2018年NAND閃存之所以大降價(jià)，一個(gè)關(guān)鍵原因就是64層堆棧的3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了從32層/48層堆棧到64層堆棧的飛躍，使得NAND閃存每GB成本降至8美分，相比之前2D NAND閃存的成本高達(dá)每GB 21美分，成本的降低才讓NAND降價(jià)成為可能。

2019年全球半導(dǎo)體市場凜冬將至，從以往的牛市轉(zhuǎn)向了熊市，主要原因就是存儲(chǔ)芯片價(jià)格不斷下跌，其中DRAM內(nèi)存芯片去年Q4季度才開始由漲轉(zhuǎn)跌，不過NAND閃存比DRAM內(nèi)存“倒霉”多了，實(shí)際上2018年上半年就開始跌價(jià)了，一直跌到了現(xiàn)在。

受益于NAND閃存不斷跌價(jià)，SSD硬盤的價(jià)格已經(jīng)大幅下滑，1TB硬盤也只要七八百塊了，部分品牌價(jià)格還可以更低。不過NAND閃存價(jià)格不會(huì)這么一直跌下去，Q2季度跌幅就已經(jīng)收窄到了10%左右，預(yù)計(jì)到年底就會(huì)停止跌價(jià)了。

NAND閃存價(jià)格在2016年中與DRAM內(nèi)存價(jià)格一起上漲，持續(xù)了一年多時(shí)間，不過2018年上半年的時(shí)候就開始降價(jià)了，主要原因是當(dāng)時(shí)NAND閃存廠商的64層堆棧3D閃存良率解決了，產(chǎn)能大漲，改變了市場上的供需比例，NADN閃存價(jià)格大跌。

從去年到現(xiàn)在，NAND閃存價(jià)格還是一路下跌，一方面是產(chǎn)能穩(wěn)定增長，而且業(yè)界開始從64層3D閃存向96層3D閃存轉(zhuǎn)變，一旦完成制程轉(zhuǎn)換，NAND閃存產(chǎn)能還會(huì)繼續(xù)增加，但需求端目前并沒有明顯增加，智能手機(jī)銷量今年還是會(huì)繼續(xù)下滑，PC也是如此，只有服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等市場的需求是增長的。

此外，NAND上游供應(yīng)商今年也削減了投資，早前美光發(fā)布上季度財(cái)報(bào)的時(shí)候就提到DRAM內(nèi)存及NAND閃存產(chǎn)能都會(huì)削減5%，三星在之前也確定了削減投資、減少產(chǎn)能的策略，其他廠商預(yù)計(jì)也會(huì)跟進(jìn)。

從產(chǎn)業(yè)鏈的消息來看，NAND閃存價(jià)格還在跌，但跌幅已經(jīng)開始收窄了，美光上季度的財(cái)報(bào)中提到NAND閃存的ASP均價(jià)跌了20%，但Q2季度預(yù)計(jì)NADN閃存價(jià)格跌幅只有10%。隨著NAND閃存價(jià)格逐漸逼近成本，閃存降價(jià)的空間也沒多少了，預(yù)計(jì)今年底NAND閃存價(jià)格就會(huì)停止下滑了。

值得一提的是，早前三星美光等廠商也預(yù)測DRAM內(nèi)存價(jià)格在今年底也會(huì)停止下滑，甚至有恢復(fù)漲價(jià)的可能，這意味著今年底NAND、DRAM兩大存儲(chǔ)芯片價(jià)格有可能再次迎來一個(gè)分水嶺——在廠商減產(chǎn)的情況下，如果需求反彈了，那么這兩種存儲(chǔ)芯片價(jià)格不會(huì)再跌了，最差也是持平，最好的情況則是如廠商所愿而恢復(fù)上漲。