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  • 說(shuō)明 SiC MOSFET 在電力電子中的優(yōu)勢(shì)

    電力設(shè)計(jì)是由市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)的，以提高效率和生產(chǎn)力，同時(shí)符合法規(guī)要求。最重要的最終用戶需求幾乎總是更小、更輕、更高效的系統(tǒng)，這得益于功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的重大創(chuàng)新。在硅 MOSFET 和 IGBT 長(zhǎng)期以來(lái)一直在功率半導(dǎo)體中占據(jù)主導(dǎo)地位的地方，寬帶隙 (WBG) 技術(shù)，尤其是碳化硅 (SiC) 技術(shù)的最新進(jìn)展正在為電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)額外的好處，提高效率和更高的電壓能力，從而減少形式因素。

  • 為什么縮放模擬以進(jìn)行電源完整性分析至關(guān)重要第一部分

    我們終于進(jìn)入了計(jì)算機(jī)與我們和我們的環(huán)境真正互動(dòng)的未來(lái)，讓我們的日常生活更輕松、更安全、更高效。我的車(chē)還沒(méi)有自動(dòng)駕駛，但它知道在前面的車(chē)自動(dòng)駕駛時(shí)減速。我的手表知道我摔倒了，需要幫助。相機(jī)可以辨別一個(gè)人注視的焦點(diǎn)。智慧城市。工業(yè) 4.0。自動(dòng)駕駛。5G網(wǎng)絡(luò)。智能電網(wǎng)。這些領(lǐng)域的應(yīng)用增長(zhǎng)正在推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的增長(zhǎng)遠(yuǎn)高于行業(yè)平均水平。

  • 為什么縮放模擬以進(jìn)行電源完整性分析至關(guān)重要第二部分

    這一切對(duì)片上系統(tǒng) (SoC) 和電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 (EDA) 行業(yè)意味著什么?這些傳感器系統(tǒng)的規(guī)模和復(fù)雜性推動(dòng)了您一直聽(tīng)到的趨勢(shì)——處理能力、帶寬和網(wǎng)絡(luò)。同時(shí)，這種尺寸和復(fù)雜性導(dǎo)致傳統(tǒng)模擬設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程的中斷。傳統(tǒng)的模擬 EDA 工具根本不像數(shù)字工具那樣可擴(kuò)展。傳感器可以變大。

  • 高端 FET 負(fù)載開(kāi)關(guān)入門(mén)第 2 部分

    柵極控制塊或電平轉(zhuǎn)換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開(kāi)或關(guān)閉。門(mén)控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。 在導(dǎo)通期間，柵極控制的主要任務(wù)是對(duì) EN 進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，以產(chǎn)生高(N 溝道)或低(P 溝道)V G 以使開(kāi)關(guān)完全導(dǎo)通。類(lèi)似地，在關(guān)斷期間，柵極控制產(chǎn)生低(N 溝道)或高(P 溝道)V G 以將開(kāi)關(guān)完全關(guān)斷。

  • 高端 FET 負(fù)載開(kāi)關(guān)入門(mén)第 1 部分

    高端負(fù)載開(kāi)關(guān)及其操作仍然是許多工程師和設(shè)計(jì)師的熱門(mén)選擇，適用于電池供電的便攜式設(shè)備，例如功能豐富的手機(jī)、移動(dòng)GPS設(shè)備和消費(fèi)娛樂(lè)小工具。本文采用一種易于理解且非數(shù)學(xué)的方法來(lái)解釋基于 MOSFET 的高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)的各個(gè)方面，并討論在整個(gè)設(shè)計(jì)和選擇過(guò)程中必須考慮的各種參數(shù)。

  • 電壓基準(zhǔn)如何影響 AD 和 DA 轉(zhuǎn)換

    外部電壓參考引腳可能允許更高的電壓源(與數(shù)字電源軌相比)微控制器本身)以獲得更寬的模擬輸入范圍，或更穩(wěn)定的信號(hào)源以獲得更高的精度。這有點(diǎn)過(guò)于簡(jiǎn)單化了。因此，電壓參考因素如何轉(zhuǎn)化為值得一看的。

  • DAC：非線性、非單調(diào)性和中點(diǎn)毛刺

    數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) 將位轉(zhuǎn)換回聲音、圖像或位置。芯片制造商非常努力地創(chuàng)建可靠和準(zhǔn)確的 DAC。盡管如此，有時(shí)還是會(huì)出現(xiàn)打嗝，在輸出波形中產(chǎn)生波紋。非線性誤差可能會(huì)累加，而其表親非單調(diào)性可能會(huì)帶來(lái)更大的問(wèn)題。DAC 中點(diǎn)毛刺也可以將相當(dāng)大的尖峰發(fā)射到原本平滑的信號(hào)中。

  • PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-碳化硅和氮化鎵應(yīng)用介紹

    PCIM Europe德國(guó)紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展，創(chuàng)辦于1979年，每年一屆，至今已經(jīng)有30多年的歷史。該展是歐洲電力電子及其使用范疇、智能運(yùn)動(dòng)和電能質(zhì)量最具影響力的博覽會(huì)，也是全球最大的功率半導(dǎo)體展會(huì)。PCIM Europe以其高質(zhì)量的專(zhuān)業(yè)觀眾，成為享譽(yù)電力電子行業(yè)的專(zhuān)業(yè)國(guó)際性展會(huì)。

  • SiC 推動(dòng)電源應(yīng)用的創(chuàng)新

    在過(guò)去的四十年里，由于采用了更好的設(shè)計(jì)和制造工藝，以及高質(zhì)量材料的可用性，基于硅技術(shù)的功率器件取得了重大進(jìn)展。然而，大多數(shù)商用功率器件現(xiàn)在正在接近硅提供的理論性能極限，特別是在它們阻擋高壓的能力、在導(dǎo)通狀態(tài)下提供低電壓降以及它們?cè)诜浅８叩念l率下開(kāi)關(guān)的能力方面。

  • 磁感應(yīng)無(wú)線充電在電動(dòng)汽車(chē)上的應(yīng)用第一部分

    用于通過(guò)線圈傳輸電能的技術(shù)分為兩類(lèi)：第一類(lèi)稱(chēng)為感應(yīng)耦合，或稱(chēng)磁感應(yīng)，或稱(chēng)電磁感應(yīng)，這三個(gè)名稱(chēng)指的是同一種技術(shù)，在業(yè)界簡(jiǎn)稱(chēng)為 MI。此外，同樣通過(guò)線圈傳輸能量的磁共振在業(yè)內(nèi)被稱(chēng)為MR。MI無(wú)線充電技術(shù)已廣泛應(yīng)用于市面上的手持設(shè)備中，但采用MR技術(shù)的產(chǎn)品卻很少見(jiàn)。

  • 磁感應(yīng)無(wú)線充電在電動(dòng)汽車(chē)上的應(yīng)用第二部分

    在 MI 技術(shù)中，發(fā)射端利用驅(qū)動(dòng)器連接電容器和線圈產(chǎn)生諧振并發(fā)送電磁能，而接收端線圈通過(guò)接收電磁能和連接電容器的諧振效應(yīng)來(lái)接收電能。線圈是纏繞在電感器中的一段導(dǎo)線。成為電感的導(dǎo)線上每個(gè)位置的信號(hào)都是不同的。最大諧振信號(hào)幅值出現(xiàn)在線圈和電容器的結(jié)點(diǎn)處，遠(yuǎn)離結(jié)點(diǎn)處逐漸減小。

  • EV無(wú)線動(dòng)態(tài)充電將與電網(wǎng)合作

    世界正在朝著電動(dòng)汽車(chē)的方向發(fā)展，這涉及通過(guò)大規(guī)模采用電動(dòng)汽車(chē)來(lái)實(shí)現(xiàn)整個(gè)交通系統(tǒng)的脫碳。隨著電動(dòng)汽車(chē)需求的增加，我們必須面對(duì)越來(lái)越多的汽車(chē)對(duì)電力基礎(chǔ)設(shè)施(即電網(wǎng))造成的后果。大量電動(dòng)汽車(chē)確實(shí)會(huì)增加充電所需的電力需求，并有可能使電網(wǎng)承受超過(guò)其容量的壓力。

  • PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-碳化硅部分

    德國(guó)紐倫堡—2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大開(kāi)幕，PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展,是電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博覽會(huì),也是全球最大的功率半導(dǎo)體展會(huì),繼連續(xù)兩年舉辦線上展會(huì)后,于今年終于回歸線下。

  • PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-氮化鎵器件

    PCIM 見(jiàn)證了許多公司與氮化鎵和碳化硅合作。用于電動(dòng)汽車(chē)的半導(dǎo)體和能源革命——所有這一切都是一個(gè)快速發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)。SiC 和 GaN 器件具有比 Si 高得多的臨界擊穿電壓，允許更薄的漂移層和更高的摻雜濃度。對(duì)于給定的芯片面積和額定電壓，這會(huì)降低導(dǎo)通電阻，從而通過(guò)降低功率損耗提供更高的效率。

    功率器件
    2022-06-17
    氮化鎵

  • 3D 多 PCB 設(shè)計(jì)在 FSBB 轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)更高的密度

    當(dāng)前電子應(yīng)用的趨勢(shì)，尤其是那些基于大功率設(shè)備的應(yīng)用，是實(shí)現(xiàn)越來(lái)越小的尺寸和越來(lái)越高的組件密度。由于引入了超結(jié)器件和寬帶隙材料(如氮化鎵)，迅速實(shí)現(xiàn)了更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而減小了無(wú)源器件的體積。

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