摘要：  橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體與法國(guó)最著名的科研機(jī)構(gòu)CEA-Leti宣布來自意法半導(dǎo)體與CEA-Leti的研究員團(tuán)隊(duì)榮獲2012年Général Ferrié大獎(jiǎng)。

關(guān)鍵字：  FD-SOI技術(shù) 意法半導(dǎo)體

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體與法國(guó)最著名的科研機(jī)構(gòu)CEA-Leti宣布來自意法半導(dǎo)體與CEA-Leti的研究員團(tuán)隊(duì)榮獲2012年Général Ferrié大獎(jiǎng)。

被認(rèn)為法國(guó)電子研發(fā)領(lǐng)域最高榮譽(yù)的Général Ferrié大獎(jiǎng)每年授予為電子技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用做出突出貢獻(xiàn)的工程師或科學(xué)研發(fā)團(tuán)隊(duì)。

此次獲獎(jiǎng)團(tuán)隊(duì)成員為來自Leti的Claire Fenouillet-Béranger和Olivier Faynot與來自意法半導(dǎo)體的Stéphane Monfray和 Frédéric B?uf，他們?cè)贔D-SOI(全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)上取得重大突破而獲此殊榮。FD-SOI技術(shù)可進(jìn)一步縮小集成電路的尺寸。

自上個(gè)世紀(jì)60年代初，半導(dǎo)體工業(yè)一直按照摩爾定律提高芯片的計(jì)算性能。根據(jù)摩爾定律，集成電路的晶體管數(shù)量每?jī)赡晏岣咭槐丁?/P>

然而，今天半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展面臨一個(gè)重大限制：一旦晶體管尺寸縮小至100納米以下，晶體管的電氣特性將越來越難以控制。意法半導(dǎo)體的先進(jìn)多模塊團(tuán)隊(duì)和Leti團(tuán)隊(duì)于本世紀(jì)初開始著手研發(fā)，經(jīng)過多年努力，終于使量化新方法提高傳統(tǒng)晶體管性能的程度成為了可能。

隨著時(shí)間的推移，研究人員提出了使用絕緣體上的超薄硅襯底上制造晶體管替代在無絕緣體的更厚的硅層上制造晶體管的概念，最終開發(fā)出全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)。這項(xiàng)平面技術(shù)采用傳統(tǒng)技術(shù)已采納的制程，而諸如FinFET等基于3D晶體管的方法需要徹底改變?cè)O(shè)計(jì)方法和制程。

事實(shí)上，這四位研究人員能夠驗(yàn)證FD-SOI技術(shù)選擇的正確性，同時(shí)也可使該技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。他們發(fā)現(xiàn)這項(xiàng)技術(shù)有三大優(yōu)勢(shì)：

制程非常接近現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)(單晶硅襯底所用的“體效應(yīng)”制造技術(shù))

從體效應(yīng)技術(shù)向FD-SOI技術(shù)移植電路設(shè)計(jì)較向FinFET技術(shù)容易很多，因?yàn)镕D-SOI技術(shù)仍使用平面形狀的晶體管

這項(xiàng)技術(shù)對(duì)移動(dòng)應(yīng)用非常有吸引力，如智能手機(jī)和平板電腦，這些應(yīng)用要求高性能與低功耗

Leti首席執(zhí)行官Laurent Malier表示：“這項(xiàng)大獎(jiǎng)?wù)J可了Leti在SOI領(lǐng)域20余年的研發(fā)努力。成功將這項(xiàng)技術(shù)開發(fā)至產(chǎn)業(yè)化水平，成為移動(dòng)設(shè)備元器件備選制造工藝，實(shí)現(xiàn)出色的處理速度和功耗，這讓我們感到非常驕傲”。

意法半導(dǎo)體先進(jìn)器件總監(jiān)、IEEE研究員Thomas Skotnicki表示：“Claire、Frédéric、Olivier和Stéphane作為先進(jìn)器件研發(fā)團(tuán)隊(duì)的核心成員，以堅(jiān)強(qiáng)的毅力和品質(zhì)驗(yàn)證不同的薄膜晶體管概念，克服了阻擋新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的所有障礙。”

意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼前工序制造及工藝研發(fā)主管Jo?l Hartmann補(bǔ)充說：“在一個(gè)國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈且企業(yè)競(jìng)相縮小元器件尺寸的工業(yè)環(huán)境中，看到CEA與意法半導(dǎo)體的長(zhǎng)期合作取得成果讓我感到特別驕傲?！?/P>

于12月3日舉行的頒獎(jiǎng)典禮由SEE(法國(guó)電力、電子、信息技術(shù)與通信協(xié)會(huì))主席Paul Friedel和法國(guó)科技協(xié)會(huì)顧問兼獎(jiǎng)勵(lì)殊榮委員會(huì)主席Erich Spitz主持。

本項(xiàng)大獎(jiǎng)是為紀(jì)念法國(guó)工程師、將軍和無線電廣播技術(shù)先驅(qū) Gustave-Auguste Ferrié(1868-1932)而設(shè)立，他是1904年在埃菲爾斜塔上安裝無線電發(fā)射臺(tái)的負(fù)責(zé)人。1917年，他的設(shè)備成功截獲了間諜Mata Hari發(fā)送的情報(bào)，幫助法國(guó)政府終結(jié)了她的間諜活動(dòng)。