PCIM Europe 2022 以一系列有趣的行業(yè)突破拉開帷幕，其中包括英飛凌最新的SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。這種新型 SiC MOSFET 芯片基于英飛凌最近發(fā)布的先進 M1H SiC MOSFET 技術(shù)。最近的進步實現(xiàn)了更大的柵極電壓窗口，從而提高了芯片導(dǎo)通電阻。

為了提高每個逆變器的額定功率并降低系統(tǒng)成本，開發(fā)人員越來越多地將 1500 V 直流鏈路集成到他們的應(yīng)用中。另一方面，基于 1500 V DC 的系統(tǒng)存在重大設(shè)計問題，例如在高 DC 電壓下快速切換，需要多級拓撲。結(jié)果，出現(xiàn)了具有大量零件的復(fù)雜設(shè)計。英飛凌科技股份公司擴大了其 CoolSiC 產(chǎn)品組合，包括高壓解決方案，為下一代太陽能、電動汽車充電和儲能系統(tǒng)鋪平了道路。

CoolSiC產(chǎn)品組合已擴展至包括 2 kV碳化硅(SiC) MOSFET 和 2 kV SiC 二極管，適用于高達 1500 V DC 的應(yīng)用。

英飛凌的 Peter Friedrichs 參加 PCIM Europe 2022

“我們現(xiàn)在通過引入 2KV 技術(shù)來實現(xiàn)的目標(biāo)是顯著提高燃料購買率，”英飛凌 SiC 副總裁 Peter Friedrichs 表示?！斑@對于引入 Robo 解決方案進行安裝尤為重要。能夠以非常高的功率生成出色的系統(tǒng)將改變游戲規(guī)則，”他補充道。

Friedrichs 還表示，在開發(fā)這一新產(chǎn)品組合時，該公司考慮了一些進給率要求，特別是對宇宙射線應(yīng)力的要求。

新型 SiC MOSFET 結(jié)合了低開關(guān)損耗和高阻斷電壓，非常適合 1500 V DC 系統(tǒng)。對于漏源導(dǎo)通電阻，新的 2 kV CoolSiC 技術(shù)具有較低的 RDS(on) 值。二極管堅固的機身也適合硬開關(guān)。由于宇宙射線，該技術(shù)的 FIT 率比 1700 V SiC MOSFET 低十倍。由于柵極電壓工作范圍寬，這些器件也易于使用。

擴展的 CoolSiC 產(chǎn)品組合提供 2 kV SiC MOSFET，以及 2kV SiC 二極管，適用于高達 1500 V DC 的應(yīng)用。新型 SiC MOSFET 將低開關(guān)損耗和高阻斷電壓結(jié)合在一個器件中，可以最佳地滿足 1500 V DC 系統(tǒng)的要求。新的 2 kV CoolSiC 技術(shù)提供低漏源導(dǎo)通電阻 (R DS(on)) 值。此外，堅固的體二極管適用于硬開關(guān)。與 1700 V SiC MOSFET 相比，該技術(shù)可實現(xiàn)足夠的過壓裕度，并提供比 1700 V SiC MOSFET 低十倍的由宇宙射線引起的 FIT 率。此外，擴展的柵極電壓工作范圍使器件易于使用。

這種新型 SiC MOSFET 芯片基于英飛凌最近推出的名為 M1H 的 SiC MOSFET 技術(shù)。最新進展實現(xiàn)了顯著更大的柵極電壓窗口，從而提高了給定裸片尺寸的導(dǎo)通電阻。同時，更大的柵極電壓窗口提供了對柵極驅(qū)動器和布局相關(guān)電壓峰值的高魯棒性，即使在高開關(guān)頻率下也沒有任何限制。英飛凌提供一系列功能隔離高達 2.3 kV 的 EiceDRIVER 柵極驅(qū)動器，以支持 2 kV SiC MOSFET。

2 kV CoolSiC MOSFET 的樣品現(xiàn)在以 EasyPACK 3B 和 62mm 模塊形式提供，隨后以新的高壓分立 TO247-PLUS 封裝形式提供。此外，英飛凌還提供具有 2.3 kV 隔離能力的 EiceDRIVER 的設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)。計劃于 2022 年第三季度開始生產(chǎn) Easy 3B (DF4-19MR20W3M1HF_B11)，這是一款具有 4 個升壓電路的功率模塊，用作 1500 V 光伏串逆變器的 MPPT 級，62mm 模塊采用半橋配置(3, 4, 6 mΩ) 將于 2022 年第四季度推出。