iWatch將引入“Micro LED”技術(shù)
[導(dǎo)讀]2014年5月蘋(píng)果收購(gòu)了創(chuàng)業(yè)公司LuxVueTechnology，該公司的MicroLED顯示技術(shù)未來(lái)有望應(yīng)用于iWatch、GoogleGlass、微投影儀等微顯示器件領(lǐng)域。MicroLED技術(shù)是指在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示
2014年5月蘋(píng)果收購(gòu)了創(chuàng)業(yè)公司LuxVueTechnology，該公司的MicroLED顯示技術(shù)未來(lái)有望應(yīng)用于iWatch、GoogleGlass、微投影儀等微顯示器件領(lǐng)域。
MicroLED技術(shù)是指在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示屏，每一個(gè)像素可定址、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，可以看成是戶(hù)外LED顯示屏的縮小版，將像素點(diǎn)距離從毫米級(jí)降低至微米級(jí)，相比于現(xiàn)有的微顯示技術(shù)如DLP、LCoS、微機(jī)電系統(tǒng)掃描等，由于MicroLED自發(fā)光，光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)單，可以減少整體系統(tǒng)的體積、重量、成本，同時(shí)兼顧低功耗、快速反應(yīng)等特性，2013年臺(tái)灣工研院基于主動(dòng)式LED微晶粒晶片技術(shù)，開(kāi)發(fā)出單色微顯示及微投影模組，主力應(yīng)用瞄準(zhǔn)如GoogleGlass等頭戴式顯示器。
單色MicroLED陣列已經(jīng)實(shí)現(xiàn)極高的DPI，2011年德州科技大學(xué)的團(tuán)隊(duì)發(fā)布了9.6mm×7.2mm面積的綠光主動(dòng)定址MicroLED陣列，像素間距15微米，實(shí)現(xiàn)了VGA解析度，遠(yuǎn)高于目前的手機(jī)顯示屏。
全彩化、良率、發(fā)光波長(zhǎng)一致性是目前主要的問(wèn)題：?jiǎn)紊玀icroLED陣列通過(guò)倒裝結(jié)構(gòu)封裝和驅(qū)動(dòng)IC貼合就能夠?qū)崿F(xiàn)，而RGB陣列需要分次轉(zhuǎn)貼紅、藍(lán)、綠三色的晶粒，需要嵌入幾十萬(wàn)顆LED晶粒，對(duì)于LED晶粒光效、波長(zhǎng)的一致性、良率要求更高，同時(shí)分bin的成本支出也是阻礙量產(chǎn)的技術(shù)瓶頸。
MicroLED技術(shù)是指在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示屏，每一個(gè)像素可定址、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，可以看成是戶(hù)外LED顯示屏的縮小版，將像素點(diǎn)距離從毫米級(jí)降低至微米級(jí)。
1998年德國(guó)亞琛工業(yè)大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)采用濕法腐蝕方法在AlGaInPLED外延片上成功制作多個(gè)LED之后，開(kāi)啟了國(guó)際上對(duì)MicroLED陣列的研究，MicroLED作為主動(dòng)發(fā)光器件，突出的優(yōu)點(diǎn)在于分辨潛力大、高亮度對(duì)比、低成本，利用半導(dǎo)體加工技術(shù)，可以將MicroLED陣列像素尺寸控制在微米量級(jí)，可以應(yīng)用于微顯示器件和數(shù)據(jù)傳輸通信光源。
2009年香港大學(xué)研究小組制作了一種集成光纖的微型LED陣列，在GaNLED外延片上設(shè)計(jì)了像素點(diǎn)直徑20微米，像素間距120微米的陣列。
2010年英國(guó)帝國(guó)大學(xué)研究小組將LED陣列應(yīng)用于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模擬刺激試驗(yàn)，利用GaNLED外延制作了像素直徑20微米，像素間距50微米的64×64LED陣列。
TexasTechUniversity的江教授團(tuán)隊(duì)在2011年發(fā)表了至今最高密度主動(dòng)定址的MicroLED陣列芯片，外延生長(zhǎng)綠光LED后通過(guò)刻蝕形成微陣列，然后通過(guò)倒裝封裝與驅(qū)動(dòng)IC貼合，像素間距15微米，在9.6mm*7.2mm面積上實(shí)現(xiàn)了VGA解析度。
2012年索尼曾在CES上展示了55寸CrystalLEDDisplay電視，厚度僅0.63mm，由600萬(wàn)顆微小LED組成，通過(guò)將晶圓上的LED微晶粒封裝成150um的像素單體，利用真空吸嘴將單體轉(zhuǎn)移至TFT驅(qū)動(dòng)基板上。
2013年臺(tái)灣工研院推出了主動(dòng)式LED微晶粒晶片技術(shù)，在0.37寸的晶片上實(shí)現(xiàn)了427×240的解析度，現(xiàn)階段工研院電光所的微LED陣列投影模組光效可以達(dá)到40lm/W。
