美光科技股份有限公司前日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個DDR3低負載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務器內(nèi)存總線上的負載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內(nèi)存容量。

新的LRDIMM將采用美光先進的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內(nèi)存芯片制造。由于芯片的高密度和業(yè)內(nèi)領先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產(chǎn)品目前正在進行客戶認證，將很快進行大量生產(chǎn)。

如今多數(shù)中端企業(yè)服務器每系統(tǒng)使用大約32GB的DRAM內(nèi)存，但根據(jù)Gartner公司近期的一份報告（2009年5月），此數(shù)字預計在2012年將增至三倍以上。隨著服務器制造商繼續(xù)利用多核處理器和數(shù)據(jù)中心選擇高效的虛擬化技術，內(nèi)存要求達到前所未有的高度。通過增加服務器系統(tǒng)具備的可用內(nèi)存，系統(tǒng)能夠同時運行更多的程序、更有效地處理更大的數(shù)據(jù)文件，通常呈現(xiàn)出更好的整體系統(tǒng)性能。

美光的LRDIMM目前使用Inphi近期推出的隔離內(nèi)存緩沖(iMB)芯片而非寄存器，以在內(nèi)存和處理器之間傳輸數(shù)據(jù)時減少總線負載。相較于目前標

目前使用RDIMM的典型服務器系統(tǒng)每個處理器最多可以容納3個四排16GB RDIMM模塊。不過，同樣的系統(tǒng)每處理器最多可以支持9個四排16GB LRDIMM，使內(nèi)存容量從48GB增加到144GB。與RDIMM的性能水平相比較，美光的16GB LRDIMM增加系統(tǒng)內(nèi)存帶寬57%。由于服務器功耗仍是客戶的首要考慮，美光的LRDIMM也將以業(yè)內(nèi)最低的1.35伏電壓運作。

美光DRAM市場營銷副總裁Robert Feurle說：“隨著虛擬化的興起，我們新的16GB模塊使客戶能夠方便地擴大他們的內(nèi)存容量。傳統(tǒng)的RDIMM由于其負載情況限制了可以容納的內(nèi)存數(shù)量，而LRDIMM通過減少模塊負載消除了該問題。由于我們的LRDIMM設計采用美光新的低功耗2Gb 50nm DDR3芯片，這減少了模塊芯片數(shù)量，因此我們能夠為客戶提供更具成本效益和更高效的方法來提高服務器內(nèi)存容量和性能，同時還降低功耗水平?！?/P>

Inphi市場營銷副總裁Paul Washkewicz說：“采用此內(nèi)存技術方式將進一步實現(xiàn)服務器虛擬化和云計算。此技術為數(shù)據(jù)中心服務器提供迫切需要的更大帶寬和內(nèi)存容量?！?/P>

IDT 企業(yè)計算部副總裁兼總經(jīng)理Mario Montana說：“作為AMB+ 和 DDR3 寄存器/PLL這樣低功耗內(nèi)存接口設備的領先供應商，IDT很高興再次將我們經(jīng)過行業(yè)證明的技術和專長應用到這個針對DDR3 LRDIMM的新類別的內(nèi)存緩存。我們很高興與美光以及我們的生態(tài)系統(tǒng)伙伴合作，為高性能計算市場實現(xiàn)創(chuàng)新的解決方案?！?/P>

產(chǎn)品供貨

目前美光已經(jīng)在向部分選定公司提供8GB LRDIMM的樣品。16GB LRDIMM的量產(chǎn)預計將于2010年開始。