飛思卡爾、IBM扮推手　晶圓雙雄面臨特許產能挑戰(zhàn)

　　新加坡特許半導體（Chartered Semiconductor）宣布將啟動12寸廠第三期工程，預計完工后總產能將達4.5萬片，同時特許亦將既有第一、二期工程產能最大化至3.9萬片12寸晶圓，并直接技轉飛思卡爾（Freescale）45奈米制程技術替其代工；值得注意的是，特許大舉擴充12寸廠計畫，使其12寸廠產能已與臺積電、聯電不相上下，尤其與IBM結盟關系再加上飛思卡爾加入，對臺積電而言如臨大敵！

　　特許與IBM所合組策略聯盟再度發(fā)威，飛思卡爾日前宣布其45奈米制程加入該聯盟，且有自由選擇制造伙伴權利，由于飛思卡爾原就與IBM在Power PC及省電架構設計方面緊密合作，業(yè)界認為此次飛思卡爾選邊站，無非是無法舍棄IBM獨特的絕緣層上覆矽技術（SOI），尤其進入45奈米制程后，制程整合度更高，而IBM晶圓代工伙伴是特許，使得飛思卡爾在知會臺積電后，對外宣布加入特許的聯盟。

　　特許指出，提高2007年資本支出至8億美元，有7成用于擴充12寸產能，這是為贏得更多市占率，預估待12寸廠全部3期工程完工后，12寸總產能將達4.5萬片，同時目前一、二期也將在年底達到3.9萬片月產能規(guī)模。

　　特許執(zhí)行長謝松輝表示，飛思卡爾加入后，特許已站上絕佳戰(zhàn)略位置，預計最快2007年底45奈米低功耗（LP）制程將進入驗證，2008年中45奈米高效能（HP）將到位，過去特許發(fā)展90奈米、65奈米制程技術，都是先與客戶驗證后，才向客戶技轉，但進入45奈米制程，特許將先取得飛思卡爾技術，爾后才進行驗證，不論與客戶合作或生產效率都相當具有競爭力。

　　至于在晶圓雙雄方面，臺積電2座12寸廠單月產能約4萬片12寸晶圓，南科14廠第三期工程及竹科、中科新廠計畫，最快要2008年后產能才會陸續(xù)添入；聯電目前12寸廠單月產能約4.4萬片，南科第二座12寸廠增建計畫甫底定。因此，近期特許加緊擴增12寸產能動作，已大幅縮短與臺積電、聯電差距。

　　半導體業(yè)者指出，飛思卡爾的加入使得特許內部士氣大振，同時特許亦希望藉由提高資本支出及產能，滿足眾多大客戶需求，其中，特許決定啟動12寸廠第三期工程，而非蓋另一座12寸廠，便是為讓新廠屬于既有廠區(qū)一部份，節(jié)省未來制程晶片驗證時效。

　　在先進制程方面，特許視65奈米制程為研發(fā)及量產重點，最快第二季投產、第三季貢獻營收，且下半年65奈米制程占營收比重可望達2位數，由于特許大客戶微軟（Microsoft）Xbox 360繪圖晶片（GPU）將提升至65奈米制程，超微（AMD）亦將推出65奈米制程64位元處理器，加上其正與手機晶片廠如德州儀器（TI）等洽談跨入65奈米制程可能性，將使得特許2007年65奈米制程產能快速攀升。