)模的五分之二，短短一年，中國便實現反超，市場規(guī)模擴大了兩倍。 中國半導體市場近幾年快速發(fā)展，越來越多的公司也表達了進入芯片領域的興趣。以存儲芯片為例，以前中國國內存儲芯片完全靠進口，今年福建晉華集成電路的內存生產線有望投產，另外長江存儲科技公司也在建設內存和閃存芯片生產線。格力、康佳等傳統(tǒng)家電企業(yè)也表示，將進入芯片領域。 據國際半導體設備與材料協(xié)會報告顯示，中國目前正在北京、天津、西安、上海等16個地區(qū)打造25個FAB建設項目，福建晉華集成電路、長江存儲科技公司等企業(yè)技術水平雖不及韓國，但均已投入芯片量產。報告預測，今年中國半導體設備市場規(guī)模有望達118億美元，同比實現43.9%的增長，明年市場規(guī)模有望擴大至173億美元，增長46.6%，成為全球第一大市場。而同一時期內韓國的半導體設備市場規(guī)模從179.6億美元減少至163億美元，減幅為9.2%。 中國這幾年快速上馬了多個半導體晶圓生產廠，量產在即，對設備的需求自然快速增長。

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  • MOSFET醞釀下一波漲價 DRAM跌幅卻持續(xù)加大

    MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經開始，一直持續(xù)到現在。到了2018年，MOSFET產能繼續(xù)大缺，下半年出現缺貨潮，ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產能，臺廠大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿，接單能見度直至年底，正醞釀下一波價格調漲。 據了解，MOSFET的這波漲價主要由于上游晶圓代工廠產能有限，加之需求市場火爆，引發(fā)缺貨潮。業(yè)界預料以目前MOSFET缺貨情況判斷，供給吃緊可能持續(xù)至2019年上半年。這其中，汽車及工業(yè)應用對MOSFET需求上漲是一方面推手，另一方面，大型企業(yè)重新聚焦于更高端、毛利率更高的產品，如汽車及工業(yè)應用的IGBT、碳化硅MOSFET、超接面MOSFET，使得通用MOSFET與IGBT的交期增加至6個月以上，這為MOSFET的供應緊張更加了一把火。   另外，據12.3日消息，G20峰會之后，中美貿易緊張情勢趨緩，晶圓與MOSFET在市場持續(xù)供不應求，缺貨情況繼續(xù)發(fā)酵，再度成為資金追逐焦點，激勵晶圓和MOSFET的股價上漲。 晶圓廠環(huán)球晶透露，至9月底預收款高達220億元新臺幣，較第2季增加88億元新臺幣，并創(chuàng)下歷史新高紀錄，顯示客戶需求強勁。環(huán)球晶預期，明年平均單價將高于目前水平，2020年報價將持平或小幅上揚。MOSFET廠杰力預期，明年上半年MOSFET市場仍將維持供不應求熱況，產品還有漲價空間。 與此形成鮮明對比的是，前一段時間不斷漲價的DRAM開始走下坡路了! 據集邦咨詢的最新報告，第四季DRAM合約價二次下修，2019年第一季跌幅持續(xù)擴大。 報告中指出，今年第四季DRAM價格正式反轉向下，11月合約價甚至出現二次下修的狀況，以目前成交方式來看，已有部分比重的合約價改以月(monthly deal)方式進行議價，顯示買方對于DRAM價格后勢看法悲觀，預計2019年第一季DRAM合約價跌幅將持續(xù)擴大。 以今年11月來看，4GB與8GB的價格除了高價仍有維持之外，在中低價都已調降，主流模組4GB的均價較10月的31美元滑落至30美元，跌幅3.2%;8GB亦同，均價由上個月的61美元滑落至60美元，跌幅1.6%。 觀察今年第四季DRAM平均銷售單價有近8%的跌幅，其中以標準型存儲器、服務器存儲器與利基型存儲器為最，季跌幅都接近10%;而行動式存儲器由于先前缺貨時漲價幅度較小，因此第四季的跌幅相對較小，僅約5%。 展望明年第一季，DRAMeXchange指出，供給面較2018年第四季持續(xù)增加，主要來自于1Ynm制程良率持續(xù)改善、投入比重持續(xù)增加，以及三星平澤廠在今年第四季的持續(xù)增產;而每年首季都是傳統(tǒng)需求淡季，加上2019年第一季智能手機的出貨力道恐怕較往年更為疲弱，恐將造成行動式存儲器價格跌幅擴大。從整體DRAM價格來看，明年第一季跌幅較今年第四季更為顯著恐怕是不可避免的狀況。 供給增加、需求更趨弱化，DRAM整體市況將持續(xù)走弱，看來短期內，DRAM是逃不脫跌跌不休的命運了。

