半導體照明（LED照明），是上世紀90年代發(fā)展起來的新一代冷光源，具有傳統(tǒng)光源無可比擬的優(yōu)勢：節(jié)約能源、保護環(huán)境（不含汞等有害物質(zhì)）、壽命長（5萬小時）、減少維護費用、提供更好的燈光品質(zhì)、改進燈光視覺效果和安全性，這些都使LED技術(shù)在眾多基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)中得到越來越多的應用。

人類現(xiàn)代化文明造成的能源危機警示我們：節(jié)能環(huán)保刻不容緩，資源的開發(fā)利用需要可持續(xù)發(fā)展。從2003年起，全國大部分地區(qū)遭遇了新一輪的電力短缺。電力短缺的情況促進了電力的發(fā)展，但同時也引發(fā)了我們對替代能源和新能源的思考。

照明能耗在整個電力消耗中占了舉足輕重的位置，美國能源部數(shù)據(jù)顯示，美國22%的電力消耗于照明領(lǐng)域。國內(nèi)更甚，以上海為例，照明用電占上海全市用電的1/3以上，既節(jié)能又環(huán)保的照明革命迫在眉睫。

據(jù)調(diào)查，如果以LED取代圣誕樹上的彩燈，美國在每年12月至少節(jié)電20億千瓦時，相當于200萬個家庭整整一年的用電量。而美國實現(xiàn)燈泡全面換代之后，從2012年到2030年，美國在照明能耗上的開支將節(jié)省400億美元，這將意味著可以少建14座熱力電廠和每年減少至少5100萬噸的碳排放。而一系列相應的措施也正在如火如荼地展開：美國計劃在未來12年內(nèi)，逐步淘汰白熾燈，改用節(jié)能環(huán)保的新式照明燈，新式照明燈將比目前燈泡至少節(jié)電70%;澳大利亞政府宣布，將在2010年之前全面禁止使用白熾燈照明。

由于LED的節(jié)能特點，世界各國對LED的研發(fā)生產(chǎn)都極為重視。日本已經(jīng)實現(xiàn)1998-2002年耗費50億日元推行白光照明，目前已基本上完成用白光LED照明替代50%的傳統(tǒng)照明，整個計劃的財政預算為60億日元。美國能源部設(shè)立了有13個國家重點實驗室、公司和大學參加的“半導體照明國家研究項目”,計劃用10年時間，耗資5億美元開發(fā)半導體照明，計劃從2000-2010年，投資5億美元，用LED取代55%的白熾燈和熒光燈。

歐盟則委托6個大公司、2所大學，于2000年7月啟動了“彩虹計劃”.我國于2003年緊急啟動了國家半導體照明工程；我國臺灣也在組織實施相關(guān)計劃，設(shè)立了有16個生產(chǎn)科研單位和大學參加的“21世紀照明光源開發(fā)計劃”.

其中，世界各國對半導體照明相關(guān)產(chǎn)業(yè)的政策如下：

（一）韓國半導體照明相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策概述：

韓國在發(fā)展高新技術(shù)方面，以微電領(lǐng)域為先導，為此制定了具體的措施，制定高新技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。明確重點發(fā)展微電子、光電子、機電一體化，新材料、精細化工、生物工程和航空等七大領(lǐng)域。對研究開發(fā)和生產(chǎn)銷售的全過程實行一條龍的組織管理、興建了現(xiàn)代化科研基地、科技城等，構(gòu)建最新科技信息網(wǎng)絡(luò)，加強與發(fā)達國家的技術(shù)交流與科研合作，加大對高新技術(shù)項目的投資力度。

從世界范圍來看，半導體產(chǎn)業(yè)最早起源于美國，早在50年代，美國就開發(fā)出世界第一個DRAM芯片和MPU芯片。日本在80年代成功地趕超了美國，將美國擠出了DRAM市場。80年代初，韓國開始大力發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，雖然初期韓國的技術(shù)、資金、市場都不如美國、日本等半導體先進國家，半導體產(chǎn)業(yè)的投資規(guī)模又大，但韓國在90年代成功地實現(xiàn)了趕超，在國際DRAM（動態(tài)存儲器）市場上取得了領(lǐng)先地位。

