5月22日，意法半導(dǎo)體、英特爾和Francisco Partners，宣布合資創(chuàng)立一家新的獨(dú)立半導(dǎo)體公司事宜，三方已經(jīng)達(dá)成最終協(xié)議，組成新公司的原主營業(yè)務(wù)部門去年創(chuàng)造年收入共計(jì)約36億美元。新公司的戰(zhàn)略重點(diǎn)將專注于提供閃存解決方案，涵蓋手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、計(jì)算機(jī)和其它高科技設(shè)備等各種消費(fèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備。
      通過整合英特爾和意法半導(dǎo)體的研發(fā)、制造和市場(chǎng)營銷等主要資產(chǎn)， 新公司將是一個(gè)精簡、高效的跨國企業(yè)機(jī)構(gòu)，大規(guī)模制造低成本的創(chuàng)新的非易失性存儲(chǔ)器解決方案。憑借意法半導(dǎo)體和英特爾在非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域40余年的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，以及下一代相變存儲(chǔ)器的專業(yè)技術(shù)，新公司必將更好地為客戶提供完整的存儲(chǔ)器解決方案，加速公司向未來非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的演進(jìn)。
      “新公司將只專注于非易失性存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)，并具備提供現(xiàn)有和新一代非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)所需的全部條件，意法半導(dǎo)體正在重新定位自己在閃存市場(chǎng)上的角色?！币夥ò雽?dǎo)體公司總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti評(píng)論道。Bozotti先生被任命為新公司的非執(zhí)行董事長。
      “在這個(gè)競爭激烈的市場(chǎng)上，客戶需要最先進(jìn)的產(chǎn)品，新公司具備滿足這些需求所需的人才、規(guī)模和先進(jìn)技術(shù)，”英特爾總裁兼首席執(zhí)行官Paul Otellini表示。
      “從創(chuàng)立之初，新公司必將會(huì)成為一個(gè)世界領(lǐng)先的無線通信閃存解決方案供應(yīng)商?！爆F(xiàn)任英特爾公司副總裁兼閃存產(chǎn)品部總經(jīng)理Brian Harrison表示 ，“我們將能夠?yàn)榭蛻籼峁┩暾腘OR和NAND閃存技術(shù)解決方案，我們相信這些產(chǎn)品將會(huì)為市場(chǎng)的成長創(chuàng)造大量的機(jī)會(huì)，為廠商在新的應(yīng)用領(lǐng)域和區(qū)域開發(fā)產(chǎn)品提供可能?！焙喜附Y(jié)束后，Brian Harrison先生將被任命為新公司首席執(zhí)行官。
      根據(jù)本協(xié)議的規(guī)定，意法半導(dǎo)體將向新公司出售閃存業(yè)務(wù)的資產(chǎn)，包括其NAND合資公司以及其它NOR業(yè)務(wù)資源；同時(shí)英特爾將向新公司出售其NOR資產(chǎn)及資源。作為交換，英特爾將獲得45.1%的股份和近4.32億美元的出資額。意法半導(dǎo)體將獲得48.6%的股份和約4.68億美元的出資額。而總部位于加州Menlo Park的私人股權(quán)投資公司Francisco Partners將出資1.5億美元現(xiàn)金購買可轉(zhuǎn)換優(yōu)先股，這個(gè)數(shù)字相當(dāng)于6.3%的股權(quán)（在某些情況下可能會(huì)調(diào)整）。因此，新公司獲得了相應(yīng)的公司承諾事項(xiàng)，即13億美元的定期貸款和2.5億美元的循環(huán)貸款。定期貸款將由一個(gè)銀團(tuán)組織承諾執(zhí)行。定期貸款的收益將用作新公司的營運(yùn)資本，并償付英特爾和意法半導(dǎo)體公司的出資額。此項(xiàng)交易須經(jīng)過政府監(jiān)管部門的批準(zhǔn)，并符合特別成交條件，預(yù)計(jì)2007年下半年完成交易。
“新公司成立之后，能夠立即提供產(chǎn)品系列非常豐富的非易失性存儲(chǔ)器解決方案，從而滿足來自不同領(lǐng)域的通信和工業(yè)應(yīng)用客戶的需要?！盕rancisco Partners 的創(chuàng)建人和任事股東Dipanjan Deb評(píng)論道。
      新公司的CEO將由Brian Harrison擔(dān)任，負(fù)責(zé)意法半導(dǎo)體公司閃存產(chǎn)品業(yè)務(wù)的現(xiàn)任公司副總裁Mario Licciardello 將出任首席運(yùn)營官一職。新公司總部設(shè)在瑞士，在荷蘭注冊(cè)成立，全球建有9個(gè)主要的研發(fā)和制造業(yè)務(wù)機(jī)構(gòu)，員工人數(shù)近 8，000人。該公司還擁有一支全球性的銷售團(tuán)隊(duì)。
      目前信息內(nèi)容的移動(dòng)性越來越高，基本上都完全實(shí)現(xiàn)了數(shù)字化，數(shù)量不斷增加的信息內(nèi)容提高了市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器的需求。憑借英特爾和意法半導(dǎo)體公司的資產(chǎn)和資源，這些資源包括由近2500項(xiàng)已獲得的專利和1000項(xiàng)申請(qǐng)中的專利組成的豐富的專利技術(shù)組合，新公司將能夠從這一日益提高的市場(chǎng)需求中受益。與此同時(shí)，相變存儲(chǔ)器代表了一個(gè)重要的技術(shù)能力，意法半導(dǎo)體和英特爾的相變存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目有很多相似之處，這兩個(gè)項(xiàng)目合并將有助于新公司快速、高效地向潛在客戶提供先進(jìn)的閃存技術(shù)。
Francisco Partners
www.franciscopartners.com
      Francisco Partners 是一家世界知名的私人股權(quán)投資公司，致力于高科技及高科技型服務(wù)業(yè)務(wù)的投資。Francisco Partners擁有近50億美元的承諾資金，主要從事高科技公司的架構(gòu)投資，投資目標(biāo)針對(duì)私人公司、上市公司以及上市公司的業(yè)務(wù)部門， 交易金額從3000萬美元到30億美元不等。