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  • 歷史性突破 ISSCC 2019審稿會上 中國圖像傳感器企業(yè)論文首次入選

    剛剛結束審稿的舊金山國際固態(tài)電路會議ISSCC 2019，中國獲得了歷史性的突破，共有九篇論文入選。其中，由思特威(SmartSens)所提交的其在圖像傳感器(CMOS Image Sensor，CIS)領域的最新研究成果(論文)《A Stacked Global-Shutter CMOS Imager with SC-Type Hybrid-GS Pixel and Self-Knee Point Calibration Single-Frame HDR and On-Chip Binarization Algorithm for Smart Vision Applications》被舊金山國際固態(tài)電路會議ISSCC 2019收錄。(其余論文分別來自清華大學、復旦大學、上海交大等中國知名院校及ADI中國) 該項研究成果(論文)是國際固態(tài)電路會議ISSCC首次收錄來自中國圖像傳感器企業(yè)的技術成果!這一重要突破不但表明思特威在CIS技術領域的研究成果獲得了全球學術界及產業(yè)界的最高認可，更是中國優(yōu)秀半導體企業(yè)在CIS領域取得的里程碑式成就。 國際固態(tài)電路會議IEEE ISSCC(International Solid-State Circuits Conference簡稱ISSCC)，是世界學術界和企業(yè)界公認的集成電路設計領域最高級別會議。這一始于1953年的行業(yè)頂級大會，歷史上曾成為多項集成電路里程碑式發(fā)明的首次披露場合。由于國際固態(tài)電路會議在國際學術、產業(yè)界受到極大關注，因此被稱為集成電路行業(yè)的奧林匹克大會。每年吸引了超過3000名來自世界各地工業(yè)界和學術界的參加者。 在國際固態(tài)電路會議(ISSCC)舉行的六十年中曾為許多“世界第一”的研究成果提供了展現的舞臺，很多集成電路發(fā)展中里程碑式的發(fā)明都是在該會議上首次披露，如世界上第一個集成模擬放大器電路(1968年),世界上第一個8-bit microprocessor (1974年), 世界上第一個32-bit microprocessor (1981年), 世界上第一個1Gb的DRAM (1995年), 世界上第一個GHz的微處理器 (2002), 世界上第一個多核處理器 (2005年)等等。 作為此次突破性被收錄的學術成果(論文)的重要作者、思特威首席技術官莫要武博士表示：“我們很高興能夠獲得舊金山國際固態(tài)電路會議(ISSCC)的認可，并收錄我們在CIS領域最新的研究成果(論文)。這一成功離不開我們技術研發(fā)團隊的不懈努力，以及思特威在技術研發(fā)領域的巨大投入。CIS領域曾經長期為美國、日本廠商所壟斷，而思特威自成立之初，便希望通過技術革新與突破讓CIS市場能夠聽到‘中國聲音’，讓中國力量成為全球CIS技術發(fā)展的主要推動力之一。” 舊金山國際固態(tài)電路會議ISSCC 2019將于2019年2月17日至21日在美國舊金山舉辦，屆時思特威將在現場發(fā)表本次獲收錄的研究成果(論文)。特別值得一提的是，憑借高精尖、前瞻性研究成果，思特威受邀將在圖像傳感器技術領域的報告會上作最為重量級的開場發(fā)表，介紹其研究成果。國際固態(tài)電路會議(ISSCC)專題報告會的開場演講中所發(fā)表的研究成果是報告會的重中之重，全面引領該領域的技術發(fā)展方向，之前一直被國外傳感器巨頭企業(yè)所壟斷，此次思特威代表中國的傳感器企業(yè)，一舉打破國外傳統(tǒng)大企業(yè)的壟斷之局，不但具有劃時代的意義，更為我國未來圖像傳感器領域的迅猛發(fā)展打下堅實的技術基礎。 據了解，思特威電子科技有限公司(SmartSens Technology)是一家高性能CMOS圖像傳感器芯片設計公司，公司由獲評“國家千人計劃”的徐辰博士及多名硅谷精英于2011年創(chuàng)立，在美國硅谷和中國上海擁有一支全球領先的研發(fā)團隊。思特威專注于提供面向未來和全球領先的CMOS圖像傳感器芯片產品，是全球第一家推出基于電壓域架構和BSI工藝的全局曝光CIS芯片的公司。 目前思特威在視頻監(jiān)控領域處于行業(yè)領先地位，產品涉及安防監(jiān)控、車載影像、機器視覺及消費類電子產品(運動相機、AR、VR、智能手機)等應用領域。自成立來，思特威一直以客戶為核心，不斷創(chuàng)新，致力于為客戶提供高質量視頻解決方案。

