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  • 級聯(lián) MOSFET 中高壓轉換器的設計注意事項

    金屬氧化物半導體場效應管(英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),簡稱金氧半場效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。金屬氧化物半導體場效應管依照其“溝道”的極性不同,可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型,通常又稱為N型金氧半場效晶體管(NMOSFET)與P型金氧半場效晶體管(PMOSFET)。

  • 如何解決設備之間不匹配的電壓電平會產(chǎn)生問題?

    單電源轉換器正在成為任何板上必不可少的設備,用于連接在不同電壓水平下工作的兩個系統(tǒng)。轉換解決方案的輸入閾值 (V il , V ih ) 應在驅動器的輸出電平 (V ol , Voh) 范圍內,同樣,解決方案的輸出 (V ol , V oh ) 應在接收器的有效輸入閾值范圍內(V i , V ih )。

  • DCDC 轉換器的節(jié)能方案考量

    近年來,移動設備、可穿戴式設備、IoT設備等電池驅動的電子設備已經(jīng)無所不在。為了提高產(chǎn)品的設計靈活度并滿足確保配置新功能所用空間的小型化要求,就要求這些產(chǎn)品上搭載的元器件的功耗要降低到極限,以實現(xiàn)小型化并延長電池使用壽命。 而要延長電池驅動的續(xù)航時間,存在著削減設備功耗和電池能量是否能夠完全用盡的課題。設備的各種構成元器件均在采用各種方法努力削減功耗,對于直接轉換電池能量并供給其他元器件的電源來說,努力進一步降低其功耗是非常重要的。

  • 汽車集群電源設計的挑戰(zhàn)

    如今,大多數(shù)集群都是數(shù)字化的,LCD 和 LED 用于背光(圖 3)。事實上,如果你只有一個 3.5 英寸的顯示器,這被認為是低端的。趨勢正在向 7 英寸發(fā)展,而 12 英寸是那些能夠負擔得起高端車輛運輸?shù)臉藴省.斎唬覀兛梢酝ㄟ^操縱方向盤上的按鈕輕松控制顯示屏。我們可以直接從儀表板查看我們的汽車發(fā)生的一切,從我們正在聽的歌曲(包括專輯封面)到車輛診斷,再到周圍區(qū)域的 3-D 表示。

  • 了解工業(yè)驅動器的隔離要求

    隔離用戶及敏感電子部件是電機控制系統(tǒng)的重要考慮事項。安全隔離用于保護用戶免受有害電壓影響,功能隔離則專門用來保護設備和器件。電機控制系統(tǒng)可能包含各種各樣的隔離器件,例如:驅動電路中的隔離式柵極驅動器;檢測電路中的隔離式ADC、放大器和傳感器;以及通信電路中的隔離式SPI、RS-485、標準數(shù)字隔離器。無論是出于安全原因,還是為了優(yōu)化性能,都要求精心選擇這些器件。

  • 了解我們設計工業(yè)驅動器的電磁兼容性要求

    變速和工業(yè)驅動設計工程師需要了解電磁兼容性 (EMC) 抗擾度和電磁干擾 (EMI) 以及隔離安全要求。你知道你的要求嗎?每個終端設備設計都必須滿足自己的標準,以確保產(chǎn)品在所需的終端設備類別和環(huán)境中合規(guī)且安全使用。

  • 了解如何輕松比較兩種 WEBENCH? 設計

    自 2002 年以來,TI 電源管理產(chǎn)品文件夾中的 WEBENCH? Designer 面板在幫助系統(tǒng)設計人員一鍵啟動 WEBENCH Power Designer 方面發(fā)揮了重要作用,從而根據(jù)我們的要求創(chuàng)建優(yōu)化的設計。 2010 年,新面板具有 WEBENCH 優(yōu)化器旋鈕,可根據(jù)面板中的默認條件預覽五個優(yōu)化的解決方案。今年,新的 WEBENCH 設計面板在支持 WEBENCH 的電壓調節(jié)器產(chǎn)品文件夾中提供了完整 WEBENCH 設計的完整預覽。