1974年，韓國第一家本地半導體公司由具有半導體設(shè)計經(jīng)驗的韓裔美籍科學家建立。1975年，被三星收購，三星從而逐漸開始生產(chǎn)各種晶體管和集成電路。1982年，三星決定大規(guī)模進入半導體業(yè)，并建立了一個半導體R&D實驗室，主要集中于雙極的和金屬氧化物半導體（MOS）的逆向工程和技術(shù)知識吸收。

韓國微電子工業(yè)的發(fā)展一直是以大企業(yè)集團為主體，其中尤其以三星公司為代表。三星從20世紀80年代早期開始介入大規(guī)模集成電路行業(yè)，1983年，三星公司開始生產(chǎn)64KDRAM,當時落后美日近四年之久，三星從單純的技術(shù)模仿開始，通過積極主動的技術(shù)學習，不斷地積累技術(shù)能力、進行技術(shù)創(chuàng)新，歷經(jīng)256K（落后兩年）、1M（落后日本一年）、4M（落后六個月）、16M（落后三個月），到64M時與美日同步，到256M,超前美日半年推出，由后進到追趕而迎頭趕上，三星公司僅用了10年時間。

到1994年，三星成為世界上排名第一的DRAM制造商和第七大半導體制造商，其他韓國廠商，如現(xiàn)代、金星等也位居世界前列。1996年，成功開發(fā)出世界上第一個1GBDRAM;1994年，成功推出網(wǎng)絡(luò)可視手機CDMA手表式手機等。

韓國半導體產(chǎn)業(yè)的成功，主要得益于韓國政府1980年代以來，在高技術(shù)產(chǎn)業(yè)方面實施的重點扶持政策，“主要依靠政府投資”拉動該產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，其間，來自政府的投入占了整體投入的一半以上。此后，政府直接投資開始減少，來自于大企業(yè)、大銀行的投資開始上升。在財政支持方面，韓國政府成立了專門針對高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的韓國新技術(shù)支持金融公司，以企業(yè)形式對相關(guān)項目實施國家支持。1975年，韓國政府制訂了推動半導體業(yè)發(fā)展的六年計劃，在產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，政府建立了韓國高級科學技術(shù)研究院（KAIST）和韓國電子技術(shù)研究所（KIET），進行超大規(guī)模集成電路的研究，不僅為韓國微電子工業(yè)的發(fā)展起到了重要的作用，更重要的是為韓國培養(yǎng)了大批微電子方面的人才。

微電子每下一代的研發(fā)費用都在呈指數(shù)規(guī)律增長。韓國政府為了避免企業(yè)之間重復投資，迅速提高本國企業(yè)的技術(shù)能力。1986年10月，政府將4MDRAM列為國家項目。將韓國三大半導體制造商：三星、LG、現(xiàn)代結(jié)盟進行開發(fā)，由一個政府研究所--電子與電信研究所（ETRI），作為這三大廠商和6所大學的協(xié)調(diào)者。目標是到1989年開發(fā)出和規(guī)模生產(chǎn)4MDRAM,完全消除與日本公司的技術(shù)差距。三年中（1986-1989）R&D共花了1.1億美元，政府承擔了其中的57%,遠超過其他國家項目。

1988年，三星在三大企業(yè)中第一個宣布完成4MDRAM設(shè)計，只落后日本6個月。三星共申報了4MDRAM的56項專利，LG是40項，現(xiàn)代是38項，大學是3項，ETRI是11項。后來三星成功開發(fā)出16MDRAM,落后日本時間縮短為3個月。64M和256MDRAM的開發(fā)上，韓國政府也將列為國家項目，并組織了類似的結(jié)盟。但三個大企業(yè)都已建立了獨立的研究開發(fā)能力，拒絕與競爭者共享知識。

