1 引言

MOSFET憑開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點在開關(guān)電源及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。要想使MOSFET在應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能，就必須設(shè)計一個適合應(yīng)用的最優(yōu)驅(qū)動電路和參數(shù)。在應(yīng)用中MOSFET一般工作在橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)模式下，如圖1所示。由于下橋MOSFET驅(qū)動電壓的參考點為地，較容易設(shè)計驅(qū)動電路，而上橋的驅(qū)動電壓是跟隨相線電壓浮動的，因此如何很好地驅(qū)動上橋MOSFET成了設(shè)計能否成功的關(guān)鍵。半橋驅(qū)動芯片由于其易于設(shè)計驅(qū)動電路、外圍元器件少、驅(qū)動能力強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)點在MOSFET驅(qū)動電路中得到廣泛應(yīng)用。

2 橋式結(jié)構(gòu)拓?fù)浞治?/p>

圖1所示為驅(qū)動三相直流無刷電機(jī)的橋式電路，其中LPCB、 LS、LD為直流母線和相線的引線電感，電機(jī)為三相Y型直流無刷電機(jī)，其工作原理如下。

直流無刷電機(jī)通過橋式電路實現(xiàn)電子換相，電機(jī)工作模式為三相六狀態(tài)，MOSFET導(dǎo)通順序為Q1Q5→Q1Q6→Q2Q6→Q2Q4→Q3Q4→Q3Q5。

系統(tǒng)通過調(diào)節(jié)上橋MOSFET的PWM占空比來實現(xiàn)速度調(diào)節(jié)。Q1、Q5導(dǎo)通時，電流(Ion)由VDD經(jīng)Q1、電機(jī)線圈、Q5流至地線，電機(jī)AB相通電。Q1關(guān)閉、Q5導(dǎo)通時，電流經(jīng)過Q5，Q4續(xù)流(IF)，電機(jī)線圈中的電流基本維持不變。Q1再次開通時，由于Q3體二極管的電荷恢復(fù)過程，體二極管不能很快關(guān)斷，因此體二極管中會有反向恢復(fù)電流(Irr)流過。由于Irr的變化很快，因此在Irr回路中產(chǎn)生很高的di/dt。

3 半橋驅(qū)動電路工作原理

圖2所示為典型的半橋驅(qū)動電路。

半橋驅(qū)動電路的關(guān)鍵是如何實現(xiàn)上橋的驅(qū)動。圖2中C1為自舉電容，D1為快恢復(fù)二極管。PWM在上橋調(diào)制。當(dāng)Q1關(guān)斷時，A點電位由于Q2的續(xù)流而回零，此時C1通過VCC及D1進(jìn)行充電。當(dāng)輸入信號Hin開通時，上橋的驅(qū)動由C1供電。由于C1的電壓不變，VB隨VS的升高而浮動，所以C1稱為自舉電容。每個PWM周期，電路都給C1充電，維持其電壓基本保持不變。D1的作用是當(dāng)Q1關(guān)斷時為C1充電提供正向電流通道，當(dāng)Q1開通時，阻止電流反向流入控制電壓VCC。D2的作用是為使上橋能夠快速關(guān)斷，減少開關(guān)損耗，縮短MOSFET關(guān)斷時的不穩(wěn)定過程。D3的作用是避免上橋快速開通時下橋的柵極電壓耦合上升(Cdv/dt)而導(dǎo)致上下橋穿通的現(xiàn)象。

4. 自舉電容的計算及注意事項

影響自舉電容取值的因素

影響自舉電容取值的因素包括：上橋MOSFET的柵極電荷QG、上橋驅(qū)動電路的靜態(tài)電流IQBS、驅(qū)動IC中電平轉(zhuǎn)換電路的電荷要求QLS、自舉電容的漏電流ICBS(leak)。

計算自舉電容值

自舉電容必須在每個開關(guān)周期內(nèi)能夠提供以上這些電荷，才能保持其電壓基本不變，否則VBS將會有很大的電壓紋波，并且可能會低于欠壓值VBSUV，使上橋無輸出并停止工作。

電容的最小容量可根據(jù)以下公式算出：

其中，VF為自舉二極管正向壓降，VLS為下橋器件壓降或上橋負(fù)載壓降，f為工作頻率。

5 應(yīng)用實例

圖3所示為直流無刷電機(jī)驅(qū)動器半橋驅(qū)動芯片上橋的自舉電壓(CH1: VBS)和驅(qū)動電壓(CH2: VGS)波形，使用的MOSFET為AOT472。