  • 保護 RS-485 免受 ESD 影響的基礎知識

    RS-485 等工業(yè)網(wǎng)絡有望在其終端應用中承受嚴酷的系統(tǒng)級瞬變而不會受到損壞。處理過程中的靜電放電 (ESD)、感性負載的中斷、繼電器觸點彈跳和/或雷擊都會造成損壞。我們可以通過在差分總線上添加外部組件來保護我們的工業(yè)設計免受這些瞬態(tài)事件的影響。

    功率器件
    2022-03-31
    ESD RS485
  • 保證我們的 FPGA 應用電源是安全的

    我們都知道,我們生活中的新技術帶來了巨大的機遇和可能性,但也帶來了新的挑戰(zhàn)。例如,智能手機和平板電腦讓我們可以 24/7 全天候訪問我們周圍的世界,但也產(chǎn)生了如此依賴,以至于我們可能無法放下它們。 同樣,芯片級技術的進步有助于創(chuàng)造無限機遇,但也帶來挑戰(zhàn)。隨著新的、更小的工藝節(jié)點和更低的核心電壓軌,我們看到了更高集成度和更高效率的好處。同時,由于邊角分布和工藝變化,它也帶來了硅性能變化的挑戰(zhàn)。為了應對這些硅工藝變化,供應商正在指定具有更嚴格公差的電源軌(見表 1)。

  • SiC碳化硅功率器件介紹

    近年來,使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導體)元器件備受矚目。這是因為,為了應對全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題,需要高效率高性能的功率元器件。 然而,最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”,具體來說是基于什么定義來分類的呢?恐怕是沒有一個明確的分類的,但是,可按以高電壓大功率的AC/DC轉換和功率轉換為目的的二極管和MOSFET,以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。

  • SiC碳化硅功率器件SBD特性

    碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導體材料,堪稱半導體產(chǎn)業(yè)內新一代“黃金賽道”。 歷史上人類第一次發(fā)現(xiàn)碳化硅是在1891年,美國人艾奇遜在電溶金剛石的時候發(fā)現(xiàn)一種碳的化合物,這就是碳化硅首次合成和發(fā)現(xiàn)。在經(jīng)歷了百年的探索之后,特別是進入21世紀以后,人類終于理清了碳化硅的優(yōu)點和特性,并利用碳化硅特性,做出各種新器件,碳化硅行業(yè)得到較快發(fā)展。

  • 如何讀取LED特性數(shù)據(jù)

    LED的基本特性 LED是一種電光轉換器件,它本身并不發(fā)光,只有在施加適當電壓和通以適當電流時才能發(fā)光。

  • 根據(jù)示波器測定MOSFET波形計算功率損耗

    MOSFET/IGBT的開關損耗測驗是電源調試中非常關鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索,那么如何用示波器測試MOS管功率損耗?

  • 電源設計:集中控制讓電源設計更簡單

    好幾年前,當我為液晶電視設計我的第一個 AC/DC 電源時,我添加了許多額外的保護電路,以確保電源符合安全和節(jié)能標準等規(guī)定。圖 1 顯示了 那些年前 LCD TV 電源的簡化框圖。 我應用了一個泄放電阻,以確保電磁干擾濾波器中的 x 電容器在一定時間內放電到對人體安全的電壓水平,并符合 EN60950 安全標準。在待機模式下,我應用了額外的輔助電源以滿足能源之星的要求。電源還需要外部輸入欠壓保護 (UVP) 和 DC/DC 開/關遲滯電路,以確保在 AC 開/關循環(huán)和其他關鍵測試期間的生存。

  • 反極性保護比較:二極管與 PFET 與智能二極管解決方案

    工程師在選擇反極性解決方案時也有很多選擇。一些選擇包括二極管、P 溝道場效應晶體管 (PFET) 和 TI 的 LM74610-Q1 加 N 溝道場效應晶體管 (NFET)(稱為智能二極管解決方案)。在這篇文章中,我將重點介紹所有三種解決方案在汽車應用方面的一些關鍵方面。

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