附件：閃存
前言
      閃存是手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字電視和機(jī)頂盒或發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊等數(shù)字應(yīng)用中一種十分常見的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，這類芯片需具備系統(tǒng)級(jí)編程功能和斷電數(shù)據(jù)保存功能。閃存兼?zhèn)涓叽鎯?chǔ)密度和電可擦除性兩種特點(diǎn)。
      因?yàn)榈凸暮头且资?，閃存技術(shù)在便攜應(yīng)用的發(fā)展中起了主導(dǎo)作用，同時(shí)，隨著每數(shù)據(jù)位成本逐漸降低，完整數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案開始從硬盤驅(qū)動(dòng)器（HDD）向固態(tài)存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)化。
      閃存分為兩大類型：NOR閃存和NAND閃存。NOR閃存架構(gòu)的特性是數(shù)據(jù)讀取速度很快，是手機(jī)等電子設(shè)備中代碼存儲(chǔ)和直接執(zhí)行應(yīng)用的最佳選擇，而存儲(chǔ)密度和編程速度更高的NAND閃存則是高密度存儲(chǔ)應(yīng)用的首選存儲(chǔ)器。

ST閃存業(yè)務(wù)的市場(chǎng)地位
      意法半導(dǎo)體是世界上最大的非易失性存儲(chǔ)器供應(yīng)商之一，該市場(chǎng)包括NOR和NAND閃存。ST在NOR閃存領(lǐng)域的市場(chǎng)份額為16.3%，排名第三1；在串行閃存（帶串行總線的閃存）領(lǐng)域的市場(chǎng)份額為31%，排名第一2。作為全球最大的值得信賴的先進(jìn)存儲(chǔ)器解決方案供應(yīng)商之一，意法半導(dǎo)體為客戶提供最先進(jìn)的技術(shù)產(chǎn)品，從而推動(dòng)他們開發(fā)出高效、安全的無線通信及嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用。 [!--empirenews.page--]
      ST獲得閃存領(lǐng)域的領(lǐng)先市場(chǎng)地位是得益于：大幅度提高閃存的產(chǎn)能，世界領(lǐng)先的技術(shù)，以先進(jìn)、創(chuàng)新、差異化的產(chǎn)品組合全面覆蓋目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域，與移動(dòng)通信、數(shù)字消費(fèi)、PC機(jī)、硬盤、汽車、工業(yè)等主要閃存消費(fèi)應(yīng)用市場(chǎng)上的10家主導(dǎo)公司簽訂了長期合作協(xié)議。ST能夠?qū)Σ粩嘧兓氖袌?chǎng)做出快速反應(yīng)，并超出市場(chǎng)的平均增長水平。

ST的閃存市場(chǎng)戰(zhàn)略
      閃存制造商同時(shí)承受著兩種壓力：提高性能（速度、密度、功耗），降低成本。為實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)目標(biāo)，ST采用的是制造工藝和產(chǎn)品系統(tǒng)雙管齊下、相互補(bǔ)充的戰(zhàn)略。
提高工藝水平
      第一種方法是通過半導(dǎo)體工業(yè)的國際半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)計(jì)劃ITRS（0.25μm， 0.18μm， 0.13μm， 90nm， 65nm ...） 定義的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，不斷縮減制造工藝技術(shù)的幾何尺寸。作為非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的排頭兵，ST長期以來不懈地推動(dòng)著制造工藝的改進(jìn)，目前65nm技術(shù)的NOR閃存已進(jìn)入量產(chǎn)階段，投入量產(chǎn)的還有60nm和55nm的NAND閃存芯片，下一代48 nm閃存目前正在開發(fā)階段。除此之外，ST還在開發(fā)創(chuàng)新的90nm相變存儲(chǔ)器的原型。 