1992年8月，三星與日本廠商同時開發(fā)出64MDRAM.1994年下半年，三星成為世界上第一個商用64MDRAM供應商，供給HP,IBM和SUN等大公司。1994年8月，在投資1.50億美元30個月后，三星成功開發(fā)出世界上第一個完全可用的256MDRAM樣品，在處理大批量數(shù)據(jù)上能力有了顯著提高。三星在這一時期內(nèi)部研究開發(fā)實力已經(jīng)得到了很大的提高，其R&D投資由1980年的8.5百萬美元上升到1994年的891.6百萬美元。同期R&D占總銷售額的比重從2.1%上升到6.2%,韓國本地授予的專利數(shù)量從1980年的4件上升到194年的1,413件，三星研究開發(fā)能力取得了很大的飛躍。

韓國微電子產(chǎn)業(yè)成功發(fā)展中，有兩個重要因素：一個是政府的作用，政府如何有效地參與和調(diào)控產(chǎn)業(yè)的發(fā)展是其關(guān)鍵；同樣，在韓國的模式中，人才的培養(yǎng)和核心技術(shù)的突破，也都是依賴于政府的作用。二是，政府、研究所和三大企業(yè)成立的聯(lián)合研究開發(fā)項目，對于韓國整體微電子行業(yè)的技術(shù)升級起到了關(guān)鍵的作用，使得韓國企業(yè)不僅能夠在4M和16MDRAM實現(xiàn)自主開發(fā)的突破，而且能夠得以在國際市場上形成強有力的競爭地位。

同時韓國政府非常重視中小企業(yè)發(fā)展，認為它們才是發(fā)展本國自主產(chǎn)業(yè)的主要力量。目前這些中小企業(yè)的發(fā)展大都定位于前沿技術(shù)的研發(fā)，瞄準自有專利技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。在技術(shù)轉(zhuǎn)移平臺營造方面，韓國政府每年撥付專款用于支持中小企業(yè)孵化，銀行、風險投資財團也給予鼎力協(xié)助。韓國政府在支持LG、三星、現(xiàn)代等大企業(yè)在技術(shù)開發(fā)的同時，讓中小企業(yè)也參與進來，以避免技術(shù)分布的不平衡，從而帶動整個產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

（二）美國半導體照明相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策概述：

70年代前，美國沒有明顯的產(chǎn)業(yè)政策，主要是通過產(chǎn)業(yè)組織政策反對壟斷，但是在經(jīng)歷了70年代的經(jīng)濟萎縮后，歐美國家開始注意研究政府在經(jīng)濟發(fā)展中的作用，特別是面對日本的迅速崛起與競爭，歐美國家更加關(guān)注日本發(fā)展中的產(chǎn)業(yè)政策作用。

取了一系列特殊的稅收優(yōu)惠政策，刺激企業(yè)不斷增加對R&D的投入，美國國會通過一系列法案，進一步挖掘聯(lián)邦開發(fā)計劃的商業(yè)潛力，建立政府與民間的合作關(guān)系，提高美國的競爭力。

1988年商業(yè)和競爭混合法案，使美國政府與民間聯(lián)合更加緊密?？肆诸D政府《為了國家利益的科學》、《為了國家利益的技術(shù)》總統(tǒng)報告，使企業(yè)界對政府制定研究開發(fā)的重點產(chǎn)生影響，而且在政府的幫助下保持國際競爭力。美國的半導體、光電、汽車等都從與政府的密切關(guān)系中獲得了巨大利益。布什政府科技政策的一個明顯的特征是在重視長遠考慮，即在加強基礎(chǔ)研究、普及科學教育與提高教育質(zhì)量的同時，加強了科技成果和新技術(shù)的迅速商品化，這在很大程度上突破了傳統(tǒng)的政策制定思路。