驅(qū)動器采用調(diào)節(jié)PWM占空比的方式實現(xiàn)電機(jī)無級調(diào)速。

通過公式1算出電容值應(yīng)為1μF左右，但在實際應(yīng)用中存在這樣的問題，即當(dāng)占空比接近100%(見圖3a)時，由于占空比很大，在每次上橋關(guān)斷后Vs電壓不能完全回零，導(dǎo)致自舉電容在每個PWM周期中不能完全被充電。但此時用于每個PWM周期開關(guān)MOSFET的電荷并未減少，所以自舉電壓會出現(xiàn)明顯的下降(圖3a中左側(cè)圈內(nèi)部分)，這將會導(dǎo)致驅(qū)動IC進(jìn)入欠壓保護(hù)狀態(tài)或MOSFET提前失效。而當(dāng)占空比為100%時，由于沒有開關(guān)電荷損耗，每個換相周期內(nèi)自舉電容的電壓并未下降很多(圖3a中右側(cè)圈內(nèi)部分)。如果選用4.7μF的電容，則測得波形如圖3(b)所示，電壓無明顯下降，因此在驅(qū)動電路設(shè)計中應(yīng)根據(jù)實際需求來選取自舉電容的容量。

6. 相線振鈴的產(chǎn)生及抑制

在圖1中，線路的引線電感(LPCB+LS+LD)及引線電阻RPCB與MOSFET的輸出電容COSS形成了RLC串聯(lián)回路，如圖4(a)所示，對此回路進(jìn)行分析如下：

4. 選擇具有較小Qrr和具有較軟恢復(fù)特性的MOSFET作為續(xù)流管;

5. 由于增加串聯(lián)回路的電阻會耗散很大的功率，所以增加串聯(lián)電阻的方法在大部分應(yīng)用中不可行。

振鈴的危害

圖5 振鈴干擾半橋芯片正常工作的波形

圖5所示為一半橋驅(qū)動MOSFET工作時的波形，當(dāng)上橋邏輯輸入為高時，上橋MOSFET開通，此時可以看到相線(CH2)上產(chǎn)生了振鈴，這樣的振鈴?fù)ㄟ^線路的雜散電容耦合到上橋自舉電壓，造成上橋的VBS電壓(CH4)過低而使驅(qū)動芯片進(jìn)入欠壓保護(hù)(圖5中VBS的電壓已跌至5V)。由圖5可以看出，當(dāng)Hin(CH1)有脈沖輸入時，由于振鈴的影響， MOSFET有些時候不能正常打開，原因是驅(qū)動IC進(jìn)入了欠壓保護(hù)。欠壓保護(hù)并不是每個周期都會出現(xiàn)，因此在測試時應(yīng)設(shè)置適當(dāng)?shù)挠|發(fā)方式來捕獲這樣的不正常工作狀態(tài)。當(dāng)然如果振鈴振幅很大，則驅(qū)動器將不能正常工作，導(dǎo)致電機(jī)不能啟動。因此自舉電容最好為能濾除高頻的陶瓷電容，即使是使用電解電容也要并聯(lián)陶瓷電容來去耦。

7. 最小化相線負(fù)壓

在設(shè)計MOSFET半橋驅(qū)動電路時還應(yīng)該注意相線上的負(fù)壓對驅(qū)動芯片的危害。當(dāng)上橋關(guān)斷后，線圈電流會經(jīng)過相應(yīng)的下橋續(xù)流，一般認(rèn)為下橋體二極管會將相線電壓鉗位于-0.7V左右，但事實并非完全如此。上橋關(guān)斷前，下橋的體二極管處于反向偏置狀態(tài)，當(dāng)上橋突然關(guān)斷，下橋進(jìn)入續(xù)流狀態(tài)時，由于下橋體二極管由反向偏置過渡到正向偏置需要電荷漂移的過程，因此體二極管并不能立即將電壓鉗位在-0.7V，而是有幾百納秒的時間電壓遠(yuǎn)超過0.7V，因此會出現(xiàn)如圖6所示的相線負(fù)壓。線路主回路中的寄生電感及快速變化的電流(Ldi/dt)也會使相線負(fù)壓增加。

要使相線負(fù)壓變小，可通過減緩上橋關(guān)斷的速度從而減小回路中的di/dt或減小主回路寄生電感的方式來實現(xiàn)。

8. 小結(jié)

在設(shè)計半橋驅(qū)動電路時，應(yīng)注意以下方面：

1. 選取適當(dāng)?shù)淖耘e電容，確保在應(yīng)用中有足夠的自舉電壓;

2. 選擇合適的驅(qū)動電阻，電阻過大會增加MOSFET的開關(guān)損耗，電阻過小會引起相線振鈴和相線負(fù)壓，對系統(tǒng)和驅(qū)動IC造成不良影響;

3. 在芯片電源處使用去耦電容;

4. 注意線路的布線，盡量減小驅(qū)動回路和主回路中的寄生電感，使di/dt對系統(tǒng)的影響降到最小;

5. 選擇適合應(yīng)用的驅(qū)動IC，不同IC的耐壓及驅(qū)動電流等諸多參數(shù)都不一樣，所以應(yīng)根據(jù)實際應(yīng)用選擇合適的驅(qū)動IC。