核心提示：Ziptronix Inc. 與 EV Group（簡(jiǎn)稱“EVG ”）今日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和 SmartView ? NT 鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲(chǔ)器、高級(jí)圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)。

Ziptronix Inc. 與 EV Group（簡(jiǎn)稱“EVG ”）今日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和 SmartView ? NT 鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲(chǔ)器、高級(jí)圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)。

Ziptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquist 表示：“DBI 混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制，只需要可進(jìn)行測(cè)量的適當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)和布局工具，而這是之前一直未能解決的難題。EVG 的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過(guò)優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度，此對(duì)準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn) (HVM) 鋪平了道路?！?p>新一代 3D 技術(shù)的間距測(cè)量預(yù)計(jì)將會(huì)持續(xù)多年。微間距混合鍵合已應(yīng)用于高性能的 3D 內(nèi)存產(chǎn)品，并已宣布大批量生產(chǎn) 3D 圖像傳感器。DBI 混合鍵合可用在晶?；蚓A級(jí)；然而，晶圓級(jí)鍵合通過(guò)一次鍵合所有晶粒實(shí)現(xiàn)了巨大的成本優(yōu)勢(shì)。由于 大部分DBI 混合鍵合在晶圓級(jí)進(jìn)行處理，故具有低總擁有成本的優(yōu)勢(shì)。

EVG 的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān) Paul Lindner 表示：“亞微米精度對(duì)于在更廣泛應(yīng)用的大批量生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)微間距連接是至關(guān)重要的。隨著行業(yè)推動(dòng)3D集成電路的發(fā)展，我們與 Ziptronix 聯(lián)合開(kāi)發(fā)生產(chǎn)方案，共同努力為客戶提供驚人的附加價(jià)值。”

Ziptronix 直接鍵合互連 (DBI?) 混合鍵合是一種導(dǎo)體/電介質(zhì)鍵合技術(shù)，包括各種金屬/氧化物和/或氮化物的組合，不需使用粘合劑，是目前市場(chǎng)上最合適量產(chǎn)的技術(shù)。此技術(shù)能夠?qū)︺~/銅或其他金屬鍵合實(shí)現(xiàn)強(qiáng)力、常溫絕緣鍵合、低溫導(dǎo)電鍵合和微間距互連，因?yàn)樵诮^緣和導(dǎo)電表面之間均進(jìn)行鍵合，故能有效鍵合整個(gè)襯底界面區(qū)域。

EVG 用于通用對(duì)準(zhǔn)的 SmartView ? NT 自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了一種晶圓級(jí)的面與面之間對(duì)準(zhǔn)的專有方法，這是在多晶圓堆疊中達(dá)到先進(jìn)技術(shù)所需精度要求的關(guān)鍵。除了改善 SmartView ? NT 鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)的對(duì)準(zhǔn)功能以達(dá)到亞微米級(jí)的精度，EVG 進(jìn)行優(yōu)化，使得表面可以同時(shí)為鍵合、電氣連接性和機(jī)械強(qiáng)度做好準(zhǔn)備。