美光科技有限公司宣布使用其屢獲殊榮的34納米工藝技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)新型NAND閃存產(chǎn)品。隨著消費(fèi)者需要更高的容量以便在越來越小的便攜式電子設(shè)備中存儲(chǔ)更多的音樂、視頻、照片及應(yīng)用程序，制造商需要一種存儲(chǔ)解決方案，以實(shí)現(xiàn)所需的容量、性能和尺寸。美光的新型16Gb和32Gb的NAND芯片兼具大容量與高性能，為滿足當(dāng)今苛刻的便攜式存儲(chǔ)需求提供了令人信服的解決方案，該解決方案專門為滿足最終用戶產(chǎn)品尺寸而量身定制。

新設(shè)計(jì)的32Gb多層單元（MLC）NAND閃存芯片比美光的第一代32Gb芯片小17%。其16Gb的MLC NAND芯片僅僅占用84mm²的面積，以超小型封裝提供高容量。美光現(xiàn)在提供使用34nm工藝的8Gb和16Gb的單層單元（SLC）NAND芯片。

此外，美光旗下的子公司和領(lǐng)先的用于數(shù)碼設(shè)備的消費(fèi)類存儲(chǔ)器產(chǎn)品供應(yīng)商Lexar Media公司，通過提供利用該技術(shù)的各種閃存卡和USB閃存盤，充分利用了美光的新型34納米NAND產(chǎn)品。

美光存儲(chǔ)器事業(yè)部副總裁Brian Shirley說：“我們業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的NAND產(chǎn)品為一些世界上最流行的消費(fèi)類電子設(shè)備開辟了新的可能性。隨著我們新的16Gb和32Gb的NAND芯片的大規(guī)模生產(chǎn)，我們將使客戶得以在其小型化的產(chǎn)品中設(shè)計(jì)具有成本效益、高容量的儲(chǔ)存器，并使用更小的空間和更少的芯片。此外，高速接口也是行業(yè)追求繼續(xù)增加固態(tài)硬盤的吞吐量性能的理想選擇。”

這兩種產(chǎn)品都具有ONFI 2.1同步接口，可提供高達(dá)每秒200兆字節(jié)（MB/秒）的傳輸速度 。相比之下，傳統(tǒng)的SLC NAND速度僅限40MB/s。有了這一改進(jìn)的傳輸速度，該接口可提供今天的NAND器件所能提供的最快讀寫吞吐量。隨著固態(tài)硬盤（SSD）趨向于采用SATA 6Gb/s接口，該高速NAND接口使制造商能夠設(shè)計(jì)出可提供兩倍于現(xiàn)有的SATA 3Gb/s解決方案吞吐量的產(chǎn)品。顧客可以期望這種高速接口設(shè)計(jì)到今后所有的高密度Micron® NAND產(chǎn)品中。