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  • 7nm時代來臨，明年臺積電將代工100多款7nm芯片

    來自外媒的消息報道說，預計到2018年底，臺積電用7nm工藝完成流片的芯片設計將超過50款，而到2019年底會有100多款芯片采用其7nm和增強版7nm EUV極紫外光刻技術。 作為代工行業(yè)的執(zhí)牛耳者，臺積電的7nm工藝正如火如荼。即便有中美貿易戰(zhàn)、挖礦需求衰退、智能手機銷量低迷等因素影響，7nm也將幫助臺積電在第三季度達成創(chuàng)紀錄的收入之后，第四季度繼續(xù)創(chuàng)造新高。 同時，盡管傳聞蘋果砍掉了一部分A12處理器訂單，臺積電仍然預計到明年會有100多款基于7nm、7nm EUV極紫外光刻工藝的芯片完成流片，在今年50款的基礎上翻一番還多，其中不乏華為麒麟、高通、AMD、NVIDIA、Xillinx這樣的大客戶。 因此，臺積電對于7nm工藝未來幾年的前景非常樂觀，預計相關年收入可以穩(wěn)定達到100-120億美元。 極紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography)，常稱作EUV光刻，極紫外線就是指需要通過通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。業(yè)界有人曾提到，EUV 光刻的技術能夠拯救摩爾定律。 在此之前，臺積典曾宣布，7nm EVU已經完成芯片流片，魏哲家則透露，臺積電計劃在2020年大規(guī)模量產7nm EUV。 7nm EVU相比于7nm DUV晶體管密度提升20%，同等頻率下功耗可降低6-12%。 臺積電7nm目前正在全速開工，將在今年第四季度為臺積電貢獻晶圓收入的20%以上，全年比例則可接近10%，明年全年則能超過20%。

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  • 習近平：中美緊張局勢不會再升級，貿易戰(zhàn)不會產生任何贏家！

    習近平主席在亞太經濟合作組織(APEC)峰會上發(fā)表講話表示，貿易戰(zhàn)不會有真正贏家，呼吁各國維護以WTO 為核心，以規(guī)則為基礎的多邊貿易體制。     在巴布亞新幾內亞舉行的APEC 峰會上，中國主席習近平譴責美國的貿易保護主義，稱擁抱保護主義的國家“注定要失敗”，貿易保護主義為世界經濟帶來了不確定性。 美國副總統(tǒng)邁克彭斯則譴責了中國對本國有利的貿易政策，他表示在中國改變方向之前，美國不會改變方向，同時還對中國的“一帶一路”倡議進行了抨擊，并稱準備將對中國商品征收的關稅“加倍”， 習近平則表示中美之間的緊張局勢不會再升級，“歷史表明，無論是冷戰(zhàn)、熱戰(zhàn)還是貿易戰(zhàn)，對抗都不會產生任何贏家，”他對聚集在巴布亞新幾內亞首都莫爾茲比港的各國領導人說道。“人類又一次站在了十字路口”，他表示，“合作還是對抗?開放還是封閉?互利共贏還是零和博弈?如何回答這些問題，關乎各國利益，關乎人類前途命運。” 據報道，習近平和邁克彭斯曾在會場上有過兩次交談，彭斯向習近平表示，“美國希望與中國構建更加良好的關系，但是中國方面必須做出改變”，習近平則回應稱，“我認為雙方之間的對話很重要”。 據報道，11月16日，美國總統(tǒng)特朗普曾表示，如果在11月末的中美首腦會談上，中國能夠做出足夠的讓步，那兩國之間的貿易關系，就能得到改善，第四波的關稅就可不必生效。 目前為止，美國已經對2500億美元從中國進口的商品加征關稅。作為報復，中國也對1100億美元美國商品加征關稅，并實質上中斷了大豆等關鍵美國農產品的進口。

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  • 三星電子環(huán)境惡劣致近百人死亡 預計本月23日正式道歉

