摘要：  賽靈思(Xilinx)將以三維晶片(3D IC)技術(shù)優(yōu)勢，迎戰(zhàn)競爭對手Altera的先進制程新攻勢。

關(guān)鍵字：  IC，芯片，納米

賽靈思(Xilinx)將以三維晶片(3D IC)技術(shù)優(yōu)勢，迎戰(zhàn)競爭對手Altera的先進制程新攻勢。Altera日前宣布將借力英特爾(Intel)14納米(nm)三閘極電晶體(Tri-gate Transistor)制程生產(chǎn)更先進的現(xiàn)場可編程閘陣列(FPGA)方案，引發(fā)外界對賽靈思在先進制程世代的競爭力疑慮;對此，賽靈思在日前法說會上強調(diào)，將攜其于3D IC領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢，繼續(xù)站穩(wěn)先進制程市場地位。

賽靈思執(zhí)行長Moshe N. Gavrielov表示，賽靈思研發(fā)團隊已大量投資于20納米制程，且已加快其他先進制程的投資腳步。Gavrielov以28納米制程的低耗電高介電常數(shù)金屬閘極(High-k Metal Gate)制程為例，當初賽靈思投資該制程時帶給投資人不少壓力，不過在與臺積電通力合作下，已產(chǎn)出最高性能、最高頻寬、最低功耗的產(chǎn)品，且今年度開始，賽靈思將會有50%以上的營收來自于28納米制程。他強調(diào)，賽靈思將持續(xù)復製28納米制程于系統(tǒng)單芯片(SoC)FPGA的成功經(jīng)驗于3D產(chǎn)品線上。

針對先進制程最新進度，賽靈思可編程平臺團隊資深副總裁Victor Peng解釋，賽靈思的研發(fā)重點不僅針對可編程邏輯元件(PLD)技術(shù)，更重要的是精進3D技術(shù)，目前賽靈思已是獨家可以硅穿孔(Through Silicon Via)技術(shù)、微凸塊(Micro Bump)以及硅中介層(Silicon Interposer)制作出3D異質(zhì)整合(Heterogeneous Integration)及同質(zhì)(Homogeneous)整合產(chǎn)品的公司。

Peng強調(diào)，賽靈思一直以來采用多晶圓代工廠的策略，所以對于先進制程的發(fā)展非常清楚，未來賽靈思將攜在3D領(lǐng)域的優(yōu)勢，掌握先進制程所帶來的契機并解決技術(shù)挑戰(zhàn)，延續(xù)28納米制程的領(lǐng)導地位。

Gavrielov表示，FPGA產(chǎn)業(yè)具高混合度、出貨量極少、時間表緊湊、多樣特殊需求的特色，因此在采用每個制程前，賽靈思會對價格、技術(shù)及制程是否符合客戶、市場需求等三項指標進行評估，并挑選出最適合的晶圓代工廠，再采用最好的研發(fā)團隊制作優(yōu)異的產(chǎn)品組合。未來，投資人同樣可看到賽靈思利用20納米制程及其他先進制程創(chuàng)造出好的成績，就如同該公司在28納米制程的成果一樣。