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  • 風(fēng)電的有趣實(shí)現(xiàn)

    您肯定知道風(fēng)力發(fā)電是一種可靠的能源，并且已經(jīng)看到那些帶有緩慢旋轉(zhuǎn)葉片的大塔。(我對(duì)這些塔以及風(fēng)作為大量穩(wěn)定電力的可行來(lái)源有矛盾的感覺(jué)，但這是另一天的討論。)

  • 基于飛輪的儲(chǔ)能系統(tǒng)介紹

    在住宅、商業(yè)、校園甚至電網(wǎng)級(jí)別進(jìn)行更大規(guī)模的儲(chǔ)能是一項(xiàng)挑戰(zhàn)，沒(méi)有明確的最佳解決方案。選項(xiàng)包括電化學(xué)(電池)、勢(shì)能(升高的水或重量)、氫(通過(guò)燃料電池)、相變材料(熔鹽)和機(jī)械功(在巨大的水箱或洞穴中壓縮/減壓空氣)幾種可能性。

  • 電動(dòng)汽車插入式流動(dòng)性的液態(tài)電池

    無(wú)論如何，在衰落一個(gè)世紀(jì)后，電池又開(kāi)始受到重視。這一趨勢(shì)是在巨額投資的推動(dòng)下進(jìn)行的，研究不僅在電動(dòng)汽車領(lǐng)域展開(kāi)，還在手機(jī)或游戲機(jī)等其他重要領(lǐng)域展開(kāi)。這些蓄能器正在沿著不可思議的道路前進(jìn)。

  • 電動(dòng)汽車使用無(wú)線充電

    隨著我們?cè)谌粘Ｉ钪懈嗟剞D(zhuǎn)向使用無(wú)線產(chǎn)品，電力電子研究同時(shí)也在為電動(dòng)汽車 (EV) 等事物發(fā)展無(wú)線充電的新趨勢(shì)。許多國(guó)家現(xiàn)在正在實(shí)施燃油經(jīng)濟(jì)性法規(guī)并推動(dòng)以電動(dòng)汽車取代汽油車的舉措；因此，汽車制造商現(xiàn)在非常關(guān)注電動(dòng)汽車的開(kāi)發(fā)。雖然鋰離子電池和超級(jí)電容器等技術(shù)進(jìn)步大有希望，但更平穩(wěn)地向電動(dòng)汽車過(guò)渡的主要要求是基礎(chǔ)設(shè)施和合適的快速充電系統(tǒng)的可用性。

  • 電動(dòng)汽車制造商在隧道盡頭看到光明-缺芯即將改善

    眾所周知，隨著汽車智能化和網(wǎng)聯(lián)化的演進(jìn)，汽車上配裝的芯片數(shù)量和種類越來(lái)越多，但芯片產(chǎn)能并沒(méi)有及時(shí)跟上，且工業(yè)電源應(yīng)用、消費(fèi)電子、電力、通信及其他領(lǐng)域?qū)τ诎雽?dǎo)體產(chǎn)品也存在著巨大的需求。更何況，在去年疫情暴發(fā)后，大量汽車組裝廠關(guān)閉，很多車企也誤判了車市復(fù)蘇的速度以及對(duì)芯片的需求，導(dǎo)致大量芯片資源向筆記本電腦、智能手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品傾斜。再加上車規(guī)級(jí)芯片的技術(shù)門檻相對(duì)較高，生產(chǎn)周期也較長(zhǎng)，不可能像口罩等防疫物資一樣快速投產(chǎn)。

  • 應(yīng)該選擇合適的方式預(yù)測(cè)我們的動(dòng)力使用時(shí)長(zhǎng)—保證數(shù)據(jù)正確性

    在許多較大的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，通常有多種可能性和方法來(lái)提供基本電源。例如，在電力與碳?xì)浠衔镏g可能存在基本選擇，然后是更多細(xì)節(jié)：清除和收獲、太陽(yáng)能、風(fēng)能、天然氣、丙烷、甲烷、壓縮空氣……這是一個(gè)很長(zhǎng)的清單。然而，假設(shè)傳統(tǒng)上使用的電源是正確的也是正常的，尤其是當(dāng)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)對(duì)這種方法有一定的經(jīng)驗(yàn)時(shí)。

  • 三合一電池組首次亮相電動(dòng)汽車領(lǐng)域

    無(wú)論是運(yùn)行可穿戴設(shè)備還是為電動(dòng)汽車供電，電池壽命都是讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師（和消費(fèi)者）夜不能寐的問(wèn)題。與電子行業(yè)的所有可比進(jìn)步相比，電池技術(shù)的創(chuàng)新非常緩慢。 在智能手機(jī)業(yè)務(wù)中，設(shè)計(jì)工程師花費(fèi)大量時(shí)間和資源來(lái)嘗試改進(jìn)電池管理系統(tǒng) (BMS)。在電池業(yè)務(wù)中，即使是微小的改進(jìn)，研究人員也會(huì)不斷地大驚小怪和調(diào)整。