    對于三星這樣的巨型公司，工人們實屬弱勢群體，如果公司不能從根本上重視工人的工作環(huán)境，那工人的人身安全可想而知又能得到多少保障呢？ 據外媒報道，知情人士日稱，針對旗下半導體工廠因工作環(huán)境惡劣而導致員工患病，甚至死亡事件，三星電子預計于本月23日正式道歉。 報道稱，此次道歉也是雙方近日所達成和解協(xié)議的一部分。本月初，負責處理該糾紛的仲裁委員會宣布，已為雙方制定最終的和解協(xié)議。根據協(xié)議，三星將向患工傷的員工每人最高賠償1.5億韓元(約合91.9萬元人民幣)，具體視所患的疾病而定。 在此前的7月份，三星電子和代表工傷受害者的員工權力倡導組織“半導體產業(yè)從業(yè)人員健康和權利支持者”(以下簡稱“SHARPS”)已經達成一份協(xié)議，將無條件接受調解人就工傷賠償問題做出的裁決。 近日，據SHARPS的一位官員稱，目前雙方仍在研究和解協(xié)議的細節(jié)內容，預計于11月23日舉行簽字儀式。 負責處理該糾紛的仲裁委員會還建議，三星電子CEO應該向受影響員工致歉。而業(yè)內觀察家認為，屆時三星芯片業(yè)務負責人Kim Ki-nam可能代替CEO向員工們道歉。行業(yè)觀察家還稱，雙方簽字后，預計三星會在明年1月前啟動賠款程序。 這起事件源于2007年，當時任職于三星電子半導體工廠的黃姓工人罹患白血病身亡。后來，他的父親發(fā)現，還有另一名同事死于白血病。 早在2015年，代表著許多癌癥工人的韓國激進團體Sharps就表示，已經知曉大約有200名工人在三星工廠工作后患上癌癥，其中約70人已經去世。而最新數據顯示，截至今年6月份，共明確了其他319名受害者，其中的117人已經死亡。 據工人及外部專家認為，由于三星的生產廠存在輻射，并使用了大量危險化學品，工人們長期暴露在這種環(huán)境下很容易患病，如淋巴瘤和白血病等。 希望這樣的悲劇事件不要僅僅停留在道歉賠償的層面上，更應該做到有規(guī)可循，防患于未然，切實保護不僅是三星公司，而是整個行業(yè)的產業(yè)工人的人身健康。

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  • 院士郝躍：我國半導體發(fā)展缺乏“從0到1”的原始創(chuàng)新

    2018年11月7-8日，第三屆半導體材料器件表征及可靠性研究交流會在上海召開，本屆會議旨在加強全國各相關領域研究隊伍的交流、提供學術界與產業(yè)界相互分享最新研究成果的機會，推動我國先進電子材料與器件的發(fā)展，促進杰出青年科學家的迅速成長和協(xié)同創(chuàng)新。 會議同時邀請到了中國科學院院士、西安電子科技大學副校長郝躍，國家自然基金委、復旦大學、中國科學院上海技術物理研究所、中國科學院上海微系統(tǒng)所、南京大學、清華大學、西安電子科技大學、中科院蘇州納米所、南京工業(yè)大學、北京大學、湖南大學、山西師范大學等眾多專家學者。各位專家聚焦于當前半導體材料和器件的研究熱點，分享各自最新的研究成果。 會上，國家自然基金委員會信息學部主任、中國科學院院士郝躍做了題為“從第三代半導體進展談我國核心電子器件發(fā)展”的大會報告。郝院士首先回顧了從“十一五”到“十三五”以來，國家在核心電子器件、高端通用芯片和基礎軟件產品(簡稱“核高基”)領域的戰(zhàn)略部署，以及我國半導體與集成電路產業(yè)的發(fā)展現狀。 郝院士指出，經過多年的發(fā)展，我國半導體與集成電路產業(yè)取得了長足的進步，并一躍成為全世界最大的集成電路消費市場，在個別技術領域甚至具備了與國際同行并行的趨勢。但總體而言，我國半導體與集成電路產業(yè)跟美、日、歐相比仍存在較大的差距，“中興事件”給了我們一次深刻的警示，表明我國高端通用芯片仍然受制于人，在關乎國防安全和國民經濟的關鍵技術領域創(chuàng)新能力不足，尤其是缺乏“從0到1”的原始創(chuàng)新，企業(yè)更多的將資源聚焦在應用技術層面和產業(yè)化方面，形象的來說就是“從1到10”或“從1到n”的工作，“大而不強”，而創(chuàng)新驅動顯得尤為重要。 據悉，本次大會由泰克公司攜手復旦大學，聯(lián)合南京大學、中科院上海技術物理研究所、中國科學院納米中心共同舉辦，作為全球領先的測試、測量和監(jiān)測應用領域的電子內容監(jiān)控解決方案提供商，泰克公司展示了其半導體材料器件表征及可靠性實驗平臺及測試驗證方案的能力，介紹了其4200A在助力高校半導體材料及器件研究的發(fā)展以及新技術應用的案例，例如，幫助美國佐治亞理工大學Graham Lab實驗室實現寬禁帶半導體電子器件的可靠性分析研究，幫助伯克利實驗室實現30倍測試時間的縮短等。 據悉，此次第三屆半導體材料器件表征及可靠性研究交流會”吸引了來自各個相關領域的科技人才、研究隊伍、知名學者以及產業(yè)界和學術界的共同關注，受到了一致好評，為研究機構與企業(yè)的強強聯(lián)合，深化產學研的合作搭建了全球領先的一流平臺。

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  • 拿了美國政府41億美元補貼，富士康會兌現承諾嗎?