1資料來源 : iSuppli， 2007年4月
2 資料來源 : Web-Feet， 2007年4月
      ST還采用了新的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，如多位單元閃存。我們的戰(zhàn)略是，在今后幾年，通過擴(kuò)大多位單元結(jié)構(gòu)，繼續(xù)提高閃存的密度。
系統(tǒng)解決方案
      第二種方法是開發(fā)一種使所有應(yīng)用都能更好地利用現(xiàn)有的量產(chǎn)技術(shù)的產(chǎn)品組合。這種方法需要尖端的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及架構(gòu)（如多位單元閃存），以及技術(shù)先進(jìn)的專用閃存；在一個(gè)微型封裝內(nèi)疊裝多個(gè)存儲(chǔ)器芯片（多片封裝）或把存儲(chǔ)器與處理器封裝在一起（系統(tǒng)級(jí)封裝），提供系統(tǒng)芯片的高性能組裝技術(shù)；生產(chǎn)種類最齊全的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。
多片封裝 (MCP)和系統(tǒng)封裝  
      在一個(gè)非常小的多片封裝內(nèi)，ST開發(fā)出的存儲(chǔ)器子系統(tǒng)整合了一個(gè)或更多的閃存芯片、一個(gè)低功耗的RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和相關(guān)的硬件。這些產(chǎn)品為第三代手機(jī)提供了一個(gè)完美的存儲(chǔ)解決方案，新應(yīng)用是第三代移動(dòng)設(shè)備的亮點(diǎn)，包括高速上網(wǎng)、語音郵件、藍(lán)牙通信、數(shù)據(jù)保存等，外形緊湊和耗電量低是這些設(shè)備的基本要求。
疊層封裝
      ST在疊層封裝(PoP)技術(shù)開發(fā)方面居世界領(lǐng)先水平。疊層封裝是半導(dǎo)體工業(yè)內(nèi)最新的創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)能夠把分立的邏輯器件與存儲(chǔ)器封裝縱向堆疊在一起。兩個(gè)封裝上下堆疊在一起，通過一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)接口傳送信號(hào)。在節(jié)省電路板空間、降低布局復(fù)雜性、簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)、減少引腳數(shù)量等滿足移動(dòng)應(yīng)用的小型化需求方面，疊層封裝的優(yōu)勢(shì)比多片封裝更強(qiáng)一些。
先進(jìn)架構(gòu)閃存
      先進(jìn)架構(gòu)閃存具有以下特性：并行接口、存儲(chǔ)密度高、編程或讀取操作時(shí)間短、工作電壓低、安全性高。這個(gè)戰(zhàn)略要求存儲(chǔ)器廠商必須與推動(dòng)市場(chǎng)增長的主要OEM廠商合作。對(duì)比其它閃存供應(yīng)商，合作開發(fā)是ST的優(yōu)勢(shì)所在，因?yàn)镾T與通信、消費(fèi)、計(jì)算機(jī)及外設(shè)和汽車市場(chǎng)的主要廠商建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。
      為了滿足手機(jī)市場(chǎng)的需求，ST設(shè)計(jì)出了微型節(jié)能的NOR式先進(jìn)架構(gòu)閃存解決方案，新產(chǎn)品存儲(chǔ)密度高達(dá)512 Mbits (或1Gbit，多片封裝)，并增加了多種功能，如異步和同步讀取模式，以及提高軟件靈活性和處理速度的雙或多存儲(chǔ)庫架構(gòu)。為了配合NOR閃存產(chǎn)品，ST還推出了密度高達(dá)4 Gbits的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用NAND閃存。

