摘要：  全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布，該公司在全國領(lǐng)先電子行業(yè)媒體《今日電子》與21ic舉辦的Top-10電源產(chǎn)品獎中，榮獲“最佳開發(fā)獎”。

關(guān)鍵字：  最佳開發(fā)獎，  飛兆半導(dǎo)體

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布，該公司在全國領(lǐng)先電子行業(yè)媒體《今日電子》與21ic舉辦的Top-10電源產(chǎn)品獎中，榮獲“最佳開發(fā)獎”。

飛兆半導(dǎo)體憑著FDPC8011S 25V雙功率芯片非對稱N溝道模塊 獲得這一獎項。產(chǎn)品采用3.3x3.3mm2封裝，設(shè)計用于在更小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率。Top-10電源產(chǎn)品獎的提名產(chǎn)品均按照“在技術(shù)或應(yīng)用方面取得顯著進步”， “具有開創(chuàng)性的設(shè)計”， “性價比顯著提高”這三個標準評選。

FDPC8011S在一個采用全Clip封裝內(nèi)集成1.4mΩ SyncFETTM 技術(shù)和一個5.4mΩ控制MOSFET、低質(zhì)量因子的N溝道MOSFET，有助于減少同步降壓應(yīng)用中的電容數(shù)量并減小電感尺寸。該器件具有源極朝下和低側(cè)MOSFET可以實現(xiàn)簡單的布局和布線，提供更緊湊的線路板布局并獲得最佳的散熱性能。FDPC8011S具有超過25A的輸出電流，與其它普通3x3mm2 雙MOSFET器件相比，輸出電流容量提高了2倍。

獲獎的FDPC8011S是飛兆半導(dǎo)體齊全的先進MOSFET技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分，它能夠為電源設(shè)計人員提供了大量針對任務(wù)關(guān)鍵性高效信息處理設(shè)計的解決方案。