工研院所舉辦的「2011科技發(fā)展趨勢研討會」今日正式登場，工研院(IEK)資深產業(yè)分析師彭國柱表示，韓國三星經過二個季度調整之后，快速拉升市占率，已突破2009年的市占高點，也掀起新一波的爭奪戰(zhàn)，在三星壓倒性的勝利下，臺系DRAM產業(yè)在明年恐將再度陷入負向循環(huán)。

彭國柱表示，從資本支出的角度來看，前十五大資本支出的公司，有7家為記憶體公司，而資本支出的前三大公司，包括三星、臺積電(2330)以及英特爾，這三家就占了今年半導體產業(yè)資本支出的4成之多。尤其是三星宣布今年的資本支出提高至26兆韓圜時，更是震驚業(yè)界。

分析三星今年的26兆韓圜的資本支出，半導體部分的廠房設備資金達11兆韓圜，其中有9兆用于DRAM事業(yè)，包括新建Line-16的12寸晶圓廠，預計明年下半年正式完工投產，月產能規(guī)模達20萬片。另外，還包括Line -15的30奈米制程轉進，生產DDR3 2Gb，Line-10轉為12寸。其馀的2兆韓圜則是用于晶圓代工、邏輯IC制程提升等。

彭國柱指出，三星自2007年第二季以來，市占率就逐漸回升，到了2008年第四季已達到31.1%，重新回到三成以上，并且在2009年第二季突破35%，經過二個季度調整后，已經來到40%的市占率，取得主導性地位。

反觀臺灣DRAM產業(yè)整體市占率則從2006年第三季之后，呈現強弩之末，2008年第四季進一步下滑，2009年第一季雖然緩步回升，但未來受到制程導入與機臺安裝速度不如南韓大廠，將使營運面臨激烈的挑戰(zhàn)。

彭國柱表示，記憶體產業(yè)2008年出現世代交替，全面進入12寸廠的擴充，并且將8寸廠除役，整個產業(yè)已經過完12寸晶圓廠世代交替的過程，在制程導入上，6X奈米之后的制程世代導入速度明顯加快，可以看出，三星在4X奈米進程上遙遙領先，使得在這一波成本競爭中處于相對有利位置。

臺灣DRAM公司受到技術母公司新制程開發(fā)進程影響較大，唯有取得足夠資金，以及加快拉升新制程出貨比重才能面對激烈的成本競爭壓力。

從設備的角度來看，ASML的1950G/Hi為跨入5X奈米以下的必備機臺，也是評估廠商未來5X奈米以下出貨比重的重要指標。統(tǒng)計到今年為止，三星擁有30臺，規(guī)模最為龐大，其次為海力士21臺、美光陣營（包括南科(2408)、華亞科(3474)）15臺、爾必達陣營（包括瑞晶(4932)、力晶(5346)）13臺。

整體而言，彭國柱認為，三星不論是制程技術、先進機臺數量雙重領先優(yōu)勢下，將發(fā)動新一波的市占攻防戰(zhàn)，原本今年，已經有部分臺灣DRAM廠商已開始回至正向循環(huán)，但是在臺灣DRAM產值在第二季爬到高點，達到576億元新臺幣，之后就開始回弱，第四季也不甚樂觀，明年恐將再陷入虧損、減產、財務惡化等負面循環(huán)。