嵌入式系統(tǒng)用NOR閃存
      作為NOR閃存市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者和技術(shù)領(lǐng)先者，ST的NOR閃存產(chǎn)品種類十分豐富，從工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)閃存到先進(jìn)架構(gòu)閃存，應(yīng)有盡有，能夠很好地適應(yīng)不同市場(chǎng)的需求，包括汽車、消費(fèi)電子和計(jì)算機(jī)外設(shè)。ST的NOR閃存內(nèi)建串行或并行總線接口，以適應(yīng)任何嵌入式應(yīng)用的需求。

消費(fèi)電子產(chǎn)品用NOR閃存
      消費(fèi)應(yīng)用如機(jī)頂盒(STB)、DVD、數(shù)字電視、數(shù)碼相機(jī)和PDA支持的應(yīng)用程序變得日益復(fù)雜，同時(shí)處理的數(shù)據(jù)流的速度越來越快（例如，STB的MPEG文件）。ST針對(duì)消費(fèi)電子市場(chǎng)的需求優(yōu)化了閃存架構(gòu)，其數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和代碼執(zhí)行用閃存均具有高密度、快速讀取、成本低廉、安全性強(qiáng)的特點(diǎn)。

汽車電子用NOR閃存
      ST按照汽車客戶需求的發(fā)展趨勢(shì)，針對(duì)快速增長的汽車市場(chǎng)，調(diào)整了公司產(chǎn)品組合，不同的應(yīng)用產(chǎn)品之間都有很大的變化。ST先進(jìn)架構(gòu)閃存內(nèi)建32位數(shù)據(jù)總線和脈沖串讀取模式，滿足了今天汽車娛樂信息系統(tǒng)對(duì)高性能、高密度閃存的需求。在汽車級(jí)產(chǎn)品方面，ST專注于卓越的質(zhì)量（先進(jìn)制造測(cè)試篩選）和一流的服務(wù)（交貨和支持）。

BIOS（基本輸入輸出系統(tǒng)）存儲(chǔ)用閃存
      針對(duì)臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器、筆記本電腦的系統(tǒng)及視頻BIOS存儲(chǔ)的特殊需求，ST開發(fā)出一系列專用的先進(jìn)架構(gòu)NOR閃存。.