    據 The Verge 10 月 30 日報道，2017 年美國威斯康星州與富士康達成協(xié)議，富士康承諾將投資 100 億美元在威斯康星州建立 10.5 代 LCD 制造工廠(尺寸為 2940mm ×3370mm 的 10.5 代玻璃是當今市面上最大的液晶玻璃基板，能為 65 寸、75 寸電視提供最為經濟的切割方案)，為當地創(chuàng)造 1.3 萬個就業(yè)崗位，而政府的回報是高達 30 億美元的補貼。但隨著時間的推移，建廠計劃一改再改，補貼也增加到了 41 億美元。 2017 年 7 月，威斯康星州共和黨州長斯科特·沃克(Scott Walker)和富士康董事長郭臺銘宣布：富士康計劃在該州東南部建立一家能享受到大量補貼的制造工廠。 談及這份協(xié)議，最有趣的莫過于協(xié)議的起草，這個靈光乍現的想法最初被寫在一張餐廳的紙巾背面。 時間回到 2017 年 11 月，在簽署合同時州政府承諾，如果富士康能夠投資 100 億美元建立工廠并創(chuàng)造 1.3 萬個就業(yè)崗位，政府將提供 30 億美元的補貼。對于美國一個遠離高科技的州來說，富士康的舉措，或許會將部分高科技公司和產業(yè)引入星州，同時也帶來了遠超過預期的就業(yè)機會。沃克曾在 2010 年當選州長時承諾提供 25 萬個就業(yè)機會，而在他任期超過 6 年之后，依然距離這個目標有很遠的距離。這對于力求在 2018 年連任的沃克來說，是迫切的需要的。 沃克表示，「有很多人會爭先恐后地找出個不喜歡這種事情的理由，但我們會想辦法讓這件事繼續(xù)下去。」幾周后，他稱這筆交易是一個「千載難逢的機會」，對威斯康星州來說將是一次「變革」。「這些 LCD 顯示器將首次在美國生產，就在威斯康星州?！? 有些人預測，富士康的舉措，會將蘋果和許多其他科技設備生產商帶到威斯康辛州，并創(chuàng)建一個「威斯康辛式硅谷」。在與高科技產業(yè)不是很密切的威斯康星州，這份合同毫無疑問影響深遠。 鑒于此次建廠意義非凡，州政府對于富士康的補貼規(guī)模也令人震驚。這是威斯康星歷史上規(guī)模最大的一次補貼，也是美國政府向外國公司提供的最大一筆補貼。威斯康辛州過去也曾向企業(yè)提供補貼，但每個工作崗位的補貼從沒有超過 3.5 萬美元。相比之下，富士康所獲得的補貼是每個工作崗位 23 萬美元。 回報和代價 隨著補貼的規(guī)模穩(wěn)步增加至令人瞠目結舌的 41 億美元，富士康卻一再改變建設計劃?；氐窖a貼為 30 億美元的時候，威斯康星州財政局估計，納稅人需要到 2043 年才能收回補貼成本?；貓笾芷诔L是由于沃克在 2011 年將該州的企業(yè)所得稅降至零。這意味著，對富士康的補貼不會成為一筆稅收減免，而是將由富士康工人繳納的國家所得稅償還數十億美元的現金。在補貼已經達到 41 億美元的情況下，該州的投資回收期可能在 2050 年或更晚時間。 一些人甚至質疑是否真的能收回補貼。