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  • 級(jí)聯(lián) MOSFET 中高壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

    金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），簡稱金氧半場效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管依照其“溝道”的極性不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。

  • 如何解決設(shè)備之間不匹配的電壓電平會(huì)產(chǎn)生問題？

    單電源轉(zhuǎn)換器正在成為任何板上必不可少的設(shè)備，用于連接在不同電壓水平下工作的兩個(gè)系統(tǒng)。轉(zhuǎn)換解決方案的輸入閾值 (V il , V ih ) 應(yīng)在驅(qū)動(dòng)器的輸出電平 (V ol , Voh) 范圍內(nèi)，同樣，解決方案的輸出 (V ol , V oh ) 應(yīng)在接收器的有效輸入閾值范圍內(nèi)(V i ， V ih )。

  • DCDC 轉(zhuǎn)換器的節(jié)能方案考量

    近年來，移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備、IoT設(shè)備等電池驅(qū)動(dòng)的電子設(shè)備已經(jīng)無所不在。為了提高產(chǎn)品的設(shè)計(jì)靈活度并滿足確保配置新功能所用空間的小型化要求，就要求這些產(chǎn)品上搭載的元器件的功耗要降低到極限，以實(shí)現(xiàn)小型化并延長電池使用壽命。 而要延長電池驅(qū)動(dòng)的續(xù)航時(shí)間，存在著削減設(shè)備功耗和電池能量是否能夠完全用盡的課題。設(shè)備的各種構(gòu)成元器件均在采用各種方法努力削減功耗，對(duì)于直接轉(zhuǎn)換電池能量并供給其他元器件的電源來說，努力進(jìn)一步降低其功耗是非常重要的。

  • 汽車集群電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

    如今，大多數(shù)集群都是數(shù)字化的，LCD 和 LED 用于背光（圖 3）。事實(shí)上，如果你只有一個(gè) 3.5 英寸的顯示器，這被認(rèn)為是低端的。趨勢(shì)正在向 7 英寸發(fā)展，而 12 英寸是那些能夠負(fù)擔(dān)得起高端車輛運(yùn)輸?shù)臉?biāo)準(zhǔn)。當(dāng)然，我們可以通過操縱方向盤上的按鈕輕松控制顯示屏。我們可以直接從儀表板查看我們的汽車發(fā)生的一切，從我們正在聽的歌曲（包括專輯封面）到車輛診斷，再到周圍區(qū)域的 3-D 表示。

  • 了解工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的隔離要求

    隔離用戶及敏感電子部件是電機(jī)控制系統(tǒng)的重要考慮事項(xiàng)。安全隔離用于保護(hù)用戶免受有害電壓影響，功能隔離則專門用來保護(hù)設(shè)備和器件。電機(jī)控制系統(tǒng)可能包含各種各樣的隔離器件，例如：驅(qū)動(dòng)電路中的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器；檢測(cè)電路中的隔離式ADC、放大器和傳感器；以及通信電路中的隔離式SPI、RS-485、標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離器。無論是出于安全原因，還是為了優(yōu)化性能，都要求精心選擇這些器件。

  • 了解我們?cè)O(shè)計(jì)工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的電磁兼容性要求

    變速和工業(yè)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)工程師需要了解電磁兼容性 (EMC) 抗擾度和電磁干擾 (EMI) 以及隔離安全要求。你知道你的要求嗎？每個(gè)終端設(shè)備設(shè)計(jì)都必須滿足自己的標(biāo)準(zhǔn)，以確保產(chǎn)品在所需的終端設(shè)備類別和環(huán)境中合規(guī)且安全使用。

  • 了解如何輕松比較兩種 WEBENCH? 設(shè)計(jì)

    自 2002 年以來，TI 電源管理產(chǎn)品文件夾中的 WEBENCH? Designer 面板在幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員一鍵啟動(dòng) WEBENCH Power Designer 方面發(fā)揮了重要作用，從而根據(jù)我們的要求創(chuàng)建優(yōu)化的設(shè)計(jì)。 2010 年，新面板具有 WEBENCH 優(yōu)化器旋鈕，可根據(jù)面板中的默認(rèn)條件預(yù)覽五個(gè)優(yōu)化的解決方案。今年，新的 WEBENCH 設(shè)計(jì)面板在支持 WEBENCH 的電壓調(diào)節(jié)器產(chǎn)品文件夾中提供了完整 WEBENCH 設(shè)計(jì)的完整預(yù)覽。

