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意法半導(dǎo)體推出IGBT新品為節(jié)能燈鎮(zhèn)流器和轉(zhuǎn)換器改進(jìn)能效

時間：2008-06-01 00:33:34

關(guān)鍵字： IGBT 轉(zhuǎn)換器鎮(zhèn)流器意法半導(dǎo)體

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[導(dǎo)讀]功率半導(dǎo)體業(yè)的意法半導(dǎo)體推出一系列創(chuàng)新的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）,新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝,有效降低關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D600VPowerMESH）,用于工作頻率超過

功率半導(dǎo)體業(yè)的意法半導(dǎo)體推出一系列創(chuàng)新的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）,新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝,有效降低關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D600VPowerMESH）,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi),應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。

開關(guān)性能的改進(jìn)容許設(shè)計工程師把IGBT用于以硬開關(guān)拓?fù)浜椭C振電路為特點的高度競爭力產(chǎn)品。新產(chǎn)品關(guān)斷能耗降低,使用很小的緩沖電容器即可在低結(jié)溫下工作,帶來降低功耗、提高可靠性、縮小電路板空間等優(yōu)點。

在芯片的單位面積性能方面,ST的新IGBT技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝于傳統(tǒng)的MOSFET晶體管,有助于實現(xiàn)成本更加低廉的解決方案。新產(chǎn)品還有一個優(yōu)點：封裝內(nèi)含有一個超快速軟恢復(fù)二極管,保證新產(chǎn)品具有其它功率器件無法實現(xiàn)的高dV/dt抗擾性。新系列超高速IGBT的目標(biāo)應(yīng)用包括70W-150W高頻鎮(zhèn)流器以及開關(guān)電源、功率因數(shù)控制器和其它的高頻功率開關(guān)設(shè)備。

STGxL6NC60D系列產(chǎn)品共有四款產(chǎn)品,提供豐富的功率封裝選擇：TO-220、TO-220FP、DPAK和D2PAK。.

關(guān)于意法半導(dǎo)體公司

意法半導(dǎo)體，是微電子應(yīng)用領(lǐng)域中開發(fā)供應(yīng)半導(dǎo)體解決方案的世界級主導(dǎo)廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合，以及強(qiáng)大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使意法半導(dǎo)體在系統(tǒng)級芯片技術(shù)方面居最前沿地位。在今天實現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢中，ST的產(chǎn)品扮演了一個重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2007年，公司凈收入100億美元。

編輯: 劉立

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