喬治亞大學經濟學教授杰弗里·多爾夫曼(Jeffrey Dorfman)在《福布斯》雜志的一篇文章中寫道:「實際上，每個工作崗位補貼 10 萬美元的回報期不是 20 年，也不是 42 年，而是幾百年，甚至永遠也不會。每個工作崗位的成本高達 23 萬美元(或更多)，重新獲得政府支出的資金是不可能的。當補貼上升到 41 億美元之后，每個工作崗位的成本達到了 31.5 萬美元。」 與此同時，為了促成這項合作的達成，政府還免除了富士康在當地的環(huán)保規(guī)定，允許富士康在建設和運營過程中將材料排放到濕地。還免除了富士康需要在建廠區(qū)域內進行環(huán)境影響評價的要求，富士康最終擁有 4.5 平方英里土地，而其中大部分是農田。沃克政府還同意富士康從密歇根湖取水。富士康每天將會使用多達 700 萬加侖湖水，其中 39% 會因蒸發(fā)而流失。環(huán)保人士指責這違反了由五大湖各州和加拿大各省簽署的保護五大湖的大湖協(xié)約(Great Lake Compact)條款，并提起法律訴訟來制止這一行為。 根據富士康向威斯康辛州自然資源部提交的文件顯示，公司每年將造成嚴重的空氣污染，包括排放數百噸一氧化碳、顆粒物、二氧化硫、氮氧化物和揮發(fā)性有機化合物。據《密爾沃基哨兵報》報道，該工廠會釋放出大量揮發(fā)性有機化合物和氮氧化物，使工廠所在地成為威斯康星州東南部最嚴重的污染源之一。 今年 5 月，根據日經新聞亞洲評論報道，富士康正在大幅縮減對工廠的籌備。但富士康明確地否認了這一點。而到了 6 月下旬，富士康公司高管卻承認他們不會建造郭臺銘最初承諾的那種工廠。 取而代之的是一個僅生產玻璃面板的第六代工廠，而不是為 10.5 英寸電視屏幕生產 10.5 代 LCD 制造工廠。Display Supply Chain Consultants 的合伙人 Bob O'Brien 表示，第六代工廠的投資僅需要約 25 億美元，而不是富士康最初承諾的 100 億美元。 甚至于第 6 代 LCD 屏幕也可能不會在當地生產太久?！肝覀儗﹄娨暡⒉皇呛芨信d趣?！垢皇靠蛋l(fā)言人路易斯·沃(Louis Woo)表示，威斯康辛工廠的工人將專注于尋找新的方式來應用富士康的顯示器、蜂窩通信和人工智能技術，從而建立一個所謂「AI+8K+5G」的「生態(tài)系統(tǒng)」。 威斯康星州并不是第一個遇到富士康更改承諾的政府。富士康曾承諾在印度投資 50 億美元，創(chuàng)造 5 萬個就業(yè)崗位，但結果卻只是其中的一小部分。據《媒體》報道，「同樣的結果也出現在越南，富士康曾在 2007 年承諾投資 50 億美元;在巴西，富士康在 2011 年說要投資 100 億美元?！勾送膺€有賓夕法尼亞州哈里斯堡，富士康承諾投資 3000 萬美元并雇傭 500 名工人，但這一承諾從未兌現。 截至目前，富士康已經開始在當地修建工廠并開始工作，州政府和地方政府也已經在富士康所需的基礎設施建設上繼續(xù)投入巨資。如果 2018 年沃克連任失利，接任的新州長將很難再取消這項協(xié)議。對于生活在威斯康星州的納稅人來說，多了一份看得到摸不著的收益;對于納稅人的家庭而言，卻不得不為這筆交易買單。