代碼存儲(chǔ)用串行NOR閃存
      對(duì)于有高性能、低功耗和節(jié)省空間需求的應(yīng)用設(shè)備，數(shù)據(jù)保留期限長、耗電量低的串行NOR閃存是其存儲(chǔ)和執(zhí)行代碼的理想解決方案。ST的串行閃存應(yīng)用十分廣泛，例如，計(jì)算機(jī)外設(shè)（硬盤、顯卡、一體式打印機(jī)、光驅(qū)）、汽車（汽車收音機(jī)、GPS導(dǎo)航系統(tǒng)）、通信（網(wǎng)卡、ADSL調(diào)制解調(diào)器）、消費(fèi)電子產(chǎn)品（MP3播放器、錄音筆、DVD影碟機(jī)）。[!--empirenews.page--]
數(shù)據(jù)及參數(shù)存儲(chǔ)用串行NOR閃存
      ST數(shù)據(jù)及參數(shù)存儲(chǔ)閃存給要求數(shù)據(jù)參數(shù)傳輸速度快的應(yīng)用領(lǐng)域帶來了更高的價(jià)值，具體應(yīng)用包括數(shù)字應(yīng)答機(jī)、DECT電話、無繩電話、尋呼機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、家庭游戲機(jī)、玩具、便攜掃描儀、傳真機(jī)、手機(jī)、錄音筆、打印機(jī)、PDA、MP3播放器/錄音筆、GPS系統(tǒng)、測(cè)量系統(tǒng)、數(shù)據(jù)流。

移動(dòng)終端用NOR閃存
      我們可以通過手機(jī)市場(chǎng)預(yù)測(cè)閃存市場(chǎng)增長幅度。手機(jī)正在從單一語音功能的基本終端向多媒體終端快速發(fā)展，新一代手機(jī)支持復(fù)雜的應(yīng)用、實(shí)時(shí)通信服務(wù)，能夠處理快速的多媒體數(shù)據(jù)流。今天的多媒體手機(jī)需要高帶寬的存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)代碼需要密度達(dá)到1Gbit的閃存，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需要密度達(dá)到4 Gbits。通過利用多位單元等最新的存儲(chǔ)器架構(gòu)，提高存儲(chǔ)器的密度，使之同時(shí)還適合數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，ST的手機(jī)用NOR閃存達(dá)到了性能最大化，同時(shí)成本、功耗和封裝尺寸最小化的特殊要求。
      與NOR閃存相比，NAND閃存的存儲(chǔ)密度更高(高達(dá)8 Gbits)，擦除時(shí)間更短、但隨機(jī)存取時(shí)間稍長。雖然直接執(zhí)行代碼的效率不高，但是NAND閃存更適合在數(shù)字消費(fèi)應(yīng)用中存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)。除其它非易失性存儲(chǔ)器外，NAND閃存在嵌入式應(yīng)用和無線通信系統(tǒng)中日益普及，主要功能是存儲(chǔ)大量的參數(shù)或多媒體文體，例如，音樂和數(shù)字影像。 
      因?yàn)槭切№摶虼箜摯鎯?chǔ)結(jié)構(gòu)，NAND閃存架構(gòu)十分適合海量存儲(chǔ)廣泛使用的數(shù)據(jù)格式。此外，NAND閃存配有多路復(fù)用數(shù)據(jù)/地址總線，這種配置可以減少器件的引腳數(shù)量，在同一個(gè)封裝內(nèi)提高存儲(chǔ)密度。

結(jié)論
      閃存是存儲(chǔ)器行業(yè)內(nèi)增長勢(shì)頭最強(qiáng)的產(chǎn)品，為多種現(xiàn)有的和新興的應(yīng)用提供靈活的代碼、數(shù)據(jù)、代碼到數(shù)據(jù)、代碼到參數(shù)的存儲(chǔ)解決方案。ST是世界一流的值得信任的閃存供應(yīng)商，擁有市場(chǎng)上種類最齊全的閃存產(chǎn)品，包括工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)閃存、安全先進(jìn)架構(gòu)閃存、閃存子系統(tǒng)，能夠滿足幾乎所有嵌入式或無線應(yīng)用的特殊需求。