未來(lái)MicroLED的潛在應(yīng)用領(lǐng)域主要為微顯示器件領(lǐng)域，如微投影儀、頭戴式顯示器、抬頭顯示器、可穿戴設(shè)備、GoogleGlass等，相比于現(xiàn)有的技術(shù)如DLP、LCoS、微機(jī)電系統(tǒng)掃描等，由于MicroLED自發(fā)光，光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)單，可以減少整體系統(tǒng)的體積、重量、成本，同時(shí)兼顧低功耗、快速反應(yīng)等特性。
MicroLED技術(shù)是指在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示屏，每一個(gè)像素可定址、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，可以看成是戶(hù)外LED顯示屏的縮小版，將像素點(diǎn)距離從毫米級(jí)降低至微米級(jí)，相比于現(xiàn)有的微顯示技術(shù)如DLP、LCoS、微機(jī)電系統(tǒng)掃描等，由于MicroLED自發(fā)光，光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)單，可以減少整體系統(tǒng)的體積、重量、成本，同時(shí)兼顧低功耗、快速反應(yīng)等特性，2013年臺(tái)灣工研院基于主動(dòng)式LED微晶粒晶片技術(shù)，開(kāi)發(fā)出單色微顯示及微投影模組，主力應(yīng)用瞄準(zhǔn)如GoogleGlass等頭戴式顯示器。
單色MicroLED陣列已經(jīng)實(shí)現(xiàn)極高的DPI，2011年德州科技大學(xué)的團(tuán)隊(duì)發(fā)布了9.6mm×7.2mm面積的綠光主動(dòng)定址MicroLED陣列，像素間距15微米，實(shí)現(xiàn)了VGA解析度，遠(yuǎn)高于目前的手機(jī)顯示屏。
全彩化、良率、發(fā)光波長(zhǎng)一致性是目前主要的問(wèn)題：?jiǎn)紊玀icroLED陣列通過(guò)倒裝結(jié)構(gòu)封裝和驅(qū)動(dòng)IC貼合就能夠?qū)崿F(xiàn)，而RGB陣列需要分次轉(zhuǎn)貼紅、藍(lán)、綠三色的晶粒，需要嵌入幾十萬(wàn)顆LED晶粒，對(duì)于LED晶粒光效、波長(zhǎng)的一致性、良率要求更高，同時(shí)分bin的成本支出也是阻礙量產(chǎn)的技術(shù)瓶頸。
MicroLED技術(shù)是指在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示屏，每一個(gè)像素可定址、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，可以看成是戶(hù)外LED顯示屏的縮小版，將像素點(diǎn)距離從毫米級(jí)降低至微米級(jí)。
1998年德國(guó)亞琛工業(yè)大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)采用濕法腐蝕方法在AlGaInPLED外延片上成功制作多個(gè)LED之后，開(kāi)啟了國(guó)際上對(duì)MicroLED陣列的研究，MicroLED作為主動(dòng)發(fā)光器件，突出的優(yōu)點(diǎn)在于分辨潛力大、高亮度對(duì)比、低成本，利用半導(dǎo)體加工技術(shù)，可以將MicroLED陣列像素尺寸控制在微米量級(jí)，可以應(yīng)用于微顯示器件和數(shù)據(jù)傳輸通信光源。
2009年香港大學(xué)研究小組制作了一種集成光纖的微型LED陣列，在GaNLED外延片上設(shè)計(jì)了像素點(diǎn)直徑20微米，像素間距120微米的陣列。
2010年英國(guó)帝國(guó)大學(xué)研究小組將LED陣列應(yīng)用于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模擬刺激試驗(yàn)，利用GaNLED外延制作了像素直徑20微米，像素間距50微米的64×64LED陣列。
TexasTechUniversity的江教授團(tuán)隊(duì)在2011年發(fā)表了至今最高密度主動(dòng)定址的MicroLED陣列芯片，外延生長(zhǎng)綠光LED后通過(guò)刻蝕形成微陣列，然后通過(guò)倒裝封裝與驅(qū)動(dòng)IC貼合，像素間距15微米，在9.6mm*7.2mm面積上實(shí)現(xiàn)了VGA解析度。
2012年索尼曾在CES上展示了55寸CrystalLEDDisplay電視，厚度僅0.63mm，由600萬(wàn)顆微小LED組成，通過(guò)將晶圓上的LED微晶粒封裝成150um的像素單體，利用真空吸嘴將單體轉(zhuǎn)移至TFT驅(qū)動(dòng)基板上。
2013年臺(tái)灣工研院推出了主動(dòng)式LED微晶粒晶片技術(shù)，在0.37寸的晶片上實(shí)現(xiàn)了427×240的解析度，現(xiàn)階段工研院電光所的微LED陣列投影模組光效可以達(dá)到40lm/W。
未來(lái)MicroLED的潛在應(yīng)用領(lǐng)域主要為微顯示器件領(lǐng)域，如微投影儀、頭戴式顯示器、抬頭顯示器、可穿戴設(shè)備、GoogleGlass等，相比于現(xiàn)有的技術(shù)如DLP、LCoS、微機(jī)電系統(tǒng)掃描等，由于MicroLED自發(fā)光，光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)單，可以減少整體系統(tǒng)的體積、重量、成本，同時(shí)兼顧低功耗、快速反應(yīng)等特性。
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