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  • 富士康美國啟動數千人大規(guī)模招工 會說中文是優(yōu)勢

    中國電子代工巨頭富士康集團，正在投資100億美元在美國建設大型液晶面板基地，據外媒最新消息，富士康對外宣布將啟動最大規(guī)模招工活動，一共將面試數千人。 富士康在美國的液晶面板廠，位于威斯康辛州的樂山(Mount Pleasant)。據多家美國媒體報道，富士康未來幾個月內將舉行五場招工大會。 第一場大會在樂山的Globe Drive大街13315號舉行，時間是10月13日早七點到晚七點。據悉，這個地址的建筑已經被富士康租賃，未來將用來運營管理幾公里之外的液晶面板廠。 其他四場招工大會分別是10月21日在Racine縣，10月27日在Green Bay，10月27日在Eau Claire，以及11月2日在威斯康辛州最大城市和港口密爾沃基市。 所有希望到富士康集團工作的求職者，必須提前登錄網站提交資料，只有收到面試邀請的應聘者才能夠參加上述招工大會。 單單是在第一場在樂山的招工大會上，富士康集團就將面試兩千人。 這次大規(guī)模招聘活動的招聘總規(guī)模，尚不得而知。不過在富士康集團液晶面板基地投產時，一共需要數千名員工，而在遠期之內一共需要1.3萬名員工。 需要指出的是，這是富士康集團在美國的第一次大規(guī)模招工，但是富士康的人員招聘實際上早已經啟動。在過去一年中，富士康已經在官方網站放出了150多個崗位。 這些崗位主要涉及到專業(yè)職能以及管理工作，比如金融分析師、工廠運營總監(jiān)、注冊護士、規(guī)劃經理、全國銷售總監(jiān)、市場營銷總監(jiān)、勞工法律師、稅務專家等。三成的崗位涉及到工程技術。 富士康集團來自中國，據報道，會說中文將成為美國人應聘的優(yōu)勢，至少有十個崗位的描述寫到，中文能力雖然不是必需，但是是一個加分技能。 富士康也在招募房地產購買領域的多位專業(yè)管理人員。近期，富士康也宣布了多項在威斯康辛州的房地產收購計劃。 八月份，富士康集團的一名高管在接受當地媒體采訪時表示，到2023年，富士康將在美國創(chuàng)造1.3萬個就業(yè)崗位，這一計劃是完全能夠實現的。 這位高管也表示，在富士康的美國招聘計劃中，一成是生產線工人，另外九成將是“知識工人”。 富士康還強調說，同時歡迎本地居民以及退伍軍人前來應聘和面試。 據之前美國媒體報道，在中國市場不同，美國的技術工人儲備并不充分，因此富士康集團要招到預計規(guī)模的員工和工人，存在一定難度。富士康已經采取多種措施，包括和其他企業(yè)和機構合作，招聘已經接受過技術培訓的美國退伍軍人，另外富士康也和美國一些當地學校進行和合作，招募理工科的畢業(yè)生，一些學員還將被送到中國的富士康工廠進行實習培訓。 此前在宣布美國項目的時候，富士康也承諾，美國液晶面板基地員工的平均年薪將達到5.4萬美元。這已經超出了美國人平均工資水平(美國人平均月薪為3500美元)。 除了在美國威斯康星州之外，富士康集團還和廣州市政府合作，正在廣州建設另外一座液晶面板基地。 在液晶面板領域的大舉投資，屬于富士康轉型計劃的一部分。郭臺銘正在降低對蘋果和其他客戶代工訂單的依賴，增強自有品牌產品和高技術零部件、原材料業(yè)務。這兩種業(yè)務都將提升富士康的科技含量和利潤率，告別低端低利潤的代工模式。 此前，富士康集團斥資35億美元，收購了日本夏普公司，獲得了夏普優(yōu)秀的液晶技術。郭臺銘認為，隨著普通家庭更換60英寸的大屏電視，液晶電視仍然有巨大的市場空間。 在歸屬富士康集團后，夏普電視在中國瘋狂降價，銷量和市占率猛增，讓同行極為震驚。

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  • 再投240億美元，紫光在成都開建12英寸 3D NAND存儲器制造基地

    繼2016年12月30日，紫光集團聯(lián)合國家集成電路產業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設，項目總投資為240億美元的長江存儲國家存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式動工建設之后，紫光再投240億美元，打造紫光成都存儲器制造基地!2018年10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工儀式在成都雙流舉行。省委常委、市委書記范銳平出席活動，市委副書記、市長羅強致辭并宣布項目啟動，紫光集團董事長兼首席執(zhí)行官趙偉國致辭。 該項目占地面積約1200畝，總投資達240億美元，將建設12英寸3D NAND存儲器晶圓生產線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯(lián)產品的研發(fā)、制造和銷售。項目旨在打造世界一流的半導體產業(yè)基地，將助力四川電子信息產業(yè)向全球產業(yè)鏈、價值鏈高端跨越發(fā)展。   紫光集團董事長趙偉國表示，這個項目瞄準了我國高端集成電路產品設計、制造等薄弱環(huán)節(jié)，匯聚全球高端科技產業(yè)實力，致力于打造世界一流的半導體產業(yè)基地。 市長羅強說，成都是國家重要的電子信息產業(yè)發(fā)展基地，積極實施“一芯一屏”發(fā)展計劃，緊緊圍繞關鍵核心部件研發(fā)制造，全力推動電子信息產業(yè)轉型升級。我們堅信，在國家部委和省委省政府大力支持下，通過紫光集團全體員工創(chuàng)新創(chuàng)造和辛勤付出，項目建成后必將鞏固紫光集團在全球集成電路產業(yè)的重要地位，助推成都、助推四川躋身世界芯片制造版圖。成都將繼續(xù)為紫光集團在蓉項目建設運營提供優(yōu)質高效服務，鍛造好、維護好、利用好核心技術的“國之重器”，共同譜寫中國電子信息技術產業(yè)更加美好的未來。 趙偉國表示，成都紫光集成電路制造基地項目建設標志著紫光集團在芯片制造領域布局又邁出堅實一步，也是中國集成電路崛起征程中建立的又一個橋頭堡。此次項目瞄準我國高端集成電路產品設計制造等薄弱環(huán)節(jié)，匯聚全球高端科技產業(yè)實力，致力于打造世界一流半導體產業(yè)基地，對我國實現高端集成電路創(chuàng)新突破具有重大意義，相信它的建成必將助推四川和成都成為全球重要的電子信息產業(yè)基地，為四川、成都經濟高質量發(fā)展貢獻力量。 據了解，紫光集團是國內具有引領地位的綜合性集成電路企業(yè)和領先的云網服務企業(yè)。紫光成都存儲器制造基地項目選址成都高新綜合保稅區(qū)雙流園區(qū)，主要建設12英寸3D NAND存儲器芯片生產線，并開展存儲器及關聯(lián)產品(模塊、解決方案)研發(fā)、制造和銷售。