補(bǔ)充說明
歷史回顧
      作為EPROM（可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）兩種存儲(chǔ)器的折衷，閃存是20世紀(jì)80年代問世的。像EEPROM存儲(chǔ)器一樣，閃存支持電擦除數(shù)據(jù)；保存新數(shù)據(jù)閃存無需擦除整個(gè)存儲(chǔ)陣列。像EPROM存儲(chǔ)器一樣，閃存陣列的架構(gòu)是每單元一個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)，使芯片廠商能夠制造出成本效益和存儲(chǔ)密度更高的存儲(chǔ)器。
      首先，閃存受益于PC機(jī)市場(chǎng)的飛速增長。在PC時(shí)代剛剛開始時(shí)，易失性存儲(chǔ)器DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) 雖然固有數(shù)據(jù)易失性的缺點(diǎn)，但仍然是兩個(gè)最重要的存儲(chǔ)器。隨著設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)的進(jìn)步提高了閃存技術(shù)的密度和可用性，作為對(duì)現(xiàn)有的SRAM和DRAM子系統(tǒng)的一種補(bǔ)充，閃存斷電保留數(shù)據(jù)和高速度讀取的性能加快了其在市場(chǎng)上的推廣應(yīng)用。
因?yàn)楣牡秃头且资缘膬?yōu)點(diǎn)，閃存被證明是最適合便攜應(yīng)用發(fā)展的非易失性存儲(chǔ)器，因此加快了移動(dòng)時(shí)代的到來。最早出現(xiàn)的閃存是以代碼執(zhí)行為主要應(yīng)用的NOR閃存。此后又出現(xiàn)了另外一種叫做NAND的閃存，隨著閃存的每位成本降低，完整的存儲(chǔ)解決方案開始從硬盤（HDD）開始向固態(tài)存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)換，從而推動(dòng)了今天的移動(dòng)多媒體應(yīng)用的發(fā)展。