  • 保護(hù) RS-485 免受 ESD 影響的基礎(chǔ)知識(shí)

    RS-485 等工業(yè)網(wǎng)絡(luò)有望在其終端應(yīng)用中承受嚴(yán)酷的系統(tǒng)級(jí)瞬變而不會(huì)受到損壞。處理過程中的靜電放電 (ESD)、感性負(fù)載的中斷、繼電器觸點(diǎn)彈跳和/或雷擊都會(huì)造成損壞。我們可以通過在差分總線上添加外部組件來保護(hù)我們的工業(yè)設(shè)計(jì)免受這些瞬態(tài)事件的影響。

    功率器件
    2022-03-31
    ESD RS485

  • 保證我們的 FPGA 應(yīng)用電源是安全的

    我們都知道，我們生活中的新技術(shù)帶來了巨大的機(jī)遇和可能性，但也帶來了新的挑戰(zhàn)。例如，智能手機(jī)和平板電腦讓我們可以 24/7 全天候訪問我們周圍的世界，但也產(chǎn)生了如此依賴，以至于我們可能無法放下它們。 同樣，芯片級(jí)技術(shù)的進(jìn)步有助于創(chuàng)造無限機(jī)遇，但也帶來挑戰(zhàn)。隨著新的、更小的工藝節(jié)點(diǎn)和更低的核心電壓軌，我們看到了更高集成度和更高效率的好處。同時(shí)，由于邊角分布和工藝變化，它也帶來了硅性能變化的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)這些硅工藝變化，供應(yīng)商正在指定具有更嚴(yán)格公差的電源軌（見表 1）。

  • SiC碳化硅功率器件介紹

    近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因?yàn)?，為了?yīng)對(duì)全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。 然而，最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”，具體來說是基于什么定義來分類的呢？恐怕是沒有一個(gè)明確的分類的，但是，可按以高電壓大功率的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。

  • SiC碳化硅功率器件SBD特性

    碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。 歷史上人類第一次發(fā)現(xiàn)碳化硅是在1891年，美國人艾奇遜在電溶金剛石的時(shí)候發(fā)現(xiàn)一種碳的化合物，這就是碳化硅首次合成和發(fā)現(xiàn)。在經(jīng)歷了百年的探索之后，特別是進(jìn)入21世紀(jì)以后，人類終于理清了碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和特性，并利用碳化硅特性，做出各種新器件，碳化硅行業(yè)得到較快發(fā)展。

  • 如何讀取LED特性數(shù)據(jù)

    LED的基本特性 LED是一種電光轉(zhuǎn)換器件，它本身并不發(fā)光，只有在施加適當(dāng)電壓和通以適當(dāng)電流時(shí)才能發(fā)光。

  • 根據(jù)示波器測(cè)定MOSFET波形計(jì)算功率損耗

    MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)驗(yàn)是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么如何用示波器測(cè)試MOS管功率損耗？

  • 電源設(shè)計(jì)：集中控制讓電源設(shè)計(jì)更簡單

    好幾年前，當(dāng)我為液晶電視設(shè)計(jì)我的第一個(gè) AC/DC 電源時(shí)，我添加了許多額外的保護(hù)電路，以確保電源符合安全和節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)等規(guī)定。圖 1 顯示了 那些年前 LCD TV 電源的簡化框圖。 我應(yīng)用了一個(gè)泄放電阻，以確保電磁干擾濾波器中的 x 電容器在一定時(shí)間內(nèi)放電到對(duì)人體安全的電壓水平，并符合 EN60950 安全標(biāo)準(zhǔn)。在待機(jī)模式下，我應(yīng)用了額外的輔助電源以滿足能源之星的要求。電源還需要外部輸入欠壓保護(hù) (UVP) 和 DC/DC 開/關(guān)遲滯電路，以確保在 AC 開/關(guān)循環(huán)和其他關(guān)鍵測(cè)試期間的生存。

  • 反極性保護(hù)比較：二極管與 PFET 與智能二極管解決方案

    工程師在選擇反極性解決方案時(shí)也有很多選擇。一些選擇包括二極管、P 溝道場效應(yīng)晶體管 (PFET) 和 TI 的 LM74610-Q1 加 N 溝道場效應(yīng)晶體管 (NFET)（稱為智能二極管解決方案）。在這篇文章中，我將重點(diǎn)介紹所有三種解決方案在汽車應(yīng)用方面的一些關(guān)鍵方面。

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