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  • 全球首個4D NAND閃存量產，96層堆棧，速度提升30%

      早在今年的FMS國際閃存會議上，SK Hynix就宣告了業(yè)界首個基于CTF技術的4D NAND閃存，日前他們又宣布4D NAND閃存正式量產，目前主要是TLC類型，96層堆棧，512Gb核心容量，使用該技術可以減少30%的核心面積，讀取、寫入速度分別提升30%、25%。 隨著64層堆棧3D NAND閃存的大規(guī)模量產，全球6大NAND閃存廠商今年都開始轉向96層堆棧的新一代3D NAND，幾家廠商的技術方案也不太一樣，SK Hynix給他們的新閃存起了個4D NAND閃存的名字，在今年的FMS國際閃存會議上正式宣告了業(yè)界首個基于CTF技術的4D NAND閃存，日前他們又宣布4D NAND閃存正式量產，目前主要是TLC類型，96層堆棧，512Gb核心容量，使用該技術可以減少30%的核心面積，讀取、寫入速度分別提升30%、25%。   根據SK Hynix之前公布的信息，所謂的4D NAND閃存其實也是3D NAND，它是把NAND閃存Cell單元的PUC(Peri Under Cell)電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND閃存，本質上其實還是3D NAND，4D NAND閃存有很強的商業(yè)營銷味道。   SK Hynix的4D NAND閃存首先會量產TLC類型的，核心容量分別是512Gbt、1Tb，都是96層堆棧，IO接口速度1.2Gbps，不過兩者的BGA封裝面積是不一樣的，1Tb版顯然更大一些。 至于QLC類型的，這個未來會是SK Hynix量產的重點，核心容量1Tb，但量產時間會在明年下半年，還需要一些時間。 媒體報道稱，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96層堆棧的4D NAND閃存，TLC類型，核心容量512Gb，與現有的72層堆棧3D NAND閃存相比，4D NAND閃存的核心面積減少了30%，單片晶圓的生產輸出增加了50%，而且性能也更強——讀取速度提升30%，寫入速度提升25%。 根據官方所說，4D NAND閃存今年內會量產，而主要生產基地就是剛剛落成的M15工廠，總投資高達15萬億韓元，約合135億美元。 雖然稱為4D NAND，但實際上，和3D NAND比起來并沒有什么革命性的技術，或許只是一種市場行銷的手段罷。

    半導體 nand 4d 96層堆棧

  • 好日子到頭了?DRAM市場供大于求態(tài)勢初現，2019年售價跌幅或達20%

    過去兩年，存儲芯片像經歷著過山車的上半程，一直持續(xù)瘋漲，不過，今年以來，情況開始發(fā)生轉變。NAND閃存開始出現降價，DRAM的價格也不再堅挺。 根據之前的統(tǒng)計數據，2018年NAND閃存價格至少下跌了50%，而這個趨勢還會持續(xù)下去，市場預期2019年NAND閃存價格還會再跌50%。 至于DRAM，雖然價格沒有出現像NAND那樣的下跌，但已開始出現供過于求的態(tài)勢，價格下探跡象明顯。 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新報告，在各大廠已議定第四季合約價的情況下，10月份的合約價格開始大幅滑落，主流模組4GB的均價自上季的34.5美元滑落至31美元，跌幅10.14%;大容量模組8GB跌幅更為明顯，自上季的68美元滑落至61美元，跌幅為10.29%。由于DRAM市場供過于求的態(tài)勢才剛開始，因此不排除11月與12月價格將持續(xù)下探。而由于各家廠商積極求售，8GB解決方案的跌幅預期將會持續(xù)高于4GB解決方案。 展望明年首季情況，除了PC以外，服務器以及智能手機等終端產品也將面臨出貨量下修的狀況，整體而言，DRAMeXchange預估2019年全年DRAM平均銷售單價的跌幅可能達到20%。  

    半導體 DRAM

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