技術(shù)說明:
      閃存、EPROM和EEPROM器件保存數(shù)據(jù)都使用相同的基本浮柵機(jī)制，但是讀寫數(shù)據(jù)時(shí)卻采用不同的方法。無論是哪一種情況，基本存儲(chǔ)單元都是由一個(gè)雙柵MOS晶體管(MOSFET)組成：控制柵連接讀寫電路，浮柵位于控制柵和MOSFET的溝道 (在MOSFET上電子從源極流到漏極經(jīng)過的通道)之間。
      在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET內(nèi)，控制溝道的電阻只使用一個(gè)柵極控制電流：通過在柵極上施加電壓，可以控制從源極流到漏極的電流的大小。非易失性存儲(chǔ)器中的MOSFET還有第二個(gè)柵極，一個(gè)二氧化硅絕緣層將這個(gè)柵極完全包圍起來，即第二個(gè)柵極與晶體管的其余部分保持絕緣狀態(tài)。因?yàn)楦诺組OSFET溝道的距離非常近，所以，電荷即使很小，對(duì)晶體管的電特性的作用也很容易檢測(cè)到。通過給控制柵施加適當(dāng)?shù)男盘?hào)，并測(cè)量晶體管特性的變化，可以確定浮柵上是否存在電荷。因?yàn)楦排c其余晶體管其余部分是絕緣的，所以把電子移入/移出浮柵需要特殊的方法。
      其中一種方法是通過在MOSFET的源漏極之間產(chǎn)生較大的電流，使MOSFET溝道充滿大量的高能電子。在這些?熱?電子中，有些電子的能量十分高，足以跨過溝道之間的勢(shì)壘進(jìn)入浮柵。當(dāng)源漏極之間的大電流消失時(shí)，這些電子仍然陷在浮柵內(nèi)。這就是給EPROM和閃存的存儲(chǔ)單元編程所采用的方法。這種技術(shù)叫做溝道熱電子(CHE)注射，通過這種技術(shù)，可以給浮柵加載電荷，但是不能釋放電荷。EPROM是采用給整個(gè)存儲(chǔ)陣列覆蓋紫外線的方法給浮柵放電，高能量紫外線穿透芯片結(jié)構(gòu)，把能量傳給被捕獲的電子，使他們能夠從浮柵內(nèi)逃逸出來。這是一種簡單而有效的擦除方法，同時(shí)證明過擦除，即在浮柵放電結(jié)束后繼續(xù)給芯片通紫外線，不會(huì)損壞芯片。
      第二種將電荷移入浮柵內(nèi)的方法是利用叫做隧穿的量子力學(xué)效應(yīng)：通過在MOSFET控制柵與源極或漏極之間施加足以使電子隧穿氧化硅絕緣層進(jìn)入源極的電壓，從浮柵中取出電子。在一定時(shí)間內(nèi)隧穿氧化硅絕緣層的電子數(shù)量取決于氧化層的厚度和所通電壓的大小。為滿足實(shí)際電壓值和擦除時(shí)間的限制條件，絕緣層必須非常薄，通常厚度為7nm (70 Angstroms)。
      [!--empirenews.page--]EEPROM存儲(chǔ)器采用量子隧穿技術(shù)，根據(jù)所通電壓的極性給浮柵充電和放電。因此，我們可以把閃存視為一個(gè)像EPROM一樣編程、像EEPROM一樣擦除的存儲(chǔ)器，不過，閃存技術(shù)并不是把EEPROM擦除機(jī)制移植到EPROM上那么簡單。
      隔離浮柵與源極的氧化層的厚度是EPROM與其它兩個(gè)工藝之間最大的差別。在一個(gè)EPROM內(nèi)，絕緣層厚度通常為 20-25nm，但是這個(gè)絕緣層太厚了，利用一個(gè)實(shí)際電壓，以可接受的速率，是無法隧穿這個(gè)絕緣層的。閃存器件要求隧穿氧化層厚度大約10nm，氧化層的質(zhì)量對(duì)閃存的性能和可靠性影響很大。這是只有很少的半導(dǎo)體廠商掌握閃存技術(shù)原因之一，能夠整合閃存技術(shù)與主流的CMOS工藝，制造內(nèi)置閃存的微控制器的產(chǎn)品的廠商就更少了。
 多位單元技術(shù)
傳統(tǒng)上，浮柵機(jī)制用于存儲(chǔ)一個(gè)單一的數(shù)據(jù)位，這種數(shù)據(jù)需通過對(duì)比MOSFET閾壓和參考電壓來讀取。但是，有了更加先進(jìn)的讀寫技術(shù)，可以區(qū)分兩個(gè)以上的浮柵電荷狀態(tài)，因此可以在一個(gè)浮柵上存儲(chǔ)兩個(gè)以上的數(shù)據(jù)位。這是一個(gè)重大的技術(shù)突破，對(duì)于給定的單元尺寸，每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)數(shù)據(jù)位相當(dāng)于把存儲(chǔ)容量提高了一倍。ST世界上僅有的幾家能夠提供多位單元架構(gòu)的閃存芯片廠商之一。

NAND與 NOR對(duì)比
      雖然所有閃存都使用相同的基本存儲(chǔ)單元，但是，在整個(gè)存儲(chǔ)陣列內(nèi)，有多種方法將存儲(chǔ)單元連接在一起。NOR和NAND是其中兩個(gè)最重要的架構(gòu)，這兩個(gè)術(shù)語來自傳統(tǒng)的組合邏輯電路，指示了存儲(chǔ)陣列的拓?fù)?，以及讀寫每個(gè)單元的存取方式。最初，這兩個(gè)在原理上存在差別的架構(gòu)之間有一個(gè)基本區(qū)別，讀取速度快是NOR器件的固有特性，而存儲(chǔ)密度高是NAND閃存的特長（因?yàn)镹AND單元比NOR單元小大約40％）。ST是按照存儲(chǔ)密度給這兩個(gè)架構(gòu)定位：:對(duì)于1 Gbit 以及以上的應(yīng)用，NAND閃存目前被認(rèn)為是最具成本效益的解決方案。對(duì)于存儲(chǔ)密度1 Gbit以下的應(yīng)用，還要根據(jù)應(yīng)用需求考慮以下的參數(shù)，包括伴隨RAM的存儲(chǔ)容量和編程和讀取速度。