自從1947年晶體管問(wèn)世以來(lái)，晶體管技術(shù)飛速發(fā)展，為開(kāi)發(fā)更強(qiáng)大、成本效益更好、能效更高的產(chǎn)品鋪平了道路。要想按照摩爾定律的步調(diào)不斷進(jìn)步，就必須進(jìn)行大量創(chuàng)新。近期值得關(guān)注的創(chuàng)新成果是應(yīng)變硅（英特爾于2003年推出）和高-k金屬柵極（英特爾于2007年推出）?，F(xiàn)在，英特爾將為晶體管設(shè)計(jì)帶來(lái)另外一項(xiàng)革命——這將在各種計(jì)算設(shè)備（從服務(wù)器到臺(tái)式機(jī)，從筆記本電腦到手持式設(shè)備）中實(shí)現(xiàn)前所未有的高性能和能效。
    硅晶體管史上第一次進(jìn)入3-D時(shí)代。英特爾推出了三柵極晶體管，其中晶體管通道增加到第三維度。電流是從通道的三面（頂部、左側(cè)和右側(cè)）來(lái)控制的，而不是像傳統(tǒng)平面晶體管一樣，只從頂部控制。最終的結(jié)果就是能夠更好地控制晶體管、最大程度利用晶體管開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)的電流（實(shí)現(xiàn)最佳性能），并且在關(guān)閉狀態(tài)時(shí)最大程度減少電流（降低漏電）。
   
    英特爾在新的半導(dǎo)體技術(shù)中引入了22納米創(chuàng)新，這將確保摩爾定律在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)仍將繼續(xù)生效。讓我們一起回顧晶體管的歷史和關(guān)鍵里程碑事件：
    1947年12月16日：William Shockley、John Bardeen和Walter Brattain在貝爾實(shí)驗(yàn)室成功開(kāi)發(fā)出首個(gè)晶體管。
 1950年：William Shockley開(kāi)發(fā)出雙極結(jié)型晶體管，就是現(xiàn)在通行的標(biāo)準(zhǔn)晶體管。
 1954年10月18日：首款晶體管收音機(jī)Regency TR1上市，這種收音機(jī)里面只包含四個(gè)鍺晶體管。
 1961年4月25日：羅伯特•諾伊斯獲得首個(gè)集成電路專利。最初的晶體管對(duì)于收音機(jī)和電話而言已經(jīng)足夠了，但是更新的電子設(shè)備要求規(guī)格更小的晶體管——集成電路。
 1965年：摩爾定律誕生——戈登•摩爾在《電子雜志》發(fā)表的文章中預(yù)測(cè)：未來(lái)芯片上晶體管的數(shù)量大約每年翻一倍（10年后，修正為每?jī)赡攴槐叮?。三年后，摩爾和諾伊斯創(chuàng)建了英特爾公司，英文名Intel即“集成電子（integrated electronics）”的縮寫(xiě)。
 1969年：英特爾開(kāi)發(fā)出首個(gè)成功的PMOS硅柵極晶體管技術(shù)。這些晶體管繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅（SiO2）柵介質(zhì)，但是引入了新的多晶硅柵電極。
 1971年：英特爾推出首個(gè)微處理器——4004。4004的規(guī)格為1/8英寸×1/16英寸，包含2250個(gè)晶體管，采用英特爾10微米PMOS技術(shù)在2英寸晶圓上生產(chǎn)。
 1985年：英特爾386™微處理器問(wèn)世，含有275,000個(gè)晶體管，是最初4004晶體管數(shù)量的100多倍。386是32位芯片，具備多任務(wù)處理能力，可同時(shí)運(yùn)行多個(gè)程序。最初是使用1.5微米CMOS技術(shù)制造的。
 2002年8月13日：英特爾發(fā)布了90納米制程技術(shù)的若干技術(shù)突破，包括高性能、低功耗晶體管，應(yīng)變硅，高速銅質(zhì)接頭和新型低-k介質(zhì)材料。這是業(yè)內(nèi)首次在生產(chǎn)工藝中采用應(yīng)變硅。
 2007年9月：英特爾公布采用突破性的晶體管材料——高-k金屬柵極。英特爾將采用這些材料在公司下一代處理器——英特爾®酷睿™2雙核、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強(qiáng)®系列多核處理器的數(shù)以億計(jì)的45納米晶體管中用來(lái)構(gòu)建絕緣“墻”和開(kāi)關(guān)“門(mén)”，研發(fā)代號(hào)為Penryn。
 2011年5月3日——英特爾宣布將批量生產(chǎn)一種全新的晶體管設(shè)計(jì)。三柵極晶體管將在各種計(jì)算設(shè)備中（從服務(wù)器到臺(tái)式機(jī)，從筆記本電腦到手持式設(shè)備）實(shí)現(xiàn)前所未有的高性能和能效。