Infineon推出新型內(nèi)存產(chǎn)品
英飛凌科技公司(Infineon)近日發(fā)布了適用于筆記本電腦和圖形應(yīng)用的新型高密度內(nèi)存產(chǎn)品,旨在幫助系統(tǒng)制造商滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的移動(dòng)、微型化以及逼真圖形應(yīng)用的需求。
· 2GB雙晶片DDR2 SO-DIMM (雙倍數(shù)據(jù)速率,小外形雙列直插內(nèi)存模塊),散熱條件和功耗都得以改善
· 以最小DIMM尺寸提供最大內(nèi)存密度的1GB DDR2 Micro-DIMM
英飛凌同時(shí)還擴(kuò)展了其顯存產(chǎn)品組合,推出了兩款面向高性能和主流系統(tǒng)應(yīng)用的新產(chǎn)品:
· 512MB GDDR3 (圖形雙數(shù)據(jù)速率3)顯存,密度和帶寬都得以增加以滿(mǎn)足高級(jí) 3D圖形所需
· 新型256MB DDR2圖形RAM (隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)存),功能更多,體積更小,速度高達(dá)450MHz
英飛凌推出了面向新一代高端筆記本電腦和便攜式電腦的2GB DDR2雙晶片 SO-DIMM的第一批工程樣品,新一代高端筆記本電腦和便攜式電腦由于尺寸更小,因此要求降低內(nèi)存模塊的厚度和高度。英飛凌2GB DDR2 SO-DIMM是利用 8個(gè)雙晶片 2Gb DDR2 顆粒制成的,可在30mm標(biāo)準(zhǔn)高度和3.8mm厚度上實(shí)現(xiàn)當(dāng)前最高的2GB密度。該模塊是Dual-rank內(nèi)存,工作電壓為1.8V。
2GB DDR2 SO-DIMM樣品現(xiàn)在已經(jīng)供貨,價(jià)格為1,700美元。