【導讀】近幾年，處于技術以及市場競爭等因素的原因，相對于外延、芯片和封裝環(huán)節(jié)，國內(nèi)襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展一直比較緩慢。2010年，眾多藍寶石襯底項目尚處在投資建設或設備調(diào)試階段，產(chǎn)能尚未大規(guī)模釋放，因此中國LED襯底產(chǎn)業(yè)仍主要以低端產(chǎn)品為主，藍寶石襯底產(chǎn)業(yè)規(guī)模有限。2010年中國襯底環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到352.5萬平方英寸，同比增長34.4%，實現(xiàn)產(chǎn)值1.4億元，比2009年增長50.8%。

摘要：  近幾年，處于技術以及市場競爭等因素的原因，相對于外延、芯片和封裝環(huán)節(jié)，國內(nèi)襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展一直比較緩慢。2010年，眾多藍寶石襯底項目尚處在投資建設或設備調(diào)試階段，產(chǎn)能尚未大規(guī)模釋放，因此中國LED襯底產(chǎn)業(yè)仍主要以低端產(chǎn)品為主，藍寶石襯底產(chǎn)業(yè)規(guī)模有限。2010年中國襯底環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到352.5萬平方英寸，同比增長34.4%，實現(xiàn)產(chǎn)值1.4億元，比2009年增長50.8%。

關鍵字：  全球金融危機，  扶持政策，  藍寶石

自國家半導體照明工程實施以來，中國LED產(chǎn)業(yè)取得了長足的發(fā)展。2008年，全球金融危機導致下游市場需求疲軟，在一定程度上減緩了中國LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度。進入2009年，隨著國家不斷出臺相關扶持政策，中國LED產(chǎn)業(yè)增速企穩(wěn)回升。 2010年，在LED全彩顯示、LED背光源、LED照明等下游應用高速發(fā)展的拉動下，包括襯底、外延、芯片、封裝在內(nèi)的中國LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模高速增長到 294.6億元，比2009年大幅增長33.8%。2006-2010年，中國LED產(chǎn)業(yè)年均復合增長率達到18.7%。

襯底環(huán)節(jié)仍以低端產(chǎn)品為主，藍寶石產(chǎn)業(yè)開始大規(guī)模布局

近幾年，處于技術以及市場競爭等因素的原因，相對于外延、芯片和封裝環(huán)節(jié)，國內(nèi)襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展一直比較緩慢。2010年，眾多藍寶石襯底項目尚處在投資建設或設備調(diào)試階段，產(chǎn)能尚未大規(guī)模釋放，因此中國LED襯底產(chǎn)業(yè)仍主要以低端產(chǎn)品為主，藍寶石襯底產(chǎn)業(yè)規(guī)模有限。2010年中國襯底環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到352.5萬平方英寸，同比增長34.4%，實現(xiàn)產(chǎn)值1.4億元，比2009年增長50.8%。

從中國襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況看，在國家半導體照明工程、國家863等重大專項的支持下，中國制備紅光、綠光LED用的GaAs/InP/GaP襯底材料技術已經(jīng)取得重大進展。在企業(yè)分布上，中科鎵英，國瑞電子、上海中科嘉浦、中國電子科技集團第46研究所等企業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)上述產(chǎn)品的批量供應。這些企業(yè)LED襯底產(chǎn)量已經(jīng)占據(jù)中國整體LED襯底產(chǎn)量的30%左右，從而保障了中國該類型襯底基本實現(xiàn)自主供應。

外延環(huán)節(jié)產(chǎn)能迅速擴張，產(chǎn)品層次逐步提升

LED外延作為LED產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，從2009年開始，在中國下游應用市場高速發(fā)展的帶動下，中國GaNMOCVD數(shù)量開始爆發(fā)性增長，使得中國LED外延產(chǎn)業(yè)得到快速發(fā)展。2010年，中國在產(chǎn)與建成調(diào)試的MOCVD數(shù)量接近300臺，實現(xiàn)量產(chǎn)的MOCVD數(shù)量超過200臺。 2010年，中國LED外延產(chǎn)業(yè)規(guī)模為12.5億元，比2009年大幅增長78.4%。

具體在產(chǎn)品上，AlGaInP外延(主要應用于紅光LED產(chǎn)品的制備)，由于該類材料生長機理以及材料特性穩(wěn)定，使得該類產(chǎn)品生長技術相對容易掌握，目前國內(nèi)該種外延產(chǎn)品發(fā)展也處于領先地位。由于AlGaInP外延下游應用領域相對成熟，對上游外延片增長拉動較為緩慢，使得 AlGaInP外延片的增速遠低于GaN外延片的增速。2010年，AlGaInP/AlGaAs/GaAsP/GaP系外延片產(chǎn)量約占整體外延產(chǎn)量的 60.2%，較2009年減小15.8個百分點。此外，藍白光LED在景觀照明、背光源等領域應用規(guī)?？焖贁U大的推動下和國內(nèi)企業(yè)以及科研院所在材料生長技術不斷取得突破的支撐下，2010年，GaN外延片產(chǎn)量約占整體外延產(chǎn)量的39.8%。未來三年，這一比例還將快速提升，預計2011年中國GaN外延片的產(chǎn)量將超過AlGaInP外延片。

在供需方面，用于普通亮度紅光LED的外延片已經(jīng)基本實現(xiàn)自主供應。然而，由于外延片質(zhì)量直接影響LED芯片的發(fā)光亮度和發(fā)光特性，目前，用于制備大功率高亮度紅光LED的高質(zhì)量AlGaInP外延片仍主要從臺灣及韓國等地進口。此外，由于國內(nèi)GaN外延片供應量較小，且產(chǎn)品質(zhì)量與國際領先水平差距明顯，因而，國內(nèi)該類產(chǎn)品也主要依靠進口。

但隨著市場需求的逐步擴大，中國LED外延產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，在原有企業(yè)在積極擴充產(chǎn)能的基礎上，也不斷有新企業(yè)進入該領域。從企業(yè)投資趨勢來看，一方面原有企業(yè)在現(xiàn)有生產(chǎn)基地的基礎上進行擴產(chǎn)，另一方面如廈門三安則開始在除廈門以外的天津、安徽蕪湖建立LED生產(chǎn)企業(yè)，山東浪潮華光除了原有在濟南和濰坊的一廠、二廠以外，2009-2010年也開始在濟南高新區(qū)和臨沂建立另外兩個生產(chǎn)基地。此外，新進入企業(yè)也不再僅僅把投資地點選擇在上海、廈門、揚州等地區(qū)，中國LED外延片投資呈現(xiàn)多處開花的局面，并且有從東部和南部沿海城市向北部以及中部城市延伸的趨勢。

由于外延片和芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)聯(lián)系緊密，行業(yè)內(nèi)的多數(shù)企業(yè)在從事芯片生產(chǎn)的同時也進行外延片產(chǎn)品的生產(chǎn)，從目前國內(nèi)新投資的企業(yè)看，基本上都涵蓋了外延和芯片兩個環(huán)節(jié)。而對于外資來華投資的企業(yè)來說，處于對技術流失等因素的考慮，初期仍主要以轉移芯片生產(chǎn)為主。