【導(dǎo)讀】整合元件廠(IDM)積極布局大陸市場(chǎng)，為降低成本就近生產(chǎn)，部分IDM選擇直接釋單給大陸當(dāng)?shù)?strong>晶圓廠，由于臺(tái)廠在大陸僅放行到0.13微米制程，因此，不少納米級(jí)制程訂單轉(zhuǎn)到大陸晶圓廠中芯國(guó)際，讓近期中芯來(lái)自于IDM訂單大增，未來(lái)恐影響臺(tái)積電與聯(lián)電在大陸競(jìng)爭(zhēng)力。 整合元件廠(IDM)積極布局大陸市場(chǎng)，為降低成本就近生產(chǎn)，部分IDM選擇直接釋單給大陸當(dāng)?shù)?b>晶圓廠，由于臺(tái)廠在大陸僅放行到0.13微米制程，因此，不少納米級(jí)制程訂單轉(zhuǎn)到大陸晶圓廠中芯國(guó)際，讓近期中芯來(lái)自于IDM訂單大增，未來(lái)恐影響臺(tái)積電與聯(lián)電在大陸競(jìng)爭(zhēng)力。
 
半導(dǎo)體業(yè)者指出，過(guò)去IDM在大陸投資設(shè)廠主要以封測(cè)為主，由于投資晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)太大，隨著大陸內(nèi)需市場(chǎng)擴(kuò)大，IDM希望能搶食這塊大餅，因而積極與大陸當(dāng)?shù)鼐A代工廠合作，近期中芯便接獲許多IDM轉(zhuǎn)單，由于目前臺(tái)積電上海松江廠與聯(lián)電轉(zhuǎn)投資和艦受限于政府規(guī)范，僅有0.13微米以上成熟制程，讓許多90及65納米制程訂單轉(zhuǎn)向中芯。
 
盡管IDM或中芯對(duì)此都相當(dāng)?shù)驼{(diào)，但大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示，中芯在2010年總算終結(jié)虧損命運(yùn)，營(yíng)運(yùn)出現(xiàn)起色，并開(kāi)始量產(chǎn)65納米制程，目前已有15個(gè)設(shè)計(jì)定案(tape-out)，其中一半是大陸客戶，中芯預(yù)計(jì)2011年下半量產(chǎn)45／40納米制程，加速拉近與臺(tái)積電、聯(lián)電的競(jìng)爭(zhēng)距離。對(duì)于中芯來(lái)說(shuō)，三星電子(Samsung Electronics)并非可畏的對(duì)手，其目標(biāo)在于搶下全球第2寶座。
 
半導(dǎo)體業(yè)者指出，中芯于2011年啟動(dòng)為期5年的「三級(jí)跳」計(jì)畫(huà)，將大幅擴(kuò)充! 12吋晶圓產(chǎn)能，預(yù)計(jì)于2015年12吋年產(chǎn)能將達(dá)200萬(wàn)片，屆時(shí)年?duì)I收將達(dá)50億美元。根據(jù)計(jì)畫(huà)，中芯第1= 跳躍在2011年，將擴(kuò)充北京一廠65／55納米產(chǎn)能；第2個(gè)跳躍在2011~2012年，快速擴(kuò)充上海廠45／40納米產(chǎn)能；第3個(gè)跳躍則是在2013~2014年，量產(chǎn)32納米高介電質(zhì)金屬閘(HKMG)制程，屆時(shí)中芯制程技術(shù)將提升到32／28納米。
 
此外，為同步服務(wù)IC設(shè)計(jì)商，中芯亦加大矽智財(cái)(IP)投資力道，2010年中芯在IP方面投資金額，便超越過(guò)去3年的總和。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，以該計(jì)畫(huà)來(lái)看，顯見(jiàn)中芯執(zhí)行長(zhǎng)王寧國(guó)極具雄心，待中芯納米級(jí)制程更加成熟，除大陸本土IC設(shè)計(jì)客戶，IDM廠亦將擴(kuò)大投片中芯，對(duì)臺(tái)積電與聯(lián)電在大陸布局造成威脅。不過(guò)，大陸政府是否愿意長(zhǎng)期資金奧援，讓中芯能完成5年大計(jì)，后續(xù)仍需觀察。