美國的國家政策中把高技術(shù)培植及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展、完善市場規(guī)則及競爭環(huán)境等作為其長期目標，通過立法形式確立下來，從體制上為眾多企業(yè)的壯大創(chuàng)造了外部條件。

下列措施在美國以科技促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程過程中發(fā)揮了巨大的作用：

重視基礎(chǔ)研究和應用研究

政府加強了對R&D活動的資金支持，增加聯(lián)邦投資，支持基礎(chǔ)研究；1997年全年美國用于研究與開發(fā)的總支出達到2056億美元，比1996年的1932億美元增加6.5%.扣除通貨膨脹因素的影響，1997年美國R&D總支出的實際增長率為3.8%.與經(jīng)濟指標相比，美國國內(nèi)生產(chǎn)總值（GDP）的實際增長率（扣除通貨膨脹因素的影響）為2.4%,從而美國全國的R&D總支出的增長率明顯高于經(jīng)濟的增長率。在美國1997年全年研究與開發(fā)總支出的2056億美元中，用于基礎(chǔ)研究、應用研究、開發(fā)的支出分別為311億美元、462億美元、1283億美元，分別占總支出的15.1%、22.5%、62.4%.與1996年相比，扣除通貨膨脹影響，基礎(chǔ)研究、應用研究、開發(fā)這三類支出的實際增長率大約分別為2.8%、3.9%、4.0%.

強化科學決策

簡化聯(lián)邦政府的決策機構(gòu)和機制以消除有礙于產(chǎn)業(yè)競爭的不必要和繁雜的規(guī)則和慣例，加強科學顧問在政策制定過程中的作用。

以高校為依托組建多學科的工程研究中心

通過從事有意義的跨學科的研究工作，提高大學的創(chuàng)新能力，培養(yǎng)出優(yōu)秀的工程師，幫助企業(yè)提高其在國際市場上的競爭能力，是新型科技一教育一生產(chǎn)相結(jié)合的新形式。

激勵大學、企業(yè)從事R&D活動

美國政府通過一系列激勵措施鼓勵大學、企業(yè)從事R&D活動。

改變政府直接參與科技活動，政府部門起主導性作用的局面，側(cè)重通過私人部門的刺激，政府通過營造更有利于私人部門創(chuàng)新的環(huán)境來促進民間研究開發(fā)的活動；美國政府以“研究合同、研究資助和合作研究”等形式向企業(yè)、高等院校或其他部門撥款，極大地刺激了企業(yè)與高校的技術(shù)創(chuàng)新的積極性。

美國在1978年頒布的《研究與開發(fā)法案》就規(guī)定企業(yè)用于R&D的盈利部分，不予征稅。

1982年美國國會通過的《S項修改法案》規(guī)定知識密集型公司可以少交1/3的稅款。

在科技政策方面，開辟了從“總量支持”到“邊際支持”的時代。其一，針對企業(yè)R&D的稅收優(yōu)惠。1981年通過了《經(jīng)濟復興稅收法》，規(guī)定企業(yè)在R&D方面超過三年平均水平的開支增加額即可享受25%的稅收減免；60年代初，美國聯(lián)邦政府對R&D的資助是整個R&D投入的65%,直至1980年，美國企業(yè)界的R&D投入開始超過政府，隨后幾年增長率保持在7.3%.1985-1990年，年平均增長分別為2.2%和3.7%,從1993年開始，美國企業(yè)界的R&D的投入開始逐年迅速增長，1994、1995年兩年以兩位數(shù)高速增長，1996年，企業(yè)界R&D的投入為1135億美元，約占全國R&D總支出的61.6%.據(jù)分析家估計，美國企業(yè)界R&D經(jīng)費今后數(shù)年仍保持增長勢頭，2004年將超過2500億美元，占全國R&D總額的71.5%.