  • 新的神經(jīng)CMOS正在推進(jìn)大腦研究

    關(guān)于研究大腦的故事也是一個(gè)關(guān)于為此設(shè)計(jì)技術(shù)的故事。過(guò)去幾十年最成功的神經(jīng)科學(xué)設(shè)備之一是神經(jīng)探針或微小的針狀大腦植入物，它們可以從單個(gè)神經(jīng)元接收信號(hào)。記錄大腦活動(dòng)提供了一個(gè)獨(dú)特的視角，以了解神經(jīng)元如何在復(fù)雜的電路中進(jìn)行交流以處理信息和控制行為。最終需要大規(guī)模的錄音來(lái)了解大腦的工作原理并開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的腦機(jī)接口。

  • 爭(zhēng)奪更好的電動(dòng)汽車電池

    主導(dǎo)電動(dòng)汽車市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)取決于電池技術(shù)和改進(jìn)的充電基礎(chǔ)設(shè)施，以及標(biāo)價(jià)、軟件更新和造型。正因如此，中國(guó)企業(yè)紛紛投入巨資，匹配并超越特斯拉行業(yè)領(lǐng)先的電池技術(shù)和制造能力。 特斯拉是否正在努力實(shí)現(xiàn)每千瓦時(shí) 100 美元的電池組成本？

  • 當(dāng)一個(gè)好的電源解決方案產(chǎn)生相反的效果時(shí)

    許多年前，我參與了一個(gè)項(xiàng)目，在該項(xiàng)目中，主直流電源（一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)放式框架單元）需要以大約 20 A 的電流向機(jī)箱相對(duì)偏遠(yuǎn)的部分提供 5 V 電壓。由于用作電源路徑一部分的 PC 板中的 IR 壓降引起的問(wèn)題（軌道太薄，使用 1 盎司銅而不是 2 盎司），負(fù)載電壓僅為 4.5 V 左右，而規(guī)范稱為對(duì)于 5 V ±200 mV。結(jié)果，設(shè)計(jì)的性能不穩(wěn)定且不一致，尤其是在啟動(dòng)時(shí)。

  • TI 提出了新的指數(shù)驅(qū)動(dòng)因素

    國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 ( ISSCC ) 是對(duì) CMOS 晶體管縮放的慶祝活動(dòng)。但在他的 ISSCC 全體會(huì)議上，TI 的首席技術(shù)官 Ahmad Bahai 要求采取不同的觀點(diǎn)。他沒(méi)有計(jì)算我們可以在微米級(jí) CMOS 中渲染的晶體管數(shù)量，而是描述了一系列因素，包括巧妙的設(shè)計(jì)和專門的封裝。

  • 英飛凌最新的 SiC MOSFET 產(chǎn)品組合

    PCIM Europe 2022 以一系列有趣的行業(yè)突破拉開(kāi)帷幕，其中包括英飛凌最新的SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。這種新型 SiC MOSFET 芯片基于英飛凌最近發(fā)布的先進(jìn) M1H SiC MOSFET 技術(shù)。最近的進(jìn)步實(shí)現(xiàn)了更大的柵極電壓窗口，從而提高了芯片導(dǎo)通電阻。

  • Ansys 仿真軟件分析充電和放電現(xiàn)象

    Ansys 是一家專門從事結(jié)構(gòu)、流體動(dòng)力學(xué)、電磁和多物理工程仿真的公司，最近與 Electro Magnetic Applications, Inc. (EMA) 合作推出了其 EMA3D Charge 軟件。EMA3D Charge 是一款模擬軟件，可改進(jìn)從太空探索到汽車和消費(fèi)電子產(chǎn)品等應(yīng)用的設(shè)計(jì)和安全性。

  • GaN組件的單片集成提升了功率集成電路

    本文分析了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺(tái)上的成功協(xié)同集成。這些組件的添加使芯片設(shè)計(jì)具有擴(kuò)展的功能和更高的性能，使單片集成 GaN 功率 IC 更進(jìn)一步。這一成就為更小、更高效的DC/DC 轉(zhuǎn)換器和 PoL 轉(zhuǎn)換器 鋪平了道路。

    功率器件
    2022-05-24
    功率 GaN

  • Imec 展示了肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與 200 V GaN-IC 的成功單片集成

    在 2021 年國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEEE IEDM 2021) 上，世界領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究和創(chuàng)新中心 imec 展示了高-性能肖特基勢(shì)壘二極管和耗盡型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200 V GaN-on-SOI 智能功率集成電路 (IC) 平臺(tái)上開(kāi)發(fā)，該平臺(tái)在 200 mm 襯底上開(kāi)發(fā)。添加這些組件可以設(shè)計(jì)具有擴(kuò)展功能的芯片并提高性能，從而使單片集成 GaN 功率 IC 更進(jìn)一步。這一成就為更小、更高效的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器鋪平了道路。

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