2018年11月7-8日，第三屆半導體材料器件表征及可靠性研究交流會在上海召開，本屆會議旨在加強全國各相關領域研究隊伍的交流、提供學術界與產(chǎn)業(yè)界相互分享最新研究成果的機會，推動我國先進電子材料與器件的發(fā)展，促進杰出青年科學家的迅速成長和協(xié)同創(chuàng)新。

會議同時邀請到了中國科學院院士、西安電子科技大學副校長郝躍，國家自然基金委、復旦大學、中國科學院上海技術物理研究所、中國科學院上海微系統(tǒng)所、南京大學、清華大學、西安電子科技大學、中科院蘇州納米所、南京工業(yè)大學、北京大學、湖南大學、山西師范大學等眾多專家學者。各位專家聚焦于當前半導體材料和器件的研究熱點，分享各自最新的研究成果。

會上，國家自然基金委員會信息學部主任、中國科學院院士郝躍做了題為“從第三代半導體進展談我國核心電子器件發(fā)展”的大會報告。郝院士首先回顧了從“十一五”到“十三五”以來，國家在核心電子器件、高端通用芯片和基礎軟件產(chǎn)品(簡稱“核高基”)領域的戰(zhàn)略部署，以及我國半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀。

郝院士指出，經(jīng)過多年的發(fā)展，我國半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)取得了長足的進步，并一躍成為全世界最大的集成電路消費市場，在個別技術領域甚至具備了與國際同行并行的趨勢。但總體而言，我國半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)跟美、日、歐相比仍存在較大的差距，“中興事件”給了我們一次深刻的警示，表明我國高端通用芯片仍然受制于人，在關乎國防安全和國民經(jīng)濟的關鍵技術領域創(chuàng)新能力不足，尤其是缺乏“從0到1”的原始創(chuàng)新，企業(yè)更多的將資源聚焦在應用技術層面和產(chǎn)業(yè)化方面，形象的來說就是“從1到10”或“從1到n”的工作，“大而不強”，而創(chuàng)新驅(qū)動顯得尤為重要。

據(jù)悉，本次大會由泰克公司攜手復旦大學，聯(lián)合南京大學、中科院上海技術物理研究所、中國科學院納米中心共同舉辦，作為全球領先的測試、測量和監(jiān)測應用領域的電子內(nèi)容監(jiān)控解決方案提供商，泰克公司展示了其半導體材料器件表征及可靠性實驗平臺及測試驗證方案的能力，介紹了其4200A在助力高校半導體材料及器件研究的發(fā)展以及新技術應用的案例，例如，幫助美國佐治亞理工大學Graham Lab實驗室實現(xiàn)寬禁帶半導體電子器件的可靠性分析研究，幫助伯克利實驗室實現(xiàn)30倍測試時間的縮短等。

據(jù)悉，此次第三屆半導體材料器件表征及可靠性研究交流會”吸引了來自各個相關領域的科技人才、研究隊伍、知名學者以及產(chǎn)業(yè)界和學術界的共同關注，受到了一致好評，為研究機構與企業(yè)的強強聯(lián)合，深化產(chǎn)學研的合作搭建了全球領先的一流平臺。