目前，HYNIX公司主要利用0.10微米進行512M DDR和512M SDRAM芯片的生產(chǎn)中，在2003年下半年，公司計劃利用0.10微米進行1G DDR2和1G SDRAM芯片的生產(chǎn)。預計在2003年，HYNIX公司20%的產(chǎn)品采用0.10微米技術進行大批量生產(chǎn)，到2004年，HYNIX公司65%的產(chǎn)品采用0.10微米技術進行大批量生產(chǎn)。

    與同類技術相比較，HYNIX這次采用的0.10微米技術將大大利用現(xiàn)有的設備，減少所需要的資金投資。與0.13微米相比較，利用0.10微米技術，可以使得每個硅片上芯片數(shù)量增加40%，從而降低芯片的成本，使得HYNIX的產(chǎn)品更具有市場競爭力。