東芝公司(TOKYO：6502)旗下半導(dǎo)體與存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今日宣布推出TXZ™系列的第一組產(chǎn)品—基于A(yíng)RM® Cortex®-M3內(nèi)核的“M3H族”微控制器，這一新系列產(chǎn)品采用基于65納米邏輯工藝的嵌入式閃存工藝制造。M3H族30款產(chǎn)品將于2016年5月啟動(dòng)樣品發(fā)貨，并將于明年1月開(kāi)始第一批產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。M3H族產(chǎn)品是東芝首批采用65納米嵌入式閃存邏輯混合工藝的微控制器。

M3H族產(chǎn)品基于A(yíng)RM Cortex-M內(nèi)核(32位嵌入式微處理器的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn))，集成有高性能模擬電路和一系列必要的基本功能，為全面電機(jī)控制以及消費(fèi)和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用提供支持。該系列產(chǎn)品包括小封裝(32至100個(gè)引腳)和小尺寸閃存(32KB至128KB)。

集成功能包括高精度12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)(1.5μs轉(zhuǎn)換速度)和8位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC);東芝適合于變頻器電機(jī)控制的可編程電機(jī)控制電路(PMD)，可應(yīng)用于包括交流電機(jī)和BLDC電機(jī)(包括PMSM)控制;以及多功能通用外圍電路，包括UART、I2C、TSPI和定時(shí)器。所集成的這些高精度模擬電路和通用外圍電路讓M3H族產(chǎn)品能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)低功耗特性和高級(jí)功能。

新產(chǎn)品的主要特性

高性能ARM Cortex-M內(nèi)核，工作頻率高達(dá)40MHz

基于事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)ARM Cortex-M內(nèi)核

廣泛的內(nèi)存和封裝選項(xiàng)

小封裝(32至100個(gè)引腳)和小尺寸閃存(32KB至128KB)。

適合于廣泛應(yīng)用的通用型微控制器

這些新產(chǎn)品支持廣泛的應(yīng)用，包括電機(jī)控制、消費(fèi)和工業(yè)設(shè)備。

模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)、PMD、UART、I2C、TSPI、定時(shí)器

應(yīng)用場(chǎng)合

消費(fèi)電子產(chǎn)品、辦公室自動(dòng)化設(shè)備、住宅和工廠(chǎng)設(shè)備、視聽(tīng)設(shè)備、電機(jī)控制應(yīng)用以及廣泛的消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用