加強知識產(chǎn)權(quán)保護

不但在美國過內(nèi)加強知識產(chǎn)權(quán)保護，并通過“烏拉圭回合”加強在世界范圍內(nèi)對美國知識產(chǎn)權(quán)的保護。

促進技術(shù)向經(jīng)濟轉(zhuǎn)化

鼓勵技術(shù)創(chuàng)新，并通過建立激勵機制、鼓勵研究人員的創(chuàng)業(yè)精神來推動高新技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化和商品化。如1980年美國出臺的BayDole法案，在80年代初期，對美國的高技術(shù)成果的轉(zhuǎn)化起了很大的推動作用。1993年發(fā)表《促進經(jīng)濟增長的技術(shù)---增強經(jīng)濟實力的新方向》和《促進經(jīng)濟增長的技術(shù)---總統(tǒng)的發(fā)展報告》等報告。根據(jù)當代科技和經(jīng)濟的變化，加強了相關(guān)學科研究，減少技術(shù)向經(jīng)濟效益轉(zhuǎn)化的障礙，重點強化了聯(lián)邦技術(shù)向私人部門的轉(zhuǎn)移。把由政府主導或擁有的技術(shù)成果，通過適當?shù)耐緩睫D(zhuǎn)移到民間部門，主要通過企業(yè)、大學與聯(lián)邦實驗室體系的合作。允許多數(shù)聯(lián)邦實驗室將專利技術(shù)以排它性方式授予企業(yè)和大學，以鼓勵私營企業(yè)進一步投入資源，促進了聯(lián)邦技術(shù)向民間的轉(zhuǎn)移，實現(xiàn)聯(lián)邦成果的商業(yè)化，吸收民間資源，實現(xiàn)這些技術(shù)的商業(yè)化和民用，促進了大學、企業(yè)和聯(lián)邦實驗室的相互合作，發(fā)揮利用政府資源推動民間資本的杠桿作用，促進產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新。為此先后制定了《大學和小企業(yè)專利程序法》、《技術(shù)創(chuàng)新法》、《聯(lián)邦技術(shù)轉(zhuǎn)移法》等。

同時美國政府還通過放寬反托拉斯法的規(guī)定，促進企業(yè)之間的合作，同時通過鼓勵科技方面的國際合作、振興科技教育等舉措確保美國的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

由政府組織研究機構(gòu)和企業(yè)共同完成高技術(shù)的研究、開發(fā)和轉(zhuǎn)化。如美國政府資助聯(lián)邦實驗室與企業(yè)界合作。發(fā)達國家用風險投資辦法來解決高技術(shù)企業(yè)起步階段資金上的困難，并通過整合政府、企業(yè)、研究機構(gòu)各方面的資源，及利用很多中小型高技術(shù)企業(yè)出現(xiàn)的成熟技術(shù)與自己的關(guān)鍵技術(shù)集成形成高科技產(chǎn)品。

它山之石--美國Sematech

在政府財政資助下、成功的戰(zhàn)略技術(shù)聯(lián)盟莫過于美國的半導體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟-Sematech在美國，80年代末90年代初，半導體產(chǎn)業(yè)是最大的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一，而且，該產(chǎn)業(yè)還為其它的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)提供產(chǎn)品，如電子計算機設(shè)備以及電訊設(shè)備；同時，半導體產(chǎn)業(yè)還排在研究發(fā)展活動最密集的產(chǎn)業(yè)行列。

正因如此，為鼓勵改進美國的半導體生產(chǎn)技術(shù)，1987年，在美國政府年預算補貼10億美元的資助下，14個在美國半導體制造業(yè)中居領(lǐng)先地位的企業(yè)組成R&D戰(zhàn)略技術(shù)聯(lián)盟，即Sematech.其使命有二：其一，提高半導體技術(shù)的研究數(shù)量；其二，為聯(lián)盟內(nèi)的成員企業(yè)提供研發(fā)資源，使其能夠分享成果、減少重復研究造成的浪費。Sematech集中于一般的過程研發(fā)，而不是產(chǎn)品研發(fā)。

