每個(gè)人都知道絕緣是什么,但對(duì)絕緣的各種類型知之甚少。在本文中,我們將著眼于四種隔離類型,并解釋 TI 的高度集成變壓器技術(shù)如何提供優(yōu)于其他增強(qiáng)型隔離解決方案的優(yōu)勢。
目前電動(dòng)車銷售越來越多,尤其是現(xiàn)在中國推進(jìn)的“碳中和”概念,預(yù)計(jì)未來幾年電動(dòng)汽車年銷量會(huì)更一步增加。并且占該銷售額最大份額的國家就是中國。
隔離式電源:它的功能無處不在,包括工人保護(hù)、增強(qiáng)的抗噪性以及處理子系統(tǒng)之間的接地電位差。為電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能你比那群、直流充電樁、工業(yè)機(jī)器人、UPS、車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器 等應(yīng)用設(shè)計(jì)其功能。
如果我們可以用少量零件創(chuàng)建高性能的車載應(yīng)用程序,我們將能夠減輕重量和成本并提高可靠性。這就是電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車 的集成動(dòng)力系統(tǒng)設(shè)計(jì)背后的理念。
傳統(tǒng)的電源主力——金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)——只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的情況下才能提高功率密度。
如今,一切都是相連的。那么為什么不也連接墻上的插頭呢?MPS 展示了帶有 MP161 部件的參考設(shè)計(jì),可讓客戶加入物聯(lián)網(wǎng)市場。這是一個(gè)兩板的產(chǎn)品,一個(gè)用于DC/DC轉(zhuǎn)換器和繼電器,另一個(gè)用于Wi-Fi模塊。該配置設(shè)計(jì)用于插入墻上插頭。
用戶可編程 PMIC 允許我們?cè)诙鄠€(gè)項(xiàng)目中重復(fù)使用相同的 PMIC,從而加快原型設(shè)計(jì)并縮短開發(fā)時(shí)間。
隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以及各種新型用電設(shè)備的普及,如何給這些設(shè)備提供穩(wěn)定、安全高效、干凈的電能變得越來越重要。開關(guān)功率變換器由于重量小、體積輕、效率高,性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)在電源中得到快速發(fā)展和廣泛應(yīng)用,但其高頻開、關(guān)工作特性,會(huì)產(chǎn)生大量的電磁干擾(EMI),嚴(yán)重污染 周圍電磁環(huán)境和電源系統(tǒng),這不僅會(huì)使變換電路自身的可靠性降低,而且使電網(wǎng)及鄰近設(shè)備運(yùn)行質(zhì)量受到影響。
最近幾年,隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展,對(duì)鋰離子 (Li-ion) 電池的需求迅速增長,而且這種需求似乎不會(huì)很快放緩。
由電池供電音頻系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員希望實(shí)現(xiàn)兩個(gè)目標(biāo):延長播放時(shí)間和降低成本。雖然較舊的傳統(tǒng) D 類放大器是可靠的,但它們?cè)诒銛y式系統(tǒng)中消耗過多功率,使得這些目標(biāo)難以實(shí)現(xiàn)。
隨著電池技術(shù)的應(yīng)用越來越多,新的問題也在不斷涌現(xiàn)。許多工業(yè)應(yīng)用需要比電池供電應(yīng)用更多的電池單元,例如手機(jī)和筆記本電腦。
隨著電子技術(shù)的提高,以及電子產(chǎn)品的發(fā)展,一些系統(tǒng)中經(jīng)常會(huì)需要負(fù)電壓為其供電。例如,在LCD背光系統(tǒng)中,會(huì)使用負(fù)電壓為其提供門極驅(qū)動(dòng)和偏置電壓。另外,在系統(tǒng)的運(yùn)算放大器中,也經(jīng)常會(huì)使用正負(fù)對(duì)稱的偏置電壓為其供電。如何產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定可靠的負(fù)電壓已成為設(shè)計(jì)人員面臨的關(guān)鍵問題。
低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 的效率取決于其輸入電壓和輸出電壓,因?yàn)閺碾娫醇橙〉妮斎腚娏鲗⒌扔?LDO 輸出所需的電流。因此,LDO 中較高的輸入和輸出電壓差會(huì)轉(zhuǎn)化為較低的效率值,反之亦然。低效率的 LDO 會(huì)轉(zhuǎn)化為功率損耗并導(dǎo)致設(shè)備內(nèi)部發(fā)熱。
近日,江波龍電子旗下存儲(chǔ)品牌FORESEE發(fā)布了自產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片,在制程工藝、傳輸速度、低功耗、高溫穩(wěn)定性上都達(dá)到了行業(yè)一線水平。FORESEEDDR4內(nèi)存芯片基于當(dāng)前最先進(jìn)的1αnm制程工藝,相比傳統(tǒng)的1xnm,在成本可控的前提下,性能進(jìn)一步升級(jí),同時(shí)采用TFBGA96-...