工研院所舉辦的「2011科技發(fā)展趨勢(shì)研討會(huì)」今日正式登場(chǎng)，工研院(IEK)資深產(chǎn)業(yè)分析師彭國(guó)柱表示，韓國(guó)三星經(jīng)過(guò)二個(gè)季度調(diào)整之后，快速拉升市占率，已突破2009年的市占高點(diǎn)，也掀起新一波的爭(zhēng)奪戰(zhàn)，在三星壓倒性的勝利下，臺(tái)系DRAM產(chǎn)業(yè)在明年恐將再度陷入負(fù)向循環(huán)。

彭國(guó)柱表示，從資本支出的角度來(lái)看，前十五大資本支出的公司，有7家為記憶體公司，而資本支出的前三大公司，包括三星、臺(tái)積電(2330)以及英特爾，這三家就占了今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出的4成之多。尤其是三星宣布今年的資本支出提高至26兆韓圜時(shí)，更是震驚業(yè)界。

分析三星今年的26兆韓圜的資本支出，半導(dǎo)體部分的廠房設(shè)備資金達(dá)11兆韓圜，其中有9兆用于DRAM事業(yè)，包括新建Line-16的12寸晶圓廠，預(yù)計(jì)明年下半年正式完工投產(chǎn)，月產(chǎn)能規(guī)模達(dá)20萬(wàn)片。另外，還包括Line -15的30奈米制程轉(zhuǎn)進(jìn)，生產(chǎn)DDR3 2Gb，Line-10轉(zhuǎn)為12寸。其馀的2兆韓圜則是用于晶圓代工、邏輯IC制程提升等。

彭國(guó)柱指出，三星自2007年第二季以來(lái)，市占率就逐漸回升，到了2008年第四季已達(dá)到31.1%，重新回到三成以上，并且在2009年第二季突破35%，經(jīng)過(guò)二個(gè)季度調(diào)整后，已經(jīng)來(lái)到40%的市占率，取得主導(dǎo)性地位。

反觀臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)整體市占率則從2006年第三季之后，呈現(xiàn)強(qiáng)弩之末，2008年第四季進(jìn)一步下滑，2009年第一季雖然緩步回升，但未來(lái)受到制程導(dǎo)入與機(jī)臺(tái)安裝速度不如南韓大廠，將使?fàn)I運(yùn)面臨激烈的挑戰(zhàn)。

彭國(guó)柱表示，記憶體產(chǎn)業(yè)2008年出現(xiàn)世代交替，全面進(jìn)入12寸廠的擴(kuò)充，并且將8寸廠除役，整個(gè)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)過(guò)完12寸晶圓廠世代交替的過(guò)程，在制程導(dǎo)入上，6X奈米之后的制程世代導(dǎo)入速度明顯加快，可以看出，三星在4X奈米進(jìn)程上遙遙領(lǐng)先，使得在這一波成本競(jìng)爭(zhēng)中處于相對(duì)有利位置。

臺(tái)灣DRAM公司受到技術(shù)母公司新制程開(kāi)發(fā)進(jìn)程影響較大，唯有取得足夠資金，以及加快拉升新制程出貨比重才能面對(duì)激烈的成本競(jìng)爭(zhēng)壓力。

從設(shè)備的角度來(lái)看，ASML的1950G/Hi為跨入5X奈米以下的必備機(jī)臺(tái)，也是評(píng)估廠商未來(lái)5X奈米以下出貨比重的重要指標(biāo)。統(tǒng)計(jì)到今年為止，三星擁有30臺(tái)，規(guī)模最為龐大，其次為海力士21臺(tái)、美光陣營(yíng)（包括南科(2408)、華亞科(3474)）15臺(tái)、爾必達(dá)陣營(yíng)（包括瑞晶(4932)、力晶(5346)）13臺(tái)。

整體而言，彭國(guó)柱認(rèn)為，三星不論是制程技術(shù)、先進(jìn)機(jī)臺(tái)數(shù)量雙重領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)下，將發(fā)動(dòng)新一波的市占攻防戰(zhàn)，原本今年，已經(jīng)有部分臺(tái)灣DRAM廠商已開(kāi)始回至正向循環(huán)，但是在臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值在第二季爬到高點(diǎn)，達(dá)到576億元新臺(tái)幣，之后就開(kāi)始回弱，第四季也不甚樂(lè)觀，明年恐將再陷入虧損、減產(chǎn)、財(cái)務(wù)惡化等負(fù)面循環(huán)。