根據(jù)一些學者的研究，這種戰(zhàn)略技術(shù)聯(lián)盟會潛在地使其成員企業(yè)受益，并不會威脅它們的核心能力。Sematech負責購買、測試半導體制造設(shè)備，將技術(shù)知識傳播給其成員企業(yè)，通過統(tǒng)一購買和測試可以減少企業(yè)重復開發(fā)、檢驗新的工具，從而降低設(shè)備開發(fā)及引進的成本。

由于成立Sematech的宗旨是提高美國國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)，因此，其成員只限于美國國內(nèi)的半導體企業(yè)，國外企業(yè)在美國的子公司不能加入（如1988年，日立公司在美國的分公司的加入申請就被拒絕），但是，對與國外企業(yè)進行合作經(jīng)營的合資企業(yè)沒有限制。Sematech不能參與半導體產(chǎn)品的銷售，不能設(shè)計半導體產(chǎn)品，不能限制其成員企業(yè)在戰(zhàn)略聯(lián)盟以外的R&D支出。

Sematech的成員企業(yè)有義務為聯(lián)盟提供資金資源和人力資源。如成員企業(yè)需將其半導體銷售收益的1%上繳給聯(lián)盟，也就是說，最低交納1百萬美元，最高交納1500萬美元；在人力資源方面，在Sematech內(nèi)的400個技術(shù)人員中，大約有220個來自于其成員企業(yè)，來自戰(zhàn)略技術(shù)聯(lián)盟成員企業(yè)的技術(shù)人員將在Sematech在奧斯汀的總部工作6到30個月。雖然Sematech也存在一些缺點，如其交納成員費政策（成員企業(yè)需將半導體銷售收益的1%上繳給聯(lián)盟，最低交納1百萬美元，最高交納1500萬美元）就廣受批判。這一費用對銷售額低于1000萬美元的企業(yè)是相當重的財政負擔、而對銷售額超過15億美元的企業(yè)來說卻又微不足道。

據(jù)一些較小規(guī)模的企業(yè)稱，他們負擔不起如此昂貴的費用，也不能將其企業(yè)中最好的技術(shù)人員派到Sematech總部工作一年或更長的時間。而且，即使它們可以加入Sematech,它們對共同研究的進程的影響也非常有限。但是，也應當看到，美國的半導體技術(shù)研究戰(zhàn)略聯(lián)盟逐漸使其成員企業(yè)降低用于R&D活動的支出，減少了重復研究，實現(xiàn)研究成果共享。這意味著，聯(lián)盟內(nèi)的R&D支出比單個企業(yè)的R&D支出更有效率，即R&D支出減少，而研究活動增加；或者說用更少的支出，做相同數(shù)量的研究。同時也意味著，如果沒有政府的預算資助，聯(lián)盟內(nèi)的成員企業(yè)更傾向于自主地資助戰(zhàn)略聯(lián)盟的R&D活動。同時，研究也表明，Sematech對非成員的半導體企業(yè)的技術(shù)溢出也在提高。

（三）日本半導體照明相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策概述：

日本是產(chǎn)業(yè)政策的發(fā)起國，也是成功實行產(chǎn)業(yè)政策的典型國家，產(chǎn)業(yè)政策的成功實施使日本趕超發(fā)展戰(zhàn)略得以實現(xiàn)。日本政府通過提高研究項目評價的透明度和公開性，推進基礎(chǔ)研究的水平；通過競爭性研究資金的倍增計劃，強化產(chǎn)業(yè)競爭力、改革產(chǎn)、學、官的構(gòu)成系統(tǒng)?？晒┙梃b的有：

競爭性研究環(huán)境的營造

通過增加競爭性研究資金的比例，改革現(xiàn)有的研究評價體制，延長研究人員的聘任期（從3年延長到5年）等舉措即為科學家創(chuàng)造可以發(fā)揮其獨創(chuàng)性的競爭環(huán)境；又使其所從事的科學研究適應國家發(fā)展戰(zhàn)略目標和社會公眾的需求，從科學的、經(jīng)濟的、社會的這三個角度進行評價和公共選擇。

大力扶持新工業(yè)制度

　　  （1）進行調(diào)研，起草關(guān)于該工業(yè)的需要及發(fā)展前景的基本政策報告；

　　  （2）由通產(chǎn)省批準外匯配額，由開發(fā)銀行對該工業(yè)提供貸款；

　　  （3）頒發(fā)外國技術(shù)進口許可證；

　　  （4）確定為戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，準許對其投資作特別和加速折舊；

　　  （5）無償或以象征性價格提供整修好的土地，以便建造廠房和安裝設(shè)備；

　　  （6）減免關(guān)控性稅收；
 
　　  （7）成立行政指導卡特爾，在各個公司之間調(diào)節(jié)競爭和協(xié)調(diào)投資。

日本產(chǎn)業(yè)政策的制定和實施主要是由其經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)?。ㄍóa(chǎn)省），通產(chǎn)省通過電子工業(yè)振興運動、大規(guī)模集成電路攻關(guān)等，在政府強有力的領(lǐng)導和干預下，極大地促進了日本機械與電子工業(yè)的發(fā)展。

它山之石二--日本VLSI

日本微電子產(chǎn)業(yè)起飛的關(guān)鍵在于VLSI合作研究組織，使得核心共性技術(shù)得以成功突破，為以后本國產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了平臺和基礎(chǔ)。20世紀70年代中期，鑒于超大規(guī)模集成電路技術(shù)就成為影響信息產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展的關(guān)鍵共性核心技術(shù)，其難以靠單個企業(yè)的力量來實現(xiàn)突破。

日本政府與日本主要計算機公司聯(lián)合簽署組成了超大規(guī)模集成電路（VLSI）研究協(xié)會的協(xié)議，日本VLSI研究協(xié)會包括NEC（日本電氣）、日立、三菱、富士通和東芝等五家日本最大的計算機公司，還有日本通產(chǎn)省的電氣技術(shù)實驗室（EFL）；兩個先前成立的公司聯(lián)合研究機構(gòu)也參與了VLSI研究協(xié)會，一個是日立、三菱、富士通聯(lián)合建立的CDL,一個是NEC和東芝聯(lián)合建立的NTIS.

 VLSI研究協(xié)會的總投入為300億日元，折合當時的3.06億美元，其中1.32億美元是日本政府的貼息貸款，其余的1.76億美元由五大公司分攤。通過四年的合作，VISL研究協(xié)會共申請了1000項專利，其中600項取得了專利權(quán)。在技術(shù)成果上取得了一系列突破，使得日本在DRAM生產(chǎn)居世界領(lǐng)先地位，在產(chǎn)業(yè)內(nèi)部建立了一系列工業(yè)標準。日本的VLSI合作研究組織對于日本微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展乃至于日本整個信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了重要的作用，使得日本微電子產(chǎn)業(yè)在世界上的相對地位發(fā)生了明顯轉(zhuǎn)變，使得日本與美國在微電子領(lǐng)域的差距從10年以上縮短到幾乎沒有差距。通過VLSI的實施提升了日本整體微電子行業(yè)的技術(shù)水平。

日本微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展經(jīng)驗，有兩個鮮明的里程碑，一個就是通過VLSI合作研究組織的建立，實現(xiàn)了微電子產(chǎn)業(yè)核心共性技術(shù)的突破，為了企業(yè)的進一步發(fā)展提供了平臺；另外一個就是通過正確的核心競爭能力戰(zhàn)略的實施，迅速提升了公司自身的核心競爭能力，從而贏得了市場競爭優(yōu)勢。

綜上所述，在照明領(lǐng)域，LED的應用將以其綠色節(jié)能的性能，成為繼明火和白熾燈之